Geri Dön

Readout circuit design for III-V group semiconductors based photosensor

III-V grubu yarıiletken tabanlı fotosensör okuma devresi tasarımı

  1. Tez No: 902452
  2. Yazar: SARA BETÜL GÜLER
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. BAYKAL SARIOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2024
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İstanbul Bilgi Üniversitesi
  10. Enstitü: Lisansüstü Programlar Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Elektrik Elektronik Mühendisliği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 101

Özet

Bu proje, araştırma ekibi tarafından imalat, karakterizasyon ve patentleme amacıyla üretilen, İstanbul Üniversitesi Fizik Bölümü'nden alınan sensör malzemesini kullanarak III-V grubu yarı iletken tabanlı fotosensör için bir okuma devresi tasarımı önermeyi amaçlamaktadır. Bu çalışmanın temel amacı, özellikle astronomi gözlemlerinde kullanılmaya yönelik SWIR kamera tasarımı konusunda gelecekte yapılacak çalışmalara, GaInNA tabanlı RCEPD'ler için okuma devre tasarımlarına temel kazanmak ve oluşturmaktır. Tezde kullanılan GaInNAs tabanlı RCEPD Ga0.733In0.267N0.025As0.975/GaN0.035As0.965 yapısında olup, op-amp okuma devresi tasarlanmış, sensörün tepkisini anlamak için farklı devre bileşenlerinin ve bileşenin farklı boyutlarının bir kombinasyonu kullanılarak test ölçümleri yapıldı. Ölçümler çeşitli aydınlatma kaynakları altında yapılmıştır. Bu çalışmada kuantum kuyu kızılötesi tespiti, III-V grubu yarı iletken tabanlı SWIR fotodetektörlerin yapısı ve çalışma prensibi, kullanılan malzeme ve bileşenler, yapılan ölçümler ve sonuçlar ve son olarak tespit edilen iyileştirme fırsatları derinlemesine tartışılacaktır. Elektronik bileşenlerin tipinin doğru spesifikasyon verileriyle seçilmesinin ve fotodiyot yapısının bileşiminin, büyütülmesinin ve üretilmesinin ideal fotoalgılama için çok önemli olduğu tespit edilmiştir.

Özet (Çeviri)

This project aims to propose a readout circuit design for a III-V group semiconductors based photosensor, using the sensor material obtained from the Department of Physics at Istanbul University, which was produced by the research team for manufacturing, characterization and patenting purposes. The main aim of this study is to gain and provide a basis for readout circuit designs for GaInNAs-based RCEPDs for future studies to be performed on SWIR camera design to be explicitly used for astronomical purposes. The GaInNAs-based RCEPD used for the thesis is in the structure of Ga0.733In0.267N0.025As0.975/GaN0.035As0.965, a simple op amp readout circuit was designed, and developed, and test measurements – using a combination of different circuit components and different sizes of the components – were performed to understand the response of the sensor. Measurements were done under various illumination sources. This study will discuss quantum well infrared detection, the structure and operating principle of III-V group semiconductors based SWIR photodetectors, the materials and components used, the measurements performed and the results, and the last but not the least, the improvement opportunities identified in depth. It is identified that thr selection of the electronic components' type with correct specification data and the composition, growth, and fabrication of the photodiode structure is crucial for ideal photodetection.

Benzer Tezler

  1. A Tracking resolver to digital converter

    Başlık çevirisi yok

    Ö.UĞUR ŞAHİN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1987

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    DOÇ. DR. AYDIN ERSAK

  2. Camera electronics and image enhancement software for infrared detector arrays

    Kızılötesi detektör dizinleri için kamera elektroniği ve görüntü iyileştirme yazılımı

    ALPER KÜÇÜKKÖMÜRLER

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü

    PROF. DR. TAYFUN AKIN

  3. Kapalı döngü kapasitif ivmeölçer okuma devresinin tasarımı ve gerçeklenmesi

    Quartz closed loop capacitive accelerometer readout circuit design and implementation

    MEHMET OĞUZ GÜNBAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET TİMUR AYDEMİR

  4. Kapasitif rotary enkoderler için analog anahtarlama tabanlı okuma devresi

    Analog switch based readout circuit for capacitive rotary encoders

    MUHAMMET ROJHAT KARA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiNecmettin Erbakan Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET AKİF ERİŞMİŞ

  5. Yüksek doğruluklu tümleşik potansiyostat tasarımı

    High accuracy integrated potentiostat design

    SERDAR TOPRAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Elektronik-Haberleşme Eğitimi Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. REVNA ACAR VURAL

    DR. ÖĞR. ÜYESİ OKAN ZAFER BATUR