Geri Dön

SOI-SIMOX taban üzerinde CMOS tümdevre üretim süreci tasarımı ve gerçeklenmesi

Implementation of SOI CMOS process

  1. Tez No: 84961
  2. Yazar: AZİZ ULVİ ÇALIŞKAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ATİLLA ATAMAN
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: VLSI, CMOS, SOI, Düşük Güç, Düşük Gerilim, VLSI, CMOS, SOI, Low Power, Low Voltage VI
  7. Yıl: 1999
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 102

Özet

ÖZET Daha hızlı ve daha yüksek tümleştirme yoğunluğuna sahip MOS tümdevreler üretebilmek amacıyla daha küçük hat genişliğine sahip tranzistor üretme çalışmaları sürdürülmektedir. Fakat bu durum tümdevrelerin güç tüketimimde yükseltecektir. Güç tüketiminin düşürülmesi üzerinde önemle durulması gereken bir konudur. Düşük güç, düşük gerilim uygulamaları için SOI (Oksit Yalıtımlı Silisyum) teknolojisi ümit verici bir çözüm olarak gözükmektedir. SOI teknolojisinin getirdiği değişiklik devrenin toplam parazitik kapasitesini azaltmaktır. Bu çalışma çerçevesinde oyuk kanallı SOI CMOS tümdevre üretim süreci geliştirilmiştir. Geliştirilen bu süreç mikron-altı NMOS ve PMOS tranzistorlar ile ring osilatörler içeren bir test tümdevrenin üretimine uygulanmıştır. Üretim akışının kanal inceltme sürecinde büyütülen oksitin kalınlığı değiştirilerek, silisyum film kalınlıkları 73nm ve 46nm olan iki farklı tür SOI MOS tranzistor tipi üretilmiştir. Silisyum film kalınlığı 46nm olan SOI NMOS tranzistorun eğiminin aynı süreçle üretilen standart taban NMOS tranzistorun eğimine göre kanal boylan kısaldıkça küçük kaldığı gözlenmiştir. Eğimdeki bu bozulmanın nedeni kanal inceltme aşamasında oluşan gerilmelerden kaynaklandığı düşünülmektedir. SOI CMOS test tümdevresinde bulunan 99 evirici kattan oluşan ring osilatörü 250 °C ortam sıcaklığında ve IV gibi düşük besleme geriliminde test edildi ve sonuçları verildi.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT In order to realize higher-speed and higher-packing density MOS integrated circuits, dimensions of transistors have continued to shrink. However the power consumption of modem VLSI' s has become large as a result of higher speed and higher packing density and reducing the power is strongly desired. For this purpose, Silicon-On-Insulator (SOI) technology has been proposed as a potential candidate for low power and low voltage application in modern VLSI circuits due to reduced parasitic capacitance. In this study, a recessed-channel (RC) SOI CMOS technology has been developed and applied to produce a test chip including sub-micron NMOS and PMOS transistors, ring oscillators. Thin-film fully depleted RCSOI MOSFET's with channel film thickness of 73nm and 46nm have been fabricated by the recess oxide variation. We presented experimental data on the degradation of the transconductance in the fully depleted RCSOI transistors with channel lengths ranging from 27um to 0.75 urn. It has been shown that decreasing the length of recessed area increases the degradation of the transconductance for 46nm silicon film thickness. Degradation of transconductance of RCSOI NMOS transistors was calculated with respect to the RC bulk silicon NMOS transistors which processed simultaneously together with SOI wafers. Degradation attributed to oxidation induced stress at the recessed channel region occurred during recess oxide formation. SOI CMOS inverter type with 99 stage ring oscillator were tested up to 250 °C ambient temperature and down to 1 V and results are also given.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    237660

    Artvin-Murgul yalancı akasya (Robinia pseudoacacia) ağaçlandırma sahasında ve bitişiğindeki çayırlık alanda toprak solunumunun belirlenmesi

    Soi respiration in black locust (Robinia pseudoacacia) plantations and its adjacent grassland in Murgul - Artvin area

    SERKAN GÜLENAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Ormancılık ve Orman MühendisliğiArtvin Çoruh Üniversitesi

    Orman Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AYDIN TÜFEKÇİOĞLU

  2. Tez No

    527169

    Design of a radiation hardened PWM controller built on SOI

    SOI tabanlı radyasyona dayanıklı PWM denetleyici tasarımı

    EMRECAN KILIÇ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HALUK KÜLAH

  3. Tez No

    141311

    Etro soı-meme chez Heidegger

    Heidegger'de kendi olma problemi

    AYŞE NİLÜFER ZENGİN

    Yüksek Lisans

    Fransızca

    Fransızca

    2003

    FelsefeGalatasaray Üniversitesi

    Felsefe Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ZEYNEP DİREK AKAY

  4. Tez No

    536264

    Differential K-band vector modulator ic design at 180 NM CMOS SOI process

    180 NM CMOS SOI prosesinde farksal K-band vektör modülatör entegre devre tasarımı

    ÖMER FEVZİ GÜNGÖR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HATİCE ÖZLEM AYDIN ÇİVİ

    DR. FATİH KOÇER

  5. Tez No

    676267

    Dalga kılavuzu entegreli grafen – SOI tabanlı fotodiyot üretimi ve karakterizasyonu

    The fabrication and characterization of waveguide integrated graphene - SOI based photodiode

    ELANUR SEVEN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Mühendislik BilimleriAtatürk Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET ERTUĞRUL

    PROF. DR. ELİF ORHAN

Geri Dön