ITO cam üzerine büyütülen InSe/rubrene, CIS/rubrene, CIGS/rubrene, InSe/coronene, CIS/coronene, CIGS/coronene heteroeklemlerin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin belirlenmesi
Determination of the structural, optical and electrical characteristics of InSe/rubrene, CIS/rubrene, CIGS/rubrene, InSe/coronene, CIS/coronene, CIGS/coronene heterojoints growth on ITO glass
- Tez No: 657718
- Danışmanlar: PROF. DR. TEKİN İZGİ, PROF. DR. BEHZAD BARIŞ
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2021
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İnönü Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada InSe, CIS ve CIGS ince filmleri elektrokimyasal kaplama yöntemi ile cam/ITO alt tabanı üzerine kaplandı. Elde edilen filmler iki gruba ayırıldı ve bir grubu tavlandı. Hem tavlanmamış hem de tavlanmış filmlerin yapısal, yüzeysel ve optiksel özellikleri ayrı ayrı incelendi. Daha sonra tavlanmış ve tavlanmamış cam/ITO/InSe, cam/ITO/CIS, cam/ITO/CIGS ince filmlerinin üzerine ayrı ayrı rubrene (C42H28) ve coronene (C24H12) organik yarıiletken bileşikleri PVD yöntemi ile kaplandı. Elde edilen heteroeklemlerin yapısal, yüzeysel ve optiksel özellikleri ve bu heteroeklemlere In (indiyum) kontaklar alarak karanlık ve ışıklı ortamlarda elektriksel özellikleri incelendi. XRD analizinden cam/ITO/InSe ince filminin InSe ve In2O3 fazlarını tavlandıktan sonra InSe, In6Se7 ve In2(SeO4)3 fazlarını içerdiği, cam/ITO/CIS ince filminin CuInSe2, (Cu2Se)x(In2Se3)1-x, In2Se3, CuSe ve InSe fazlarını tavlandıktan sonra Cu0,28In1,72Se2,72, In2O3, (Cu2Se3)x(In2Se3)1-x, CuO, CuSe fazlarını içerdiği, cam/ITO/CIGS ince filminin CuGa2O14Se4, CuGa0,6In2,4Se5, In2O3, CuIn3Se5, In4Se3, CuGa2O4, CuO fazlarını tavlandıktan sonra CuGa0,6In0,4Se2, CuGa0,6In2,4Se5, InSe, In6Se7 fazlarını içerdiği gözlendi. Filmlerin yüzey morfolojileri AFM, SEM ve EDS ile ayrı ayrı incelendi. UV-Vis analizinden ince filmlerin yasak enerji aralıkları ve 400 ve 700 nm de geçirgenliklik değerleri belirlendi. Karanlık ve ışıklı ortamlarda gerçekleştirilen I-V karakterizasyonunda heteroeklemlerin tamamının ışığa duyarlı olduğu ve bazı filmlerin doğrultucu karakteristik gösterdiği gözlemlendi.
Özet (Çeviri)
In this study, we coated InSe CIS and CIGS thin films on the glass/ITO substrate by electrochemical coating method. We divided the thin films obtained into two groups and annealed one groups. We separately examined the stuctural, surface and optical properties of both non-annealed and annealed thin films. Later we separately coated rubrene and coronene organic semiconductor compounds on the annealed and non-annealed glass/ITO/InSe, glass/ITO/CIS and glass/ITO/CIGS thin films by PVD method. We investigated the structural, surface and optical properties of the heterojoints obtained and the electrical properties in dark and light environments by taking In (indiyum) contacts to these heterojoints. From the XRD analysis, it was seen that InSe thin film contains InSe and In2O3 phases, annealed InSe thin film contains InSe, In6Se7 ve In2(SeO4)3 phases, CIS thin film contains CuInSe2, (Cu2Se)x(In2Se3)1-x, In2Se3, CuSe and InSe, annealed CIS thin film contains Cu0,28In1,72Se2,72, In2O3, (Cu2Se3)x(In2Se3)1-x, CuO and CuSe phases, CIGS thin film contains CuGa2O14Se4, CuGa0,6In2,4Se5, In2O3, CuIn3Se5, In4Se3, CuGa2O4 and CuO phases, annealed CIGS thin film CuGa0,6In0,4Se2, CuGa0,6In2,4Se5, InSe, In6Se7. Surface morphology of films were examined with AFM, SEM and EDS. From the UV-Vis analysis, the band gap values and transmitance values at 400 nm-700 nm of thin films were determined. In I-V characterization performed in dark and light environments, it was observed that all of the heterojoints were light sensitive and some films showed rectifier characteristics.
Benzer Tezler
- InSe ince filmlerinin farklı alt tabanlar üzerinde büyütülmesi ve optik, yapısal, fotoelektrik özelliklerinin araştırılması
Growth of InSe thin films on different substrates and investigation of optical, structural, photoelectrical properties
FATİH ÜNAL
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiKafkas ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HASAN MAMMADOV
- Kurşun sülfür (PbS) ince filmlerinin farklı tabanlar üzerinde büyütülmesi ve özelliklerinin araştırılması
The investigation of properties of lead sülfide (PbS) thin films deposited on different substrute
ADEM AKKUŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiKafkas ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HASAN MAMMADOV
- CDS incefilmlerinin farklı alt tabanlar üzerinde CBD yöntemiyle büyütülmesi ve yapısal, optik, fotoelektik özelliklerinin araştırılması
The investigation of structural, optical and optoelectronical properties of CDS thin films which are deposited on different substrates by CBD method
GÖKHAN BARİKAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiKafkas ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEVLÜT KARABULUT
- a-SiOx:H ve kristal silisyumdan (c-Si) oluşan a-SiOx:H/c-Si heteroeklem güneş pillerinin fabrikasyonunu ve karakterizasyonu
The characterisation and fabrication of a-SiOx:H/c-Si heterojunction solar cells
OKAN YILMAZ
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ORHAN ÖZDEMİR
DOÇ. DR. ALP OSMAN KODOLBAŞ
- Güneş pillerinin cigs soğurucu tabakasının radyasyon karşısındaki davranışı
Behavior of cigs absorber layer of solar cells against to radiation
UTKU CANCİ MATUR
Doktora
Türkçe
2017
Nükleer Mühendislikİstanbul Teknik ÜniversitesiEnerji Bilimi ve Teknolojileri Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN