Geri Dön

Cu katkılı PbO ince filmlerin SILAR tekniği ile üretilmesi, karakterizasyonu ve Al/(%2-4-6-8)Cu:PbO/p-Si Schottky diyotun elektronik özellikleri

Production and characterization of Cu-doped PbO thin films by SILAR technique and electronic properties of Al/(2-4-6-8%)Cu:PbO/p-Si Schottky diode

PDF İndir

  1. Tez No: 936406
  2. Yazar: BURAK OKAN YAZAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Kurşun oksit, Omik kontak direnci, SILAR yöntemi, Schottky kontakları, Lead oxide, Omic contact resistance, SILAR method, Schottky contacts
  7. Yıl: 2025
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Süleyman Demirel Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu tez çalışmasında SILAR (Ardışık İyonik Tabaka Adsorpsiyonu ve Reaksiyonu) tekniği ile katkısız PbO ve farklı oranlarda (%2, 4, 6 ve 8) Cu katkılı kurşun oksit (PbO) filmler cam ve Si alttaş üzerine SILAR tekniği ile kaplandı. Silisyum kristalinin ön yüzüne PbO ince filmi biriktirildikten sonra alüminyum (Al) metali fiziksel buharlaştırma yöntemi (PVD) ile buharlaştırılarak Al/katkısız PbO-%2,4,6,8Cu:PbO/p-Si MIS Schottky kontaklar (SD) oluşturuldu. Kaplanan katkısız ve katkılı PbO ince filmlerin yapısal, yüzeysel, optik ve elektriksel özellikleri XRD, SEM-EDX, UV-Vis spektrometresi kullanılarak belirlendi. PbO ince filmlerin polikristal yapıya sahip olduğu, yüzeylerde dikey ve yatay pullarla sürekli bir PbO film oluştuğu gözlendi. İnce filmlerin bant aralığı 3.0-3.2 eV aralığında belirlendi. İmal edilen farklı oranlarda Cu katkılı PbO arayüzeyli Al/p-Si MIS Schottky diyotların elektriksel özelliklerini belirlemek amacıyla I-V ölçümleri alındı. Elektriksel parametreler doyma akımı (Is), idealite faktörü (n), doğrultma oranı (RR), engel yüksekliği (Φb), seri/şönt dirençler (Rs, Rsh) ve arayüzey hallerinin yoğunluğu (Nss) belirlendi. Deneysel sonuçlar karşılaştırıldığında %2 Cu katkılı PbO arayüzüne sahip diyotun, daha düşük Io, n, Nss ve daha yüksek RR, BH ve Rsh değerleri açısından diğer diyotlara kıyasla MS tipi SD'lerin kalitesini önemli ölçüde iyileştirdiği görüldü.

Özet (Çeviri)

In this thesis study, undoped and Cu-doped lead oxide films at different rates were coated with the In this thesis study, undoped PbO and Cu doped lead oxide (PbO) films with different ratios (2, 4, 6 and 8%) were coated on glass and Si substrate using the SILAR (Sequential Ionic Layer Adsorption and Reaction) technique. After depositing PbO thin film on the front surface of the silicon crystal, aluminum (Al) metal was evaporated using the physical evaporation method (PVD) to form Al/undoped PbO-2,4,6,8%Cu:PbO/p-Si MIS Schottky contacts. The structural, surface, optical and electrical properties of the coated undoped and doped PbO thin films were determined using XRD, SEM-EDX, UV-Vis spectrometry. It was observed that PbO thin films had a polycrystalline structure and a continuous PbO film was formed with vertical and horizontal flakes on the surfaces. The band gap of the thin films was determined in the range of 3.0-3.2 eV. I-V measurements were taken to determine the electrical properties of the manufactured Al/p-Si MIS Schottky diodes with different Cu doping ratios and PbO interfaces. Electrical parameters were determined as saturation current (Is), ideality factor (n), rectification ratio (RR), barrier height (Φb), series/shunt resistances (Rs, Rsh) and density of interface states (Nss). When the experimental results were compared, it was seen that the diode with 2% Cu doping PbO interface significantly improved the quality of MS type SDs compared to other diodes in terms of lower Io, n, Nss and higher RR, BH and Rsh values.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    350387

    Alkali ve kurşun alkali sırların yapısının Raman Spektroskopisi ile karakterizasyonu

    Characterization of structure of alkali and lead-alkali glazes by Raman Spectrometry

    GÜLSU ŞİMŞEK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Arkeometriİstanbul Teknik Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. A. EMEL GEÇKİNLİ

  2. Tez No

    832969

    Characteristics, genesis and triggers for the formation of hod maden Au-Cu mineralization system, NE Turkey

    Hod maden Au-Cu cevherleşmesi sisteminin karakteri, kökeni ve oluşum mekanizmasi, KD Türkiye

    MUSTAFA ERDE BİLİR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Jeoloji MühendisliğiMuğla Sıtkı Koçman Üniversitesi

    Jeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İLKAY KUŞCU

  3. Tez No

    796923

    Denizli Havzası'nın Doğu'sundaki traverten litofasiyeslerin sedimantolojisi, diyajenezi ve petrofiziksel özellikleri (GB, Türkiye)

    Sedimentological, diagenetical and petrophysical characterization of travertine lithofacies in the east of Denizli basin (SW Turkey)

    CİHAN ARATMAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Petrol ve Doğal Gaz MühendisliğiPamukkale Üniversitesi

    Jeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET ÖZKUL

  4. Tez No

    142597

    Yeni Cami'nin akustik açıdan performans değerlendirmesi

    Evaluation of the acoustical performance of the New Mosque

    EVREN YILDIRIM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Mimarlıkİstanbul Teknik Üniversitesi

    Mimarlık Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEVTAP YILMAZ DEMİRKALE

  5. Tez No

    55365

    Ekran baskı yöntemi ile elde edilen Bi2-xPbxSr2Ca2Cu3O10+y üstüniletken kalın filmlerin galvanomagnetik özellikleri

    Başlık çevirisi yok

    ERTAN ŞAHİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1996

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. NECDET BAŞTÜRK

Geri Dön