Geri Dön

SOI-SIMOX taban üzerinde CMOS tümdevre üretim süreci tasarımı ve gerçeklenmesi

Implementation of SOI CMOS process

  1. Tez No: 84961
  2. Yazar: AZİZ ULVİ ÇALIŞKAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ATİLLA ATAMAN
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: VLSI, CMOS, SOI, Düşük Güç, Düşük Gerilim, Tümdevre tasarımı, Tümdevre üretim, VLSI, CMOS, SOI, Low Power, Low Voltage VI, Integrated circuits design, Integrated circuits production
  7. Yıl: 1999
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

ÖZET Daha hızlı ve daha yüksek tümleştirme yoğunluğuna sahip MOS tümdevreler üretebilmek amacıyla daha küçük hat genişliğine sahip tranzistor üretme çalışmaları sürdürülmektedir. Fakat bu durum tümdevrelerin güç tüketimimde yükseltecektir. Güç tüketiminin düşürülmesi üzerinde önemle durulması gereken bir konudur. Düşük güç, düşük gerilim uygulamaları için SOI (Oksit Yalıtımlı Silisyum) teknolojisi ümit verici bir çözüm olarak gözükmektedir. SOI teknolojisinin getirdiği değişiklik devrenin toplam parazitik kapasitesini azaltmaktır. Bu çalışma çerçevesinde oyuk kanallı SOI CMOS tümdevre üretim süreci geliştirilmiştir. Geliştirilen bu süreç mikron-altı NMOS ve PMOS tranzistorlar ile ring osilatörler içeren bir test tümdevrenin üretimine uygulanmıştır. Üretim akışının kanal inceltme sürecinde büyütülen oksitin kalınlığı değiştirilerek, silisyum film kalınlıkları 73nm ve 46nm olan iki farklı tür SOI MOS tranzistor tipi üretilmiştir. Silisyum film kalınlığı 46nm olan SOI NMOS tranzistorun eğiminin aynı süreçle üretilen standart taban NMOS tranzistorun eğimine göre kanal boylan kısaldıkça küçük kaldığı gözlenmiştir. Eğimdeki bu bozulmanın nedeni kanal inceltme aşamasında oluşan gerilmelerden kaynaklandığı düşünülmektedir. SOI CMOS test tümdevresinde bulunan 99 evirici kattan oluşan ring osilatörü 250 °C ortam sıcaklığında ve IV gibi düşük besleme geriliminde test edildi ve sonuçları verildi.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT In order to realize higher-speed and higher-packing density MOS integrated circuits, dimensions of transistors have continued to shrink. However the power consumption of modem VLSI' s has become large as a result of higher speed and higher packing density and reducing the power is strongly desired. For this purpose, Silicon-On-Insulator (SOI) technology has been proposed as a potential candidate for low power and low voltage application in modern VLSI circuits due to reduced parasitic capacitance. In this study, a recessed-channel (RC) SOI CMOS technology has been developed and applied to produce a test chip including sub-micron NMOS and PMOS transistors, ring oscillators. Thin-film fully depleted RCSOI MOSFET's with channel film thickness of 73nm and 46nm have been fabricated by the recess oxide variation. We presented experimental data on the degradation of the transconductance in the fully depleted RCSOI transistors with channel lengths ranging from 27um to 0.75 urn. It has been shown that decreasing the length of recessed area increases the degradation of the transconductance for 46nm silicon film thickness. Degradation of transconductance of RCSOI NMOS transistors was calculated with respect to the RC bulk silicon NMOS transistors which processed simultaneously together with SOI wafers. Degradation attributed to oxidation induced stress at the recessed channel region occurred during recess oxide formation. SOI CMOS inverter type with 99 stage ring oscillator were tested up to 250 °C ambient temperature and down to 1 V and results are also given.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    364155

    a-SiOx:H ve kristal silisyumdan (c-Si) oluşan a-SiOx:H/c-Si heteroeklem güneş pillerinin fabrikasyonunu ve karakterizasyonu

    The characterisation and fabrication of a-SiOx:H/c-Si heterojunction solar cells

    OKAN YILMAZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ORHAN ÖZDEMİR

    DOÇ. DR. ALP OSMAN KODOLBAŞ

  2. Tez No

    592238

    Cağdaş tarihte tarihi liderlerin kültleri: Simon Bolivar ile Mustafa Kemal Atatürk'ün örnekleri arasında bir karşılaştırma

    The cult to historical leaders in contemporary history: A comparison between the cases of Bolivar and Atatürk

    IVAN LEONARDO GARZON HERNANDEZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    TarihGazi Üniversitesi

    Tarih Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İHSAN ŞERİF KAYMAZ

  3. Tez No

    401639

    Turkey heat meter market development and strategic positioning of L+G

    Başlık çevirisi yok

    ASLI AYKAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2011

    İşletmeGeorg Sımon Ohm Management Instıtute, Nuremberg

    İşletme Yönetimi Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. WERNER FEES

  4. Tez No

    582351

    On ordinary objects

    Sıradan objeler üzerine

    GÖKSU DAYAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    FelsefeBoğaziçi Üniversitesi

    YRD. DOÇ. DR. NURBAY IRMAK

  5. Tez No

    39758

    Anyon kuantum mekaniği chern simons modeli

    Anton quantun mechanics and chern simons model

    İSKENDER HANCI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. MAHMUT Ö. HORTAÇSU

Geri Dön