Au/SiO2/n-tipi Si yapıların ışık şiddetine bağlı olarak elektriksel ve fotovoltaik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrical and photovoltaic properties of Au/SiO2/n-type Si structures depending on light intensity.
- Tez No: 900811
- Danışmanlar: PROF. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Metalurji Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering, Physics and Physics Engineering, Metallurgical Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2023
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 60
Özet
Bu tez çalışmasında Silisyum dioksit (SiO2) arayüzey tabakalı metal (Au)-yarıiletken (Si) (Au/n-tipi Si) yapıların ışık şiddetine bağlı elektriksel ve fotovoltaik özellikleri incelenecektir. Metal yarıiletken yapılar arasında bir tabakanın varlığı bu yapının elektriksel ve fotovoltaik özelliğini nasıl etkilediği detaylı olarak araştırılacaktır. n tipi yarıiletken silisyum (Si) ve altın (Au) kontak arasında Silisyum dioksit (SiO2) ince film tabakası buharlaştırılarak farklı ışık şiddetleri altında akım-voltaj (I-V) ve kapasitans voltaj (C-V) verilerinden Au/SiO2/n-tip Si yapının elektriksel ve fotovoltaik özelliklerinin temel parametreleri olan idealite faktörleri, doyma akım yoğunlukları, engel yükseklikleri açma kapama voltajları, doğrultma oranları ve ayrıca foto-diyot özellikleri elde edilerek teknolojik olarak yapının kullanım amaçları incelenecektir. Çünkü elektronik sanayisinde yarıiletken teknolojisinin gelişimi ve uygulama alanları gittikçe önem kazanmaktadır. Dolayısıyla, çok kaliteli ve yüksek performanslı ve kullanım süresince kararlı yeni elektronik yapıların elde edilmesi ve devre elemanlarında kullanılabilirliğinin araştırılması ve geliştirilmesi elektronik sanayisinde oldukça önemlidir.
Özet (Çeviri)
In this thesis, the electrical and photovoltaic properties of silicon dioxide (SiO2) interfacial layered metal (Au)-semiconductor (Si) (Au/n-type Si) structures will be examined. How the presence of a layer between metal semiconductor structures affects the electrical and photovoltaic properties of this structure will be investigated in detail. Silicon dioxide (SiO2) thin film layer was evaporated between the n-type semiconductor silicon (Si) and gold (Au) contacts, and the electrical voltage of the Au/SiO2/n-type Si structure was obtained from the current-voltage (I-V) and capacitance voltage (C-V) data under different light intensities. The ideality factors, saturation current densities, barrier heights, on-off voltages, rectification ratios, as well as photo-diode properties, which are the basic parameters of photovoltaic and photovoltaic properties, will be obtained and the use of the building will be examined technologically. Because the development and application areas of semiconductor technology in the electronics industry are becoming increasingly important. Therefore, it is very important in the electronics industry to obtain new electronic structures with high quality and high performance and stable during use, and to research and develop their usability in circuit elements.
Benzer Tezler
- Metal-organik-yarı iletken yapıların arayüzey özelliklerinin belirlenmesi
Investigation of interface properties of metal-organic semiconductor structures
ARDEN ERKOL
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ
- VLS tekniği ile In2O3 nanoyapıların üretilmesi ve karakterizasyonu
Production and characterization of In2O3 nanostructures using VLS technique
FATMA NUR TUZLUCA
Doktora
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET ERTUĞRUL
- Kendiliğinden biriken tek tabaka (SAM) tekniğinin organik alan etkili transistörlerin performansı üzerine etkisi
The effect of self assembled monolayer (SAM) technique on the performance of organic field effect transistors
TUĞBAHAN YILMAZ ALIÇ
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MAHMUT KUŞ
- Synthesis and nitrogen doping of graphene by chemical vapor deposition
Kimyasal buhar biriktirme ile grafenin sentezlenmesi ve azot ile katkılanması
ALPER YANILMAZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CEM ÇELEBİ
YRD. DOÇ. DR. UMUT ADEM
- İznik-Mecidiye (Bursa) bölgesinde eosen volkanitlerindekikuvars damarlarına bağlı gelişen cevherleşme potansiyelinin belirlenmesi
Determinatin of the mineralization potential of quartz veins in eosen volcanics of the Iznik-Mecidiye (Bursa) region
FATMA KALELİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Jeoloji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiJeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA KUMRAL