Ag perilen diimit / nGaAs/In schottky diyotlarda frekansa bağlı kapasitans-iletkenlik-gerilim karakteristiklerinin araştırılması
Investigation of frequency-dependent capacitance-conductance-voltage properties of Ag/perylene diimide/n-GaAs/In schottky diodes
- Tez No: 883055
- Danışmanlar: PROF. DR. NİHAT TUĞLUOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Enerji, Energy
- Anahtar Kelimeler: PDI organik malzeme, Schottky diyot, Kapasite-frekans, PDI organic material, Schottky diode, Capacitance-frequency, Conductance-frequency, Series resistance
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Giresun Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 43
Özet
Bu tez çalışmasında, tellür katkılı n-tipi GaAs kristali, 2 inç çapında [100] doğrultusunda büyütülmüş, 500 μm kalınlığında, 1-20 Ω-cm özdirencinde seçilmiştir. n-GaAs kristali üzerinde döndürme ile kaplama metodu ile perilen diimit (PDI) organik malzemesi ince film halinde büyütüldü. Isısal buharlaştırma metodu ile omik ve doğrultucu kontaklar sırasıyla indiyum (In) ve gümüş (Ag) metal kullanarak oluşturuldu. Ag/PDI/n-GaAs/In Schottky diyotu üretildi. Elektriksel parametreleri belirlemek için kapasite-iletkenlik-frekans (𝐶 − 𝐺 − 𝑓) ölçümleri 0V-1V voltaj aralığında ve 1 kHz-1MHz frekans aralığında alındı. Frekansa bağlı arayüzey durum yoğunluğu, durulma zamanı ve seri direnç değerler hesaplandı.
Özet (Çeviri)
In this thesis study, tellurium doped n-type GaAs crystal was selected with a diameter of 2 inches, grown in the [100] direction, 500 μm thick, and a resistivity of 1-20 Ωcm. Perylene diimide (PDI) organic material was grown as a thin film on n-GaAs crystal by spin coating method. By the thermal evaporation method, ohmic and rectifying contacts were created using indium (In) and silver (Ag) metal, respectively. Ag/PDI/n-GaAs/In Schottky diode was fabricated. To determine electrical parameters, capacitance-conductivity-frequency (𝐶 − 𝐺 − 𝑓) measurements were taken in the 0V1V voltage range and 1 kHz-1MHz frequency range. Frequency-dependent interface state density, relaxation time and series resistance values were calculated.
Benzer Tezler
- Perilen monoimit organik arayüzeyli Ag/n-GaAs schottky diyotlarda frekansa bağlı kapasitans-kondüktans-gerilim karakteristiklerinin araştırılması
Vestigation of frequency-dependent capacitance-conductance-voltage characteristics of Ag/n-GaAs schottky diodes with perylene monoimide organic interface
AHMET EFE AYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
EnerjiGiresun ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİHAT TUĞLUOĞLU
- MEMS based electrochemical dna sensor to detect methicillin resistant Staphylococcus aureus and vancomycin resistant enterococcus species
Metisilin dirençli Staphylococcus aureus ve vankomisin dirençli enterococcus suşlarının tanısı için MEMS tabanlı elektrokimyasal sensör
HATİCE CEYLAN KOYDEMİR
Doktora
İngilizce
2013
BiyoteknolojiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CANAN ÖZGEN
DOÇ. DR. HALUK KÜLAH
- Identification through heteroscedasticity within the network connectedness framework: The Systemic Five stock markets
Ağ bağlanmışlık çerçevesinde ayrı varyans kullanımı ile belirleme: Sistemik Beşli hisse senedi piyasaları
ERHAN ULUCEVİZ
Doktora
İngilizce
2015
Ekonometriİstanbul Bilgi Üniversitesiİktisat Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HARALD WERNER SCHMIDBAUER
- Robust optimization models for network revenue management
Ağ gelir yönetimi için sağlamcı optimizasyon modelleri
İREM BAHTİYAR
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Endüstri ve Endüstri Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiEndüstri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA ÇELEBİ PINAR
- Ag@NP bağlı amino asitlerle modifiye edilmiş heparin türevlerinin sentezi ve farklı hücre hatlarındaki sitotoksik etkilerinin araştırılması
Synthesis of heparin derivatives modified with Ag@NP linked amino acids and investigation of their cytotoxic effects on various cell lines
MUHAMMET TURGUT