Geri Dön

Evaluation of DC parameters of MESFET TOM equivalent circuit

MESFET TOM denklik devresi DC parametrelerinin elde edilmesi

  1. Tez No: 82656
  2. Yazar: R.CUMHUR KASIMCAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. CANAN TOKER
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: TOM, MESFET, savak-kaynak model parametreleri, kapı akımı ve bozulma parametreleri, karşı tarafa iletkenlik, savak iletkenliği, optimizasyon IV, TOM, MESFET, drain-source model parameters, gate current and breakdown parameters, transconductance, drain conductance, optimization 111
  7. Yıl: 1999
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 198

Özet

oz MESFET TOM DENKLİK DEVRESİ DC PARAMETRELERİNİN ELDE EDİLMESİ KASIMCAN, R. Cumhur Yüksek Lisans, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği bölümü Tez Yöneticisi : Prof.Dr. Canan Toker Eylül 1999, 198 Sayfa Bu çalışmada, Metal Yarıiletken Alan Etkili Transistörler (MESFETs) TriQuint' s Own Model (TOM) denklik devresi parametrelerinin elde edilmesi incelenmektedir. Bu parametreler, DC ölçümler ve S-parametre ölçümleri ile elde edilebilir. Bu çalışmanın amacı, DC parametrelerini bulmak ve bu DC parametreler kullanılarak elde edilen TOM S-parametreleri ve ölçülen S-parametreler arasında en iyi uyumu elde etmektir. C/NL ve Matlab bu çalışmada kullanılan yazılım araçlarıdır. FZERO, FMINS ve FSOLVE, en iyi sonuca mümkün olan en kısa sürede ulaşmak için, çoğunlukla kullanılan Matlab yöntemleridir. TOM savak-kaynak model parametreleri elde edildikten sonra kapı akım ve bozulma parametrelerini ve kapı, kaynak ve savak dirençlerini elde etmek kolaydır. Daha sonra, kapı-kaynak ve kapı- savak kapasitanslan, karşı tarafa iletkenlik ve savak iletkenliği değerleri elde edilebilir. Bütün bu parametreler elde edildikten sonra, DC parametreler kullanılarak elde edilen TOM S-parametreleri ve ölçülen S-parametreler arasında iyi bir uyum sağlamak için optimizasyon yöntemi kullanılır. Ölçülen voltaj-akım karakteristikleri ve bulunan TOM MESFET parametreleri kullanılarak elde edilen voltaj-akım karakteristikleri arasındaki uyum, elde edilen TOM MESFET parametrelerinin doğruluğunu kontrol etmek için kullanılır. Bu uyum oldukça iyi olduğu için, elde edilen parametrelerin doğru olduğu söylenebilir.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT EVALUATION OF DC PARAMETERS OF MESFET TOM EQUIVALENT CIRCUIT KASIMCAN, R. Cumhur M.Sc, Department of Electrical and Electronics Engineering Supervisor: Prof.Dr. Canan Toker September 1999, 198 Pages This study examines the evaluation of DC parameters of Metal Semiconductor Field Effect Transistors (MESFETs) TriQuint' s Own Model (TOM) equivalent circuit. These parameters may be obtained using DC measurements and S-parameter measurements. The study aims to find DC parameters and obtain best fitting between measured S-parameters and obtained S-parameters of TOM using these DC parameter values. C/NL and Matlab are the software tools used in this study. FZERO, FMINS and FSOLVE are the mostly used methods in Matlab to reach best result in the shortest possible time. After obtaining TOM drain-source model parameters, it is easy to find gate current and breakdown parameters and gate, source and drain resistances. Then, gate-source and gate-drain capacitances, transconductance and drain conductance may be obtained. After obtaining all of these parameters, optimization method is used to satisfy a good fitting between measured S-parameters and obtained S-parameters of TOM using DC parameter values. The fitting between measured voltage-current characteristics and obtained voltage-current characteristics using obtained TOM MESFETs parameters is used to control the validity of the obtained TOM MESFETs parameters. Since this fitting is somewhat good, it can be said that obtained parameters are accurate.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    22075

    Kesintisiz güç kaynaklarında mikrodenetçilerin kullanılması

    Using microcontrollersin uninterruptible power supplies

    FERHAT ŞİRİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1992

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF. DR. NEJAT TUNÇAY

  2. Tez No

    572859

    Performance evaluation and comparison of low voltage grid-tied three-phase AC/DC converter configurations with SIi and SiC semiconductor switches

    Si ve SiC yarı iletken anahtarlı, alçak gerilim 3 faz şebeke bağlantılı AC/DC güç dönüştürücü topolojilerinin performans değerlendirmesi ve karşılaştırılması

    OĞUZHAN ÖZTOPRAK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET MASUM HAVA

  3. Tez No

    689487

    Fotovoltaik sistemlerinde kullanılan çeviricilerin kontrolü

    Control of inverters used in photovoltaic systems

    AYNUR AHMADOVA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Aydın Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MURTAZA FARSADİ

  4. Tez No

    14402

    Sodyum perboratın saf ve saf olmayan ortamlarda nükleasyon kinetiğinin incelenmesi

    Investigation of nucleation kinetics of sodium perborate in pure and impure media

    SİBEL TİTİZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1991

    Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Y.DOÇ.DR. G. YILDIZ YÜKSEL

  5. Tez No

    415001

    Tavşanlarda kalbin B-MOD ve M-MOD ekokardiyografik yöntemle morfometrik incelenmesi

    Morphometric evaluation of rabbit heart with b-mode and M-MODE echocardiographic method

    ÖMER GÜRKAN DİLEK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Veteriner HekimliğiAdnan Menderes Üniversitesi

    Anatomi Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HASAN ERDEN

Geri Dön