Çift katmanlı nano yapıların radyasyon sensörü olarak incelenmesi
Investigation of double -layer nanostructures as radiation sensors
- Tez No: 906964
- Danışmanlar: PROF. DR. SEMA BİLGE OCAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Nükleer Bilimler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 83
Özet
Bu tez çalışmasında, radyasyon sensörü oluşturmak için çift arayüzey katmanı kullanılmıştır. Literatürde olmayan p tipi Silisyum yarıiletken üzerine püskürtme ve termal eveporasyon yöntemleri kullanılarak PbO/SnO2 çift ara yüzey tabakalı yapının diyot parametrelerini incelemek için, akım-gerilim (I-V) ölçümleri oda sıcaklığında -4V ve +3V aralığında alınmıştır. Nano yapıların Gama ışınlarının yarı iletken diyotlar üzerindeki etkilerini anlamak amacıyla, diyotların akım-gerilim (I-V) karakteristikleri radyasyon öncesi ve 30 kGy dozunda gama ışınlamasına maruz bırakıldıktan sonra ölçülmüştür. Elde edilen I-V verileri, ln(I)-V grafiği çizilerek analiz edilmiş ve sıfır-besleme bariyer yüksekliği (Φb), idealite faktörü (n) ve ters doyma akımı (𝐼0) gibi temel diyot parametreleri belirlenmiştir. Ayrıca, I-V verilerinden seri direnç (Rs), şönt direnç (Rsh) ve doğrultma oranı (RR) gibi diğer önemli parametreler de hesaplanmıştır. Bu parametrelerin radyasyon etkisiyle nasıl değiştiği, Cheung ve Norde fonksiyonları gibi farklı yöntemlerle elde edilen sonuçlar karşılaştırarak daha detaylı incelenmiştir. 60Co gama (γ) ışını Al/PbO/SnO2/p-Si yapısı üzerinde Rs ve Φb parametrelerini artırıcı yönde etki ederken ideallik faktörünü (n) azaltıcı yönde etkide bulunmuştur. Sonuçlar incelendiğinde Al/PbO/SnO2/p-Si yapısının 60Co gamma (γ) ışınına karşı duyarlı olduğu ve yapının radyasyon sensörü olarak kullanılabileceği sonucuna varılmıştır.
Özet (Çeviri)
In this thesis, a double interface layer was utilized to fabricate a radiation sensor. To investigate the diode parameters of the PbO/SnO2 double interface layered structure, which is not found in the literature, deposited on a p-type Silicon semiconductor using spraying and thermal evaporation methods, current-voltage (I-V) measurements were taken at room temperature in the range of -4V to +3V. In order to understand the effects of gamma radiation on semiconductor diodes in nanostructures, the current-voltage (I-V) characteristics of the diodes were measured before and after exposure to 30 kGy of gamma irradiation. The obtained I-V data were analyzed by plotting the ln(I)-V graph, and fundamental diode parameters such as zero-bias barrier height (Φb), ideality factor (n), and reverse saturation current (𝐼0) were determined. Additionally, other important parameters such as series resistance (Rs), shunt resistance (Rsh), and rectification ratio (RR) were also calculated from the I-V data. The changes in these parameters due to the radiation effect were examined in more detail by comparing the results obtained through different methods such as the Cheung and Norde functions. The 60Co gamma (γ) radiation was found to increase the Rs and Φb parameters in the Al/PbO/SnO2/p-Si structure, while decreasing the ideality factor (n). Upon examining the results, it was concluded that the Al/PbO/SnO2/p-Si structure is sensitive to 60Co gamma (γ) radiation and that the structure can be used as a radiation sensor.
Benzer Tezler
- Development of multi-layer conductive polymer nanocomposites for electromagnetic shielding application
Elektromanyetik kalkanlama uygulamaları için katmanlı iletken polimer nano kompozitlerinin geliştirilmesi
FATMA ZEHRA ENGİN SAĞIRLI
Doktora
İngilizce
2017
Bilim ve Teknolojiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EYÜP SABRİ KAYALI
PROF. DR. ABDÜLKADİR SEZAİ SARAÇ
- Identification of single-layer crystalline structures through their electronic and optical properties
Tek katmanlı kristal yapıların elektronik ve optik özellikleri aracılığıyla saptanması
YİĞİT SÖZEN
Yüksek Lisans
İngilizce
2021
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFotonik Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HASAN ŞAHİN
PROF. DR. SİNAN BALCI
- Double layer thermoplastic polyurethane-gelatin electrospun wound dressings for biomedical applications
Biyomedikal uygulamalarda kullanılmak üzere elektroeğirme yöntemiyle üretilmiş termoplastik poliüretan-jelatin içeren çift katmanlı yara örtüsü
ARZU YILDIRIM
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiPolimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FATMA SENİHA GÜNER
PROF. DR. MELEK MÜMİNE EROL TAYGUN
- Covalent and non-covalent functionalization of graphene for application in catalysis and device technology: A first principles computational study
Kataliz ve cihaz teknolojisi uygulamaları için grafenin kovalent ve kovalent olmayan şekilde işlevselleştirilmesi: İlk-ilkeler hesaplama çalışması
TUĞÇE İRFAN AKAY
Doktora
İngilizce
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HANDE TOFFOLİ
DOÇ. DR. BURCU AKATA KURÇ
- Reaktif ekstrüzyon yöntemiyle termoplastik elastomerler / plastikleştirici - uyumlaştırıcı / organik kil nanokompozitlerin hazırlanması ve karakterizasyonu
Preparation and characterization of thermoplastic elastomers / plasticizer ?compatibilizer / organoclay nanocomposites by reactive extrusion system
MOSTAFA ASGHARİ DİLMANİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Polimer Bilim ve TeknolojisiHacettepe ÜniversitesiNanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ERDOĞAN ALPER
PROF. DR. ZAKİR M. O. RZAYEV