İndiyum fosfit mikro ve nano yapıların çift hücreli elektrokimyasal aşındırma tekniği ile üretilmesi
Fabrication of indium phosphide micro and nanostructures by double cell electrochemical etching
- Tez No: 945085
- Danışmanlar: PROF. DR. SABRİYE AÇIKGÖZ, DR. HASAN YÜNGEVİŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Metalurji Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Metallurgical Engineering, Engineering Sciences
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2025
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Karamanoğlu Mehmetbey Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 110
Özet
InP mikro yüzeylerin üretimi için çift hücreli elektrokimyasal aşındırma yöntemi kullanılmıştır. Aşındırma işlemleri hidroklorik asit (HCI) içerisinde gerçekleştirilmiş olup, aşındırma süresi, akım yoğunluğu ve asit konsantrasyonu gibi parametreler değiştirilerek InP yüzeyinde oluşan yapıların oluşum mekanizması araştırılmıştır. Yüzeyde V-şeklinde düzenli mikro ve nano boyutlu olukların oluştuğu gözlemlenmiştir. Olukların yüzey morfolojisi ve kimyasal bileşimleri alan emisyonlu taramalı elektron mikroskobu (FESEM) ve X-ışını spektrometresi (EDS) kullanılarak analiz edilmiştir. Düşük asit konsantrasyonunda düzenli oluklu bir InP yüzeyi elde etmek için akım yoğunluğunun 50 mA/cm²'ye kadar arttırılması gerektiği gözlemlenmiştir. Yüksek asit konsantrasyonunda 6 dakika süresince 30 mA/cm² akım yoğunluğunda yanal uzunluğu 980 nm olan mikro oluklar ortaya çıkmıştır. Aşındırılan InP yüzeylerin taşıyıcı rekombinasyon süresi ve optik özellikleri foto ışıma (PL) spektrometresi ve floresan yaşam ömrü görüntüleme mikroskobu (FLIM) kullanılarak araştırılmıştır. Aynı zamanda farklı boyut ve şekildeki InP yüzeylerin ışıma şiddeti ve taşıyıcı rekombinasyon ömrüne bağlı iki boyutlu haritaları elde edilmiştir. Haritalama sayesinde yüzeyin morfolojik özellikleri ile floresan ışıma şiddeti ve yük taşıyıcıların rekombinasyon ömrü arasındaki ilişki ortaya konulmuştur. InP yüzeyi 920 nm'de güçlü bir emisyon tepe noktası ve 6,06 ns'lik bir taşıyıcı rekombinasyon ömrü sergilediği görülmüştür. Son olarak InP mikro ve nano oluklar üzerine perilen molekülleri kimyasal olarak yerleştirilmiştir ve perilen ile InP yüzeyler arasındaki fotonik etkileşimler araştırılmıştır. InP yüzeyine bağlanan perilen boya moleküllerinin yaşam ömründeki kısalma, InP ve perilen arasındaki etkin bir elektron transferi gerçekleştiğini göstermektedir.
Özet (Çeviri)
Double-cell electrochemical etching method was used for the fabrication of InP micro surfaces. Etching processes were carried out in hydrochloric acid (HCl) and the formation mechanism of the structures formed on the InP surface was investigated by varying parameters such as etching time, current density and acid concentration. It was observed that V-shaped regular micro- and nano-sized grooves were formed on the surface. The surface morphology and chemical composition of the grooves were analyzed using field emission scanning electron microscopy (FESEM) and X-ray spectrometry (EDX). It was observed that the current density had to be increased up to 50 mA/cm² to obtain a regular corrugated InP surface at low acid concentration. At high acid concentration, micro-grooves with a lateral length of 980 nm appeared at a current density of 30 mA/cm² for 6 minutes. The carrier recombination time and optical properties of etched InP surfaces were investigated using photoluminescence (PL) spectrometry and fluorescence lifetime imaging microscopy (FLIM). At the same time, two-dimensional maps of InP surfaces of different sizes and shapes were obtained based on the irradiance and carrier recombination lifetime. The mapping revealed the relationship between the morphological features of the surface, the fluorescence intensity and the recombination lifetime of the charge carriers. It is observed that the InP surface shows a strong emission peak at 920 nm and a recombination lifetime of 6.06 ns. Finally, perylene organic molecules have been chemically bounded onto InP micro and nano-grooves, and the photonic interactions between perylene and InP surfaces have been investigated. The reduction in the lifetime of perylene molecules bound to the InP surfaces indicates that an efficient electron transfer occurs between dye and InP surface.
Benzer Tezler
- Yarıiletken malzemelerin bir mikroplazma hücredeki optik ve elektriksel davranışlarının incelenmesi
Examination of the optical and electrical behaviours of semiconductors in a microplasma cell
ERHAN ONGUN
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HATİCE HİLAL YÜCEL
- Au/p-TlInS2/n-InP Pseudo Schottky yapıların tavlama ve numune sıcaklığına bağlı elektriksel karakterizasyonu
Annealing- and sample temperaturedependent electrical characterisation of Au/p-TlInS2/n-InP Pseudo Schottky structures
SEDA YAZICI
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BAHATTİN ABAY
- Novel biocompatible quantum dots and nanoengineered assemblies for optoelectronic neural interfaces
Optoelektronik nöral arayüzleri için yeni biyouyumlu kuantum noktaları ve nanoteknolojik birleşimler
HOUMAN BAHMANI JALALI
Doktora
İngilizce
2020
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKoç ÜniversitesiBiyomedikal Bilimler ve Mühendislik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEDAT NİZAMOĞLU
- Developing high brightness quantum dot led devices
Yüksek parlaklık kuantum nokta led aygıtların geliştirilmesi
AYŞENUR BİÇER
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAbdullah Gül ÜniversitesiElektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EVREN MUTLUGÜN
- DLTS yöntemi ile n-tipi InP yarıiletkeninde yapı bozukluklarının bulunması
Lattice defects detection in n-type InP semiconductor by DLTS
HALİL BAYRAKCI
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiNiğde ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ADİL CANIMOĞLU