Geri Dön

Cu katkılı PbO ince filmlerin SILAR tekniği ile üretilmesi, karakterizasyonu ve Al/(%2-4-6-8)Cu:PbO/p-Si Schottky diyotun elektronik özellikleri

Production and characterization of Cu-doped PbO thin films by SILAR technique and electronic properties of Al/(2-4-6-8%)Cu:PbO/p-Si Schottky diode

PDF İndir

  1. Tez No: 936406
  2. Yazar: BURAK OKAN YAZAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2025
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Süleyman Demirel Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 75

Özet

Bu tez çalışmasında SILAR (Ardışık İyonik Tabaka Adsorpsiyonu ve Reaksiyonu) tekniği ile katkısız PbO ve farklı oranlarda (%2, 4, 6 ve 8) Cu katkılı kurşun oksit (PbO) filmler cam ve Si alttaş üzerine SILAR tekniği ile kaplandı. Silisyum kristalinin ön yüzüne PbO ince filmi biriktirildikten sonra alüminyum (Al) metali fiziksel buharlaştırma yöntemi (PVD) ile buharlaştırılarak Al/katkısız PbO-%2,4,6,8Cu:PbO/p-Si MIS Schottky kontaklar (SD) oluşturuldu. Kaplanan katkısız ve katkılı PbO ince filmlerin yapısal, yüzeysel, optik ve elektriksel özellikleri XRD, SEM-EDX, UV-Vis spektrometresi kullanılarak belirlendi. PbO ince filmlerin polikristal yapıya sahip olduğu, yüzeylerde dikey ve yatay pullarla sürekli bir PbO film oluştuğu gözlendi. İnce filmlerin bant aralığı 3.0-3.2 eV aralığında belirlendi. İmal edilen farklı oranlarda Cu katkılı PbO arayüzeyli Al/p-Si MIS Schottky diyotların elektriksel özelliklerini belirlemek amacıyla I-V ölçümleri alındı. Elektriksel parametreler doyma akımı (Is), idealite faktörü (n), doğrultma oranı (RR), engel yüksekliği (Φb), seri/şönt dirençler (Rs, Rsh) ve arayüzey hallerinin yoğunluğu (Nss) belirlendi. Deneysel sonuçlar karşılaştırıldığında %2 Cu katkılı PbO arayüzüne sahip diyotun, daha düşük Io, n, Nss ve daha yüksek RR, BH ve Rsh değerleri açısından diğer diyotlara kıyasla MS tipi SD'lerin kalitesini önemli ölçüde iyileştirdiği görüldü.

Özet (Çeviri)

In this thesis study, undoped and Cu-doped lead oxide films at different rates were coated with the In this thesis study, undoped PbO and Cu doped lead oxide (PbO) films with different ratios (2, 4, 6 and 8%) were coated on glass and Si substrate using the SILAR (Sequential Ionic Layer Adsorption and Reaction) technique. After depositing PbO thin film on the front surface of the silicon crystal, aluminum (Al) metal was evaporated using the physical evaporation method (PVD) to form Al/undoped PbO-2,4,6,8%Cu:PbO/p-Si MIS Schottky contacts. The structural, surface, optical and electrical properties of the coated undoped and doped PbO thin films were determined using XRD, SEM-EDX, UV-Vis spectrometry. It was observed that PbO thin films had a polycrystalline structure and a continuous PbO film was formed with vertical and horizontal flakes on the surfaces. The band gap of the thin films was determined in the range of 3.0-3.2 eV. I-V measurements were taken to determine the electrical properties of the manufactured Al/p-Si MIS Schottky diodes with different Cu doping ratios and PbO interfaces. Electrical parameters were determined as saturation current (Is), ideality factor (n), rectification ratio (RR), barrier height (Φb), series/shunt resistances (Rs, Rsh) and density of interface states (Nss). When the experimental results were compared, it was seen that the diode with 2% Cu doping PbO interface significantly improved the quality of MS type SDs compared to other diodes in terms of lower Io, n, Nss and higher RR, BH and Rsh values.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    55365

    Ekran baskı yöntemi ile elde edilen Bi2-xPbxSr2Ca2Cu3O10+y üstüniletken kalın filmlerin galvanomagnetik özellikleri

    Başlık çevirisi yok

    ERTAN ŞAHİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1996

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. NECDET BAŞTÜRK

  2. Tez No

    75508

    Sr katkılı kurşun zirkonat titanat tipi piezoseramiklerin x ışınları difraksiyonu ve taramalı elektron mikroskobu ile karakterizasyonu

    Başlık çevirisi yok

    KORAY KARAKAYA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ADNAN TEKİN

  3. Tez No

    781753

    TiO2 ince filmlerin memristiv davranışı ve akım iletim mekanizmalarının büyütme şartlarına bağlı olarak incelenmesi

    Memristive behavior of TiO2 thin films and investigation of current conduction mechanisms depending on growth conditions

    MELİK GÜL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Mühendislik BilimleriAtatürk Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HASAN EFEOĞLU

  4. Tez No

    463058

    Niti şekil hatırlamalı alaşımlara bakır katkısının fiziksel özellikleri üzerine etkisinin incelenmesi

    Effects of cu doping on the physical properties of niti based shape memory alloys

    İSMAİL AKBAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. FETHİ DAĞDELEN

  5. Tez No

    578645

    Cu katkılı ZnS nanoyapıların üretilmesi ve optik özelliklerinin incelenmesi

    Production of Cu doped ZnS nanostructures and investigation of optical properties

    OZAN KUŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ NAMIK AKÇAY

Geri Dön