Geri Dön

Au/SiO2/n-tipi Si yapıların ışık şiddetine bağlı olarak elektriksel ve fotovoltaik özelliklerinin incelenmesi

Investigation of electrical and photovoltaic properties of Au/SiO2/n-type Si structures depending on light intensity.

  1. Tez No: 900811
  2. Yazar: AYKUT AK
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Metalurji Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering, Physics and Physics Engineering, Metallurgical Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2023
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 60

Özet

Bu tez çalışmasında Silisyum dioksit (SiO2) arayüzey tabakalı metal (Au)-yarıiletken (Si) (Au/n-tipi Si) yapıların ışık şiddetine bağlı elektriksel ve fotovoltaik özellikleri incelenecektir. Metal yarıiletken yapılar arasında bir tabakanın varlığı bu yapının elektriksel ve fotovoltaik özelliğini nasıl etkilediği detaylı olarak araştırılacaktır. n tipi yarıiletken silisyum (Si) ve altın (Au) kontak arasında Silisyum dioksit (SiO2) ince film tabakası buharlaştırılarak farklı ışık şiddetleri altında akım-voltaj (I-V) ve kapasitans voltaj (C-V) verilerinden Au/SiO2/n-tip Si yapının elektriksel ve fotovoltaik özelliklerinin temel parametreleri olan idealite faktörleri, doyma akım yoğunlukları, engel yükseklikleri açma kapama voltajları, doğrultma oranları ve ayrıca foto-diyot özellikleri elde edilerek teknolojik olarak yapının kullanım amaçları incelenecektir. Çünkü elektronik sanayisinde yarıiletken teknolojisinin gelişimi ve uygulama alanları gittikçe önem kazanmaktadır. Dolayısıyla, çok kaliteli ve yüksek performanslı ve kullanım süresince kararlı yeni elektronik yapıların elde edilmesi ve devre elemanlarında kullanılabilirliğinin araştırılması ve geliştirilmesi elektronik sanayisinde oldukça önemlidir.

Özet (Çeviri)

In this thesis, the electrical and photovoltaic properties of silicon dioxide (SiO2) interfacial layered metal (Au)-semiconductor (Si) (Au/n-type Si) structures will be examined. How the presence of a layer between metal semiconductor structures affects the electrical and photovoltaic properties of this structure will be investigated in detail. Silicon dioxide (SiO2) thin film layer was evaporated between the n-type semiconductor silicon (Si) and gold (Au) contacts, and the electrical voltage of the Au/SiO2/n-type Si structure was obtained from the current-voltage (I-V) and capacitance voltage (C-V) data under different light intensities. The ideality factors, saturation current densities, barrier heights, on-off voltages, rectification ratios, as well as photo-diode properties, which are the basic parameters of photovoltaic and photovoltaic properties, will be obtained and the use of the building will be examined technologically. Because the development and application areas of semiconductor technology in the electronics industry are becoming increasingly important. Therefore, it is very important in the electronics industry to obtain new electronic structures with high quality and high performance and stable during use, and to research and develop their usability in circuit elements.

Benzer Tezler

  1. Metal-organik-yarı iletken yapıların arayüzey özelliklerinin belirlenmesi

    Investigation of interface properties of metal-organic semiconductor structures

    ARDEN ERKOL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ

  2. VLS tekniği ile In2O3 nanoyapıların üretilmesi ve karakterizasyonu

    Production and characterization of In2O3 nanostructures using VLS technique

    FATMA NUR TUZLUCA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET ERTUĞRUL

  3. Kendiliğinden biriken tek tabaka (SAM) tekniğinin organik alan etkili transistörlerin performansı üzerine etkisi

    The effect of self assembled monolayer (SAM) technique on the performance of organic field effect transistors

    TUĞBAHAN YILMAZ ALIÇ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MAHMUT KUŞ

  4. Synthesis and nitrogen doping of graphene by chemical vapor deposition

    Kimyasal buhar biriktirme ile grafenin sentezlenmesi ve azot ile katkılanması

    ALPER YANILMAZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CEM ÇELEBİ

    YRD. DOÇ. DR. UMUT ADEM

  5. İznik-Mecidiye (Bursa) bölgesinde eosen volkanitlerindekikuvars damarlarına bağlı gelişen cevherleşme potansiyelinin belirlenmesi

    Determinatin of the mineralization potential of quartz veins in eosen volcanics of the Iznik-Mecidiye (Bursa) region

    FATMA KALELİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Jeoloji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Jeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA KUMRAL