Metal-yalıtkan-metal yapısındaki metal oksit tabanlı memristif yapıların direnç -anahtarlama özelliklerinin aydınlatılması
Investigation of the resistive switching properties of metal oxide based memristive structures in metal-insulator-metal structure
- Tez No: 868644
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SİNAN KAZAN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gebze Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 132
Özet
Bu tez çalışmasında iki metal elektrot arasında tek ve iki metal oksit katmanın olduğu, ince film yığın yapıdan oluşan tek hücreli memristör cihazların üretimi gerçekleştirilerek direnç-anahtarlama davranışları ayrıntılı bir şekilde incelendi. PLD (Pulsed Laser Deposition) ve Magnetron Sputter ince film üretim tekniği kullanılarak, önce farklı kalınlıktaki VOx metal oksit katmanlardan meydana gelen tek oksit katmanlı memristör cihazlar üretildi ve oksit katmanın kalınlığının fonksiyonuna göre direnç-anahtarlama davranışları incelendi. Ayrıca VOx/TiOy formundaki iki katmanlı metal oksit yapıdan oluşan memristör cihaz üretimi gerçekleştirilerek direnç-anahtarlama özellikleri araştırıldı. Başarılı bir cihaz üretimi için önceden cihaz üretiminde kullanılacak VOx ve TiOy oksit katmanların üretimi gerçekleştirilip onların yapısal özellikleri ayrıntılı bir şekilde XRD (X-ışını Kırınımı), XRR (X-ışını Yansıtıcılığı) ve XPS (X-ışını Fotoelektron Spektroskopisi) teknikleri ile karakterize edildi. Yapısal karakterizasyonlar ayrıca Raman Spektroskopisi, FTIR (Fourier Dönüşümlü Kızılötesi ) Spektroskopisi ve PL (Fotolüminesans) Spektroskopisi yöntemleriyle de incelenerek yapıların geniş kapsamlı yapısal özellikleri araştırıldı. Daha sonra metal oksit tabanlı memristör cihazların üretimi gerçekleştirilerek dirençanahtarlama özellikleri DC ve AC elektriksel karakterizasyon teknikleri ile ayrıntılı bir şekilde incelendi. Üretilen cihazların direnç-anahtarlama davranışları memristif ve sinaptik davranışlar temelinde de kapsamlı olarak aydınlatıldı
Özet (Çeviri)
In this thesis study, single-cell memristor devices consisting of a thin-film stack structure with a single or two metal oxide layers between two metal electrodes were produced and their resistance-switching behaviors were examined in detail. Using PLD (Pulsed Laser Deposition) and Magnetron Sputter thin film production techniques, single oxide layer memristor devices consisting of VOx metal oxide layers of different thicknesses were first produced and their resistance-switching behaviors were examined according to the function of the thickness of the oxide layer. Additionally, a memristor device consisting of a two-layer metal oxide structure in VOx/TiOy was produced and its resistance-switching properties were investigated. To satisfy a successful device fabrication, the VOx and TiOy oxide layers to be used in device production were previously produced and their structural properties were characterized in detail by XRD (X-ray Diffraction), XRR (X-ray Reflectivity) and XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) techniques. Structural characterizations were also examined using Raman Spectroscopy, FTIR (Fourier Transform Infrared) Spectroscopy, and PL (Photoluminescence) Spectroscopy methods to investigate the comprehensive structural properties of the structures. Then, metal oxide-based memristor devices were produced and their resistance-switching properties were examined in detail using DC and AC electrical characterization techniques. The resistance-switching behaviors of the produced devices were also comprehensively elucidated based on memristive and synaptic behaviors.
Benzer Tezler
- Electrospun polyacrylonitrile based composite nanofibers containing polyindole and graphene oxide
Poliindol ve grafen oksit içeren poliakrilonitril tabanlı kompozit nanofiberler
İLKNUR BOZKAYA GERGİN
Doktora
İngilizce
2023
Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik ÜniversitesiPolimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDÜLKADİR SEZAİ SARAÇ
- Mikro ark oksidasyon işlemi uygulanmış ZA-8 alaşımının yüzey özelliklerinin incelenmesi
Investigation of surface properties of micro arc oxidized ZA-8 alloy
BERKAN ÇAMLIBEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MURAT BAYDOĞAN
- Investigation of gamma irradiation response of Y2O3 metal-oxide-semiconductor capacitors
Y2O3 metal-oksit-yarıiletkenler kapasitörlerinin gamma radyasyonu cevaplarının incelenmesi
SALEH ABUBAKAR
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Bilim ve TeknolojiAbant İzzet Baysal ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ERCAN YILMAZ
- P-galyum arsenür (GaAs)/anodik izolasyon filmlerin arayüzey özelliklerinin incelenmesi
Investigation of interface properties in p-gallium arsenide (GaAs)/anodic insulator films
HAYRETTİN YÜZER
- Vanadyum oksitte eşik anahtarlama olayı ve hafıza seçme aygıt için uygulama potansiyeli
Threshold switching phenomenon in vanadium oxide and its potential application as a memory select device
MORTEZA VAFADAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HASAN EFEOĞLU