Exploring the transistor on-state and off-state impedance by using matlab
Matlab kullanarak transistörün durumda ve durum dışı empedansının keşfedilmesi
- Tez No: 842169
- Danışmanlar: PROF. OSMAN YILDIRIM
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Transistörün Parametreleri, Durumda ve Durum Dışı Empedanslar, Etkileyen Faktörler, Transistor's Parameters, On-State & Off-State Impedances, Affecting Factors
- Yıl: 2023
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İstanbul Aydın Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Elektrik Elektronik Mühendisliği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 77
Özet
Z parametreleri veya ağ parametreleri olarak da bilinen empedans parametreleri, doğrusal elektrik ağlarının davranışını tanımlamak için kullanılır. Bir ağ elemanının veya birbirine bağlı elemanlardan oluşan bir ağın terminallerindeki voltajı ve akımı ilişkilendirirler. Transistör elemanı elektronik tasarım uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Endüstriyel amaçlı elektronik tasarımlarda transistör elemanının çok önemli işlevlere sahip olduğu bilinmektedir. Bu çalışmanın amacı, ortak emitörlü transistör devrelerinde, açık durum ve kapalı durum empedansını diğer transistör parametreleriyle ilişkilendiren matematiksel formüller elde etmek ve daha sonra her bir parametrenin etkinliğini kontrol ederek transistörü daha fazla kontrol etmemizi sağlamaktır. performansı sayesinde delik ağı verimli bir şekilde çalışır. Bu amaçla elde edilen formüller MATLAB yazılımı kullanılarak araştırılmıştır. Açık durum ve durum dışı empedans durumlarını etkileyen veya etkileyen faktörler olarak adlandırılan elde edilen bulgular ve parametreler grafikler yardımıyla sunulmaktadır. Kapalı durumda, bir transistör tipik olarak iletken olmayan bir durumdadır ve kolektör akımı sıfıra çok yakındır. Bu nedenle, bir transistörün kapalı durumunda, açık devre kolektör akımının ihmal edilebilir veya fiilen sıfır olduğu kabul edilir. Oysa bir transistörün açık durumunda, emitör-taban voltajı tipik olarak spesifik çalışma koşullarına ve transistörün öngerilimlenmesine bağlıdır. Verici ve taban terminalleri arasındaki voltaj, uygulanan giriş voltajına, yük koşullarına ve transistörün özelliklerine göre değişebilir.
Özet (Çeviri)
Impedance parameters, also known as Z-parameters or network parameters, are used to describe the behavior of linear electrical networks. They relate the voltage and current at the terminals of a network element or a network of interconnected elements. The transistor element is widely used in electronic design applications. It is known that the transistor element has very important functions in electronic designs for industrial purposes. The aim of this study is to obtain mathematical formulas relating on-state and off-state impedance with other transistor's parameters in common emitter transistor circuits, then check the effectiveness of each parameter, which enable us to more control the transistor in the purpose of enhancing its performance so the hole network efficiently. For this purpose, the obtained formulas were investigated using MATLAB software. Obtained findings and parameters affecting on-state and off-state impedance states or called affecting factors are presented with the help of graphics. In the off-state, a transistor is typically in a non-conducting state, and the collector current is approximately zero. Therefore, in the off-state of a transistor, the open-circuit collector current is considered negligible, or effectively zero. Whereas, in the on state of a transistor, the emitter-base voltage typically depends on the specific operating conditions and the transistor biassing. The voltage between the emitter and base terminals can vary based on the applied input voltage, load conditions, and the transistor's characteristics.
Benzer Tezler
- Design of a highly efficient and linear driver power amplifier for 5G applications
5G uygulamaları için yüksek verimli ve dogrusal sürücü güç kuvvetlendiricisi tasarımı
YUSUF DENİZ TANDOĞAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2025
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA BERKE YELTEN
- Yüksek dinamik aralıklı, Si-Ge tranzistorlu, 8-11GHz simetrik sürümlü B sınıfı kuvvetlendirici tasarımı
High dynamic range 8-11GHz push-pull class B amplifier with SiGe transistor technology
HİLAL HİLYE CANBEY
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MÜRVET KIRCI
- Yerel yatırım taraflılığı ve nedenleri: Türkiye örneği
Home bias and determinants of home bias: an investigation for Turkey
ARZU ŞAHİN
- Cumhuriyet Döneminde Antalya'da ipekböcekçiliği eğitimi(1926-1960)
Sericulture training in Antalya during Republican Peri̇od(1926–1960)
AHSEN GÜNBULUT
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Eğitim ve ÖğretimAkdeniz ÜniversitesiGeleneksel Türk Sanatları Ana Sanat Dalı
YRD. DOÇ. ÖZNUR AYDIN
- Gelişmekte olan ülkelerin yakın komşularıyla dış ticaret hacminin doğrudan yabancı yatırımlar üzerine etkisi
The impact of foreign trade volume of the developing countries with neighboring countries on foreign direct investment
ENGİN DÜCAN