ITO cam üzerine büyütülen InSe/rubrene, CIS/rubrene, CIGS/rubrene, InSe/coronene, CIS/coronene, CIGS/coronene heteroeklemlerin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin belirlenmesi
Determination of the structural, optical and electrical characteristics of InSe/rubrene, CIS/rubrene, CIGS/rubrene, InSe/coronene, CIS/coronene, CIGS/coronene heterojoints growth on ITO glass
- Tez No: 657718
- Danışmanlar: PROF. DR. TEKİN İZGİ, PROF. DR. BEHZAD BARIŞ
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2021
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İnönü Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 215
Özet
Bu çalışmada InSe, CIS ve CIGS ince filmleri elektrokimyasal kaplama yöntemi ile cam/ITO alt tabanı üzerine kaplandı. Elde edilen filmler iki gruba ayırıldı ve bir grubu tavlandı. Hem tavlanmamış hem de tavlanmış filmlerin yapısal, yüzeysel ve optiksel özellikleri ayrı ayrı incelendi. Daha sonra tavlanmış ve tavlanmamış cam/ITO/InSe, cam/ITO/CIS, cam/ITO/CIGS ince filmlerinin üzerine ayrı ayrı rubrene (C42H28) ve coronene (C24H12) organik yarıiletken bileşikleri PVD yöntemi ile kaplandı. Elde edilen heteroeklemlerin yapısal, yüzeysel ve optiksel özellikleri ve bu heteroeklemlere In (indiyum) kontaklar alarak karanlık ve ışıklı ortamlarda elektriksel özellikleri incelendi. XRD analizinden cam/ITO/InSe ince filminin InSe ve In2O3 fazlarını tavlandıktan sonra InSe, In6Se7 ve In2(SeO4)3 fazlarını içerdiği, cam/ITO/CIS ince filminin CuInSe2, (Cu2Se)x(In2Se3)1-x, In2Se3, CuSe ve InSe fazlarını tavlandıktan sonra Cu0,28In1,72Se2,72, In2O3, (Cu2Se3)x(In2Se3)1-x, CuO, CuSe fazlarını içerdiği, cam/ITO/CIGS ince filminin CuGa2O14Se4, CuGa0,6In2,4Se5, In2O3, CuIn3Se5, In4Se3, CuGa2O4, CuO fazlarını tavlandıktan sonra CuGa0,6In0,4Se2, CuGa0,6In2,4Se5, InSe, In6Se7 fazlarını içerdiği gözlendi. Filmlerin yüzey morfolojileri AFM, SEM ve EDS ile ayrı ayrı incelendi. UV-Vis analizinden ince filmlerin yasak enerji aralıkları ve 400 ve 700 nm de geçirgenliklik değerleri belirlendi. Karanlık ve ışıklı ortamlarda gerçekleştirilen I-V karakterizasyonunda heteroeklemlerin tamamının ışığa duyarlı olduğu ve bazı filmlerin doğrultucu karakteristik gösterdiği gözlemlendi.
Özet (Çeviri)
In this study, we coated InSe CIS and CIGS thin films on the glass/ITO substrate by electrochemical coating method. We divided the thin films obtained into two groups and annealed one groups. We separately examined the stuctural, surface and optical properties of both non-annealed and annealed thin films. Later we separately coated rubrene and coronene organic semiconductor compounds on the annealed and non-annealed glass/ITO/InSe, glass/ITO/CIS and glass/ITO/CIGS thin films by PVD method. We investigated the structural, surface and optical properties of the heterojoints obtained and the electrical properties in dark and light environments by taking In (indiyum) contacts to these heterojoints. From the XRD analysis, it was seen that InSe thin film contains InSe and In2O3 phases, annealed InSe thin film contains InSe, In6Se7 ve In2(SeO4)3 phases, CIS thin film contains CuInSe2, (Cu2Se)x(In2Se3)1-x, In2Se3, CuSe and InSe, annealed CIS thin film contains Cu0,28In1,72Se2,72, In2O3, (Cu2Se3)x(In2Se3)1-x, CuO and CuSe phases, CIGS thin film contains CuGa2O14Se4, CuGa0,6In2,4Se5, In2O3, CuIn3Se5, In4Se3, CuGa2O4 and CuO phases, annealed CIGS thin film CuGa0,6In0,4Se2, CuGa0,6In2,4Se5, InSe, In6Se7. Surface morphology of films were examined with AFM, SEM and EDS. From the UV-Vis analysis, the band gap values and transmitance values at 400 nm-700 nm of thin films were determined. In I-V characterization performed in dark and light environments, it was observed that all of the heterojoints were light sensitive and some films showed rectifier characteristics.
Benzer Tezler
- Elektrokimyasal büyütme tekniği ile fe2o3 ince filmlerin elde edilmesi ve tavlamaya bağlı değişiminin incelenmesi
The investigation of change depent on annealing and obtaining of fe2o3 thin films by electrochemical deposition technique
AYŞENUR DEMİRCİOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ KÜBRA ÇINAR DEMİR
- PED yöntemi ile üretilen seryum dioksit ince filmlerin incelenmesi ve erbiyum katkısının etkileri
Investigation of cerium dioxide films grown by pulsed electron beam deposition and effects of erbium doping
FATMA PINAR GÖKDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU
- Yüksek dielektrik sabitli yalıtkan filmlerin üretilmesi ve mos yapıda incelenmesi
Fabrication and characterization of high-k dielectric films in mos structure
AYŞE EVRİM SAATCİ
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU
- Spin kaplama yöntemi ile büyütülen ZnO/Cu2O tabanlı aygıtların üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterization of ZnO/Cu2O based devices growing with spin coating method
MEHMET SELİM ASLAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HAMİDE KAVAK
- SnS tabanlı heteroeklem yapıların hazırlanması, güneş hücresi ve fotosensör özelliklerinin incelenmesi
Preparation of SnS based heterojunction structures, investigation of solar cell and photosensor properties
HAMİT ÖZTÜRK
Doktora
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiHarran ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FERHAT ASLAN