Geri Dön

Farklı oranlarda bi katkılı ZnO ara yüzey tabakalı Al/(Bi:ZnO)/p-Si (MIS) fotodiyotların optik ve elektrik parametrelerinin incelenmesi

Optical and electrical parameters of Al/(Bi:ZnO)/p-Si (MIS) photodiodeodes with different ratios of bi doped zno interfacial layer

PDF İndir

  1. Tez No: 841968
  2. Yazar: AHMET DEMİRCİ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL, DOÇ. DR. HAYRİYE GÖKÇEN ÇETİNKAYA
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Bilim ve Teknoloji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Science and Technology, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: MIS, Metal-yarı iletken sistemler, Tabakalı yarı iletkenler, Metal insulator semiconductor, Metal-semiconductor systems, Layered semiconductors
  7. Yıl: 2023
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fotonik Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada, farklı ağırlık yüzdelerinde (% 0,1, 0,3, 0,5 Bi) içerikle karıştırılan Bi katkılı ZnO (Bi:ZnO) nano-kompozitler, spin-kaplama yöntemi ile p-Si alttaş üzerine kaplandı. Bi katkılı ZnO ara katmanına sahip Schottky yapısının bazı temel elektriksel ve optik parametreleri karanlıkta ve farklı aydınlatma şiddetlerinde (20, 40, 60, 80, 100 mW/cm2) elde edildi. Al/(Bi:ZnO)/p-Si (MIS) tipi yapının optik ve elektriksel özellikleri, akım-gerilim/zaman (I-V/t) ve kapasitans/iletkenlik-gerilim (C/G/w-V) ölçümleri (1 MHz) kullanılarak elde edildi. İdealite faktörü (n), sıfır-beslem engel yüksekliği (ΦBo) ve seri direnç (Rs) gibi bazı elektriksel parametreler, karanlık ve 100mW/cm2 aydınlatma şiddetinde hesaplandı. Yapının Rs değeri artan katkı oranı ve ışık şiddetiyle azalmaktadır. Elde edilen sonuçlardan, hazırlanan yapının ışığa oldukça duyarlı olduğu ve dolayısıyla optik uygulamalar için uygun olduğu görülmüştür.

Özet (Çeviri)

In this study, Bi-doped ZnO (Bi:ZnO) nanocomposites mixed with different weight percentages (0.1, 0.3, 0.5% Bi) were coated on p-Si substrate by spin-coating method. Some basic electrical and optical parameters of the Schottky structure with Bi doped ZnO interlayer were obtained in the dark and at different illumination intensities (20, 40, 60, 80, 100 mW/cm2). The optical and electrical properties of the Al/(Bi:ZnO)/p-Si (MIS) type structure were obtained using current-voltage/time (I-V/t) and capacitance/conductivity-voltage (C/G/w-V) measurements (1 MHz). Some electrical parameters such as the ideality factor (n), zero-feed barrier height (ΦBo) and series resistance (Rs) were calculated in the dark and at an illumination intensity of 100 mW/cm2. The Rs value of the structure decreases with increasing doping ratio and irradiance. The results obtained show that the prepared structure is highly photosensitive and hence suitable for optical applications.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    142597

    Yeni Cami'nin akustik açıdan performans değerlendirmesi

    Evaluation of the acoustical performance of the New Mosque

    EVREN YILDIRIM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Mimarlıkİstanbul Teknik Üniversitesi

    Mimarlık Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEVTAP YILMAZ DEMİRKALE

  2. Tez No

    483585

    Lantanyum (La) katkılı çinko oksit (ZnO) filmlerin büyütülmesi ve karakteristiklerinin incelenmesi

    Growth of lanthanum (La) doped zinc oxide (ZnO) films and investigation of their characterizations

    SAMAN HABASHYANI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET YILMAZ

  3. Tez No

    751566

    SILAR yöntemi ile Al/Cd:ZnO/p-Si/Al Fotodiyot üretimi ve karakterizasyonu

    Characterization of Al/ZnO/p-Si/Al photodiode fabricated by SILAR method

    YASEMİN ŞAHİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞÜKRÜ ÇAVDAR

  4. Tez No

    880275

    KNNS-BNW seramiklerin ZnO katkısına bağlı olarak dielektrik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of dielectric properties of KNNS-BNW ceramics depending on ZnO additive

    FATMA HAZAL BABAÖZÜ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Metalurji MühendisliğiSakarya Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞADUMAN ŞEN

  5. Tez No

    708794

    Bizmut katkılı ZnO ince filmlerin X-ışını yansıma yöntemiyle bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi

    Inventigation of some physical propertices of bismuth doped ZnO thin films by X-ray reflection

    AHMET AFYONCUOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHarran Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FERHAT ASLAN

Geri Dön