Geri Dön

InSe yarıiletken ince filmlerin cam ve siyah silikon üzerine büyütülerek yapısal ve optiksel özelliklerinin incelenmesi

Growth of inse thin film semiconductor on glass and black silicon substrates investigation of their structural and optical properties

  1. Tez No: 884597
  2. Yazar: CANSU EMİR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SEMA BİLGE OCAK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2024
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 107

Özet

Bu tez, cam ve siyah silikon substratlar üzerine InSe ince film yarıiletkenlerinin büyümesini, yapısal ile optik özelliklerini incelemektedir. İnce film yarıiletkenler, fotovoltaik cihazlar, sensörler ve optoelektronik gibi bir dizi gelişmiş teknolojinin önemli bileşenleridir. Bu tez çalışmasında kullanılan siyah silikon substratlar, metal destekli kimyasal aşındırma yöntemi ile elde edilmiştir. Süre kontrollü yapılan bu üretim sayesinde farklı morfolojilere sahip siyah silikonlar elde edilmiştir. Termal buharlaştırma yöntemi kullanarak, cam ve üretilen siyah silikon substratlar üzerine InSe ince film yarıiletkenleri büyütülmüştür. Cam, şeffaflığı ve biriktirme yöntemi ile uyumluluğu nedeniyle ince film büyümesi için çok yönlü ve düşük maliyetli bir platform sağlar. Yüksek yüzey alanına ve benzersiz nanoyapı yüzeyine sahip siyah silikon, ışık tuzağı yeteneklerini ve elektronik özelliklerini geliştirir, bu da onu yüksek verimlilik uygulamaları için cazip bir seçenek haline getirir. Çalışma, büyütülen InSe ince filmlerin yapısal ve optik özelliklerinin kapsamlı bir analizini içerir. Filmlerin yapısal özelliklerini incelemek için X-ışını kırınımı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM), enerji dağılımlı spektrometre (EDX) ve DEKTAK profilometresi gibi teknikler kullanılmıştır. Optik özelliklerini incelemek için UV-Vis spektroskopisi ölçümleri gerçekleştirilmiştir. Bulgular, belirli uygulamalar için arzu edilen özellikleri elde etmek adına siyah silikon büyüme sürecini optimize etme konusunda literatüre önemli katkılar sunmaktadır. Biriktirme koşulları, malzeme özellikleri ve cihaz performansı arasındaki ilişkileri anlayarak, bu araştırma yeni nesil elektronik ve optoelektronik cihazların geliştirilmesine katkıda bulunmaktadır. Sonuç olarak, bu tez, cam ve siyah silikon substratlar üzerine ince film yarıiletkenlerinin büyümesi ve karakterizasyonu hakkında değerli bilgiler sunar. Bulgular, çeşitli teknolojik alanlarda yüksek performanslı malzemelerin tasarımında ve optimizasyonunda önemli sonuçlar taşımaktadır.

Özet (Çeviri)

This thesis examines the growth and structural and optical properties of InSe thin-film semiconductors on glass and black silicon substrates. Thin-film semiconductors are crucial components of advanced technologies such as photovoltaic devices, sensors, and optoelectronics. The black silicon substrates used in this thesis study were obtained by the metal-assisted chemical etching method. Different morphologies of black silicon were achieved through this controlled production. InSe thin-film semiconductors were grown on glass and produced black silicon substrates using the thermal evaporation method. Glass is a versatile and low-cost platform for thin-film growth due to its transparency and compatibility with the deposition method. Black silicon, with its high surface area and unique nanostructured surface, enhances light-trapping capabilities and electronic properties, making it an attractive option for high-efficiency applications. The study includes a comprehensive analysis of the structural and optical properties of the grown InSe thin films. Techniques such as X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), energy-dispersive spectroscopy (EDX), and DEKTAK profilometry were used to examine the structural properties of the films. UV-Vis spectroscopy measurements were performed to study their optical properties. The findings make significant contributions to the literature on optimizing the black silicon growth process to achieve desired properties for specific applications. By understanding the relationships between deposition conditions, material properties, and device performance, this research contributes to the development of next-generation electronic and optoelectronic devices. In conclusion, this thesis provides valuable insights into the growth and characterization of thin-film semiconductors on glass and black silicon substrates. The findings have important implications for the design and optimization of high-performance materials in various technological fields.

Benzer Tezler

  1. ITO cam üzerine büyütülen InSe/rubrene, CIS/rubrene, CIGS/rubrene, InSe/coronene, CIS/coronene, CIGS/coronene heteroeklemlerin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin belirlenmesi

    Determination of the structural, optical and electrical characteristics of InSe/rubrene, CIS/rubrene, CIGS/rubrene, InSe/coronene, CIS/coronene, CIGS/coronene heterojoints growth on ITO glass

    FATİH ÜNAL

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİnönü Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TEKİN İZGİ

    PROF. DR. BEHZAD BARIŞ

  2. Elektrokimyasal depozisyon yöntemiyle üretilen ın: CdSe ince filmlerinin yapısal, elektriksel ve optik özelliklerine Se konsantrasyonun etkisinin incelenmesi

    The investigation of effect of Se concentration on the structural, electrical and optical properties of in: CdSe thin films produced by electrochemical deposition method

    GÜRKAN DEĞDAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBursa Uludağ Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET PEKSÖZ

  3. CDS incefilmlerinin farklı alt tabanlar üzerinde CBD yöntemiyle büyütülmesi ve yapısal, optik, fotoelektik özelliklerinin araştırılması

    The investigation of structural, optical and optoelectronical properties of CDS thin films which are deposited on different substrates by CBD method

    GÖKHAN BARİKAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKafkas Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEVLÜT KARABULUT

  4. InSe, InTe ve InTe: Er yarıiletken ince filmlerin doğrusal olmayan optik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of nonlinear optical properties of InSe, InTe ve InTe: Er semiconductors

    ECRİN AVCI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AHMET KARATAY

  5. In0.15Ga0.85Se tek kristalinin ve amorf yapıdaki ince filmlerinin doğrusal olmayan optik özellikleri

    Nonlinear optical properties of In0.15Ga0.85Se single crystal and its amorphous thin films

    AHMET KARATAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYHAN ELMALI