Geri Dön

Çift katmanlı nano yapıların radyasyon sensörü olarak incelenmesi

Investigation of double -layer nanostructures as radiation sensors

  1. Tez No: 906964
  2. Yazar: ZEYNEP ALTIN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SEMA BİLGE OCAK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2024
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Nükleer Bilimler Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 83

Özet

Bu tez çalışmasında, radyasyon sensörü oluşturmak için çift arayüzey katmanı kullanılmıştır. Literatürde olmayan p tipi Silisyum yarıiletken üzerine püskürtme ve termal eveporasyon yöntemleri kullanılarak PbO/SnO2 çift ara yüzey tabakalı yapının diyot parametrelerini incelemek için, akım-gerilim (I-V) ölçümleri oda sıcaklığında -4V ve +3V aralığında alınmıştır. Nano yapıların Gama ışınlarının yarı iletken diyotlar üzerindeki etkilerini anlamak amacıyla, diyotların akım-gerilim (I-V) karakteristikleri radyasyon öncesi ve 30 kGy dozunda gama ışınlamasına maruz bırakıldıktan sonra ölçülmüştür. Elde edilen I-V verileri, ln(I)-V grafiği çizilerek analiz edilmiş ve sıfır-besleme bariyer yüksekliği (Φb), idealite faktörü (n) ve ters doyma akımı (𝐼0) gibi temel diyot parametreleri belirlenmiştir. Ayrıca, I-V verilerinden seri direnç (Rs), şönt direnç (Rsh) ve doğrultma oranı (RR) gibi diğer önemli parametreler de hesaplanmıştır. Bu parametrelerin radyasyon etkisiyle nasıl değiştiği, Cheung ve Norde fonksiyonları gibi farklı yöntemlerle elde edilen sonuçlar karşılaştırarak daha detaylı incelenmiştir. 60Co gama (γ) ışını Al/PbO/SnO2/p-Si yapısı üzerinde Rs ve Φb parametrelerini artırıcı yönde etki ederken ideallik faktörünü (n) azaltıcı yönde etkide bulunmuştur. Sonuçlar incelendiğinde Al/PbO/SnO2/p-Si yapısının 60Co gamma (γ) ışınına karşı duyarlı olduğu ve yapının radyasyon sensörü olarak kullanılabileceği sonucuna varılmıştır.

Özet (Çeviri)

In this thesis, a double interface layer was utilized to fabricate a radiation sensor. To investigate the diode parameters of the PbO/SnO2 double interface layered structure, which is not found in the literature, deposited on a p-type Silicon semiconductor using spraying and thermal evaporation methods, current-voltage (I-V) measurements were taken at room temperature in the range of -4V to +3V. In order to understand the effects of gamma radiation on semiconductor diodes in nanostructures, the current-voltage (I-V) characteristics of the diodes were measured before and after exposure to 30 kGy of gamma irradiation. The obtained I-V data were analyzed by plotting the ln(I)-V graph, and fundamental diode parameters such as zero-bias barrier height (Φb), ideality factor (n), and reverse saturation current (𝐼0) were determined. Additionally, other important parameters such as series resistance (Rs), shunt resistance (Rsh), and rectification ratio (RR) were also calculated from the I-V data. The changes in these parameters due to the radiation effect were examined in more detail by comparing the results obtained through different methods such as the Cheung and Norde functions. The 60Co gamma (γ) radiation was found to increase the Rs and Φb parameters in the Al/PbO/SnO2/p-Si structure, while decreasing the ideality factor (n). Upon examining the results, it was concluded that the Al/PbO/SnO2/p-Si structure is sensitive to 60Co gamma (γ) radiation and that the structure can be used as a radiation sensor.

Benzer Tezler

  1. Nanoyapıların radyasyona karşı davranışlarının deneysel ve simülasyon programıyla incelenmesi

    Examination of the behavior of nanostructures against radiation by experimental and simulation program

    HÜSEYİN SÖNMEZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2025

    Nükleer MühendislikGazi Üniversitesi

    Nükleer Bilimler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEMA BİLGE OCAK

  2. Development of multi-layer conductive polymer nanocomposites for electromagnetic shielding application

    Elektromanyetik kalkanlama uygulamaları için katmanlı iletken polimer nano kompozitlerinin geliştirilmesi

    FATMA ZEHRA ENGİN SAĞIRLI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Bilim ve Teknolojiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. EYÜP SABRİ KAYALI

    PROF. DR. ABDÜLKADİR SEZAİ SARAÇ

  3. İki boyutlu nano yapıların özelliklerinin incelenmesinde makine ögrenim metotlarının kullanılması

    The investigation of the properties of 2d nanostructures using machine learning methods

    DİLARA İÇKECAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2025

    Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolMarmara Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ERDİ ATA BLEDA

    PROF. DR. DOĞAN ERBAHAR

  4. Identification of single-layer crystalline structures through their electronic and optical properties

    Tek katmanlı kristal yapıların elektronik ve optik özellikleri aracılığıyla saptanması

    YİĞİT SÖZEN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fotonik Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HASAN ŞAHİN

    PROF. DR. SİNAN BALCI

  5. Double layer thermoplastic polyurethane-gelatin electrospun wound dressings for biomedical applications

    Biyomedikal uygulamalarda kullanılmak üzere elektroeğirme yöntemiyle üretilmiş termoplastik poliüretan-jelatin içeren çift katmanlı yara örtüsü

    ARZU YILDIRIM

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Polimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FATMA SENİHA GÜNER

    PROF. DR. MELEK MÜMİNE EROL TAYGUN