Geri Dön

Analysis and design of a wideband and flat gain low noise amplifier

Geniş bantlı ve düz kazançlı düşük gürültülü amplifikatörün analizi ve tasarımı

  1. Tez No: 937750
  2. Yazar: TUĞBA HAYKIR ERGİN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. HÜSEYİN ARDA ÜLKÜ
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2025
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Yeditepe Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 95

Özet

Bu tez, geniş bantlı, ultra düşük gürültülü, düz kazançlı bir düşük gürültü kuvvetlendiricisinin (LNA) tasarımı ve analizi ile ilgilidir. LNA, psödomorfik yüksek elektron hareketliliğine sahip transistör (pHEMT) galyum arsenit (GaAs) teknolojisini kullanmaktadır. Geniş bant iletişim sistemleri, uydu iletişimi, radar uygulamaları ve 5G dahil olmak üzere yüksek performanslı RF uygulamaları için özel olarak ayarlanmıştır. Tasarım, aynı anda düşük bir gürültü figürü, geniş bir bant genişliği üzerinde eşit kazanç ve mükemmel doğrusallık sağlamayı amaçlamaktadır. Bu tez, gelişmiş devre modelleme ve simülasyon araçlarının yanı sıra optimum performans özellikleri elde etmek için LNA tasarımında kullanılan aktif ve pasif devre elemanlarının etkilerini analiz etmektedir. LNA, geniş bir frekans aralığında düzgün bir kazanç profili sergileyecek şekilde tasarlanmıştır ve ilgili empedans eşleştirme devreleri buna göre dahil edilmiştir. Gürültü değeri 3 dB'nin altında tutulur ve kazanç, frekans aralığı boyunca ±1,2 dB'lik bir toleransla sınırlandırılır. Bu özellikler, cihazın zorlu RF uygulamalarındaki etkinliğini artırır. Cihazın güç tüketimi ve termal yönetim performansı değerlendirilmiştir. Ölçümler, tasarlanan LNA'nın geniş bant spektrumu üzerinde düşük bir gürültü figürü, kararlı kazanç ve önemli giriş / çıkış izolasyonu sağladığını göstermektedir. Tasarlanan bu LNA'nın çağdaş RF sistemlerinde daha düşük hata oranı, gelişmiş sinyal netliği ve genişletilmiş uygulama aralığı gibi faydalar sağlaması beklenmektedir. Bu tez, pHEMT GaAs tabanlı LNA'ların tasarımına hem teorik hem de pratik katkılar sağlamakta ve geniş bant RF uygulamaları için değerli bilgiler sunmaktadır.

Özet (Çeviri)

This thesis is concerned with designing and analyzing a broadband, ultra-low noise, flat gain low noise amplifier (LNA). The LNA uses the technology of pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT) gallium arsenide (GaAs). It is specifically tuned for high-performance RF applications, including broadband communication systems, satellite communications, radar applications, and 5G. The design aims to simultaneously provide a low noise figure, uniform gain over a wide bandwidth, and excellent linearity. This thesis analyzes the effects of active and passive circuit elements used in the LNA design to obtain optimum performance characteristics besides sophisticated circuit modeling and simulation tools. The LNA is designed to exhibit a smooth gain profile over a wide frequency range, and the corresponding impedance-matching circuits are included accordingly. The noise figure is kept below 3 dB, and gain is limited to a tolerance of ±1.2 dB over the frequency range. These features enhance the device's effectiveness in demanding RF applications. The power consumption and thermal management performance of the device are evaluated. Measurements show that the designed LNA provides a low noise figure, stable gain, and substantial input/output isolation over a broadband spectrum. This designed LNA is expected to provide benefits such as a lower error rate, improved signal clarity, and extended application range in contemporary RF systems. This thesis provides both theoretical and practical contributions to the design of pHEMT GaAs-based LNAs and offers valuable insights for broadband RF applications.

Benzer Tezler

  1. Bir geniş bantlı mikrodalga güç yükseltecinin doğrusal olmayan eleman modeli kullanılarak tasarlanması

    Design of a wideband microwave power amplifier using non-linear device model

    SEDAT KILINÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İBRAHİM AKDUMAN

    PROF. DR. BEKİR SIDDIK BİNBOĞA YARMAN

  2. Miniaturized flexible metamaterial antenna of circularly polarized high gain-bandwidth product for RF energy harvesting

    Başlık çevirisi yok

    MALAK NAEM NASHOOR ALAUKALLY

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAltınbaş Üniversitesi

    Elektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ DOĞU ÇAĞDAŞ ATİLLA

    PROF. DR. TAHA A. ELWİ

  3. Design and realization of a 0.5-5 GHz cascaded feedback amplifier

    0.5-5 GHz ardışık bağlı geribeslemeli yükselteç tasarımı ve gerçeklenmesi

    İBRAHİM CEM KORKMAZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEYİT SENCER KOÇ

  4. Design of broadband amplifiers for microwave transmitters via real frequency techniques

    Mikrodalga vericileri için geniş bantlı kuvvetlendiricilerin gerçel frekans teknikleri kullanılarak tasarlanması

    ALPER YILDIRIM

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi-Cerrahpaşa

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BEKİR SIDDIK BİNBOĞA YARMAN

  5. Elektromanyetik ölçümler için ultra geniş bantlı gürültü üretecisi

    Ultrawıde band noıse generator for electromagnetıc measurements

    SAAD ALI ASSI ASSI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiMuğla Sıtkı Koçman Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BAHADIR SÜLEYMAN YILDIRIM