Geri Dön

FinFET kullanarak anahtarlamalı kapasite devre tasarımı ve uygulamalar

Switched capacitor circuit design and applications using FinFET

  1. Tez No: 912085
  2. Yazar: MORTEZA BABAEIAN FAR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. FIRAT KAÇAR
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2024
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Üniversitesi-Cerrahpaşa
  10. Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Elektrik Elektronik Mühendisliği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 117

Özet

Modern teknoloji eğilimleri göz önüne alındığında, yarı iletken entegre devre üretim süreçlerine uygun ve çok yönlü yapıların önemi giderek artmaktadır. Bu tez, bu talebi karşılamak amacıyla geliştirilen en önemli yapılardan biri olan anahtarlamalı kapasitör devrelerini ve bunların çeşitli uygulamalarını incelemektedir. Çalışmanın ilk bölümünde, FinFET anahtarlarının fiziksel yapısı, karakteristik eğrileri ve anahtar olarak kullanılma nedenleri detaylı bir şekilde ele alınmıştır. Ayrıca, anahtarlamalı kapasitör devrelerinde tercih edilme sebepleri de tartışılmıştır. FinFET, gate kanalın iki, üç veya dört tarafına yerleştirildiği ya da kanalın etrafına sarıldığı bir alt tabaka üzerine inşa edilmiş bir MOSFET'tir (metal-oksit-yarı iletken alan etkili transistör). Bu yapı, akım kontrolünü sağlayan bir geçit ile çevrilidir. FinFET yapılarının öne çıkan özellikleri; hızlı olması, çok küçük boyutlarda üretilebilmesi ve düşük güç seviyelerine ulaşabilmesidir. İlk bölümde ayrıca, anahtarlamalı kapasitörlerin temel prensipleri ve işleyişi hakkında da bilgi verilmiştir. Bu devrelerin modern elektronik sistemlerdeki önemi ve uygulama alanları tartışılmıştır. Tezin sonraki bölümünde, MOSFET ve FinFET kullanılarak üç farklı entegratör modelinin nasıl uygulandığı incelenmiştir. Bu bölümde ayrıca, FinFET'in MOSFET'e göre sağladığı avantajlar ve bu avantajların neden tercih edilmesi gerektiği detaylandırılmıştır. Bir sonraki bölümde, DDSB biaslı önerilen bir CFC sunulmuştur. Bu CFC Op-Amp, benzer yapılarla karşılaştırıldığında sağladığı avantajlarla birlikte ele alınmıştır. Son olarak, önerilen CFC Op-Amp kullanılarak tasarlanan bir entegratör modeli sunulmuştur. Bu tezde gerçekleştirilen simülasyonlar, LTspice simülasyon araçları kullanılarak yapılmış olup, simülasyonlarda kullanılan FinFET modelleri 32 nm PTM modelleridir. Çalışmanın sonuçları, modern yarı iletken cihazlarda performans ve verimliliğin artırılmasına yönelik önemli katkılar sunmaktadır.

Özet (Çeviri)

Given modern technology trends, the importance of structures suitable for semiconductor integrated circuit manufacturing processes and versatile designs is increasing. This thesis examines one of the most significant structures developed to meet this demand: switched capacitor circuits and their various applications. In the first part of the study, the physical structure of FinFET switches, their characteristic curves, and the reasons for using them as switches are discussed in detail. Additionally, the reasons for preferring them in switched capacitor circuits are also examined. FinFET is a multi-gate device built on a substrate where the gate is placed on two, three, or four sides of the channel or wrapped around the channel. This structure is surrounded by a gate that controls the current. The prominent features of FinFET structures are their speed, the ability to be produced in very small sizes, and their low power consumption. The first section also provides information on the basic principles and operation of switched capacitors. The importance and application areas of these circuits in modern electronic systems are discussed. In the second part of the thesis, the implementation of three different integrator models using MOSFET and FinFET is examined. This section also details the advantages of FinFET over MOSFET and why these advantages make FinFETs preferable. In the next section, a proposed CFC Op-Amp with DDSB biasing is presented. This Op-Amp is discussed in terms of the advantages it offers compared to similar structures. Finally, an integrator model designed using the proposed Op-Amp is presented.The simulations in this thesis were performed using LTspice simulation tools, and the FinFET models used in the simulations are 32 nm PTM models. The results of the study provide significant contributions to improving the performance and efficiency of modern semiconductor devices.

Benzer Tezler

  1. Yeni MOS teknolojilerine dayalı sürekli zamanlı ultra düşük gerilimli ve güçlü aktif filtre tasarımı ve uygulamaları

    Novel MOS technology based ultra-low voltage low power continuous-time active filter design and its application

    ARSEN A . MOHAMEDSHAKIR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HÜSEYİN DEMİREL

  2. Beneish modeli ile finansal bilgi manipülasyonunun tespiti: Borsa İstanbul'da bir uygulama

    Determining financial information manipulation with the Beneish model: An application in the Borsa İstanbul

    ÖZGE YARIMCA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    BankacılıkHitit Üniversitesi

    Bankacılık ve Finans Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. İLKER SAKINÇ

  3. Şirket birleşmelerinde yasal çevredeki değişikliklerin ekonomik dönemlerle incelenmesi

    Examining the changes in legal environment on mergers with respect to different state of economies

    FİLİZ ASKAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    İşletmeYaşar Üniversitesi

    İşletme Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. FATMA DİLVİN TAŞKIN YEŞİLOVA

  4. Gelişmekte olan piyasada yatırımcıların fiyatlama davranışı: Borsa İstanbul üzerine bir inceleme

    Investors pricing behaviour in emerging market: A case study in İstanbul Stock Exchange

    ALI MOHAMMED ADEM

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    İşletmeİstanbul Üniversitesi

    Finans Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SERRA EREN

  5. Yüksek güç elektroniği uygulamaları için GaN tabanlı FinFET yapısının optimizasyonu

    Optimization of GaN-based FinFET structure for high power electronics applications

    DOĞAN YILMAZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Bilim ve TeknolojiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL