Yarıiletken malzemelerde kusurların yük yayınlama ve yakalama süreçlerinin kapasitif yöntemlerle karakterizasyonu
Characterization of carrier emission and capture processes of defects in semiconducting materials by capacitive techniques
- Tez No: 947876
- Danışmanlar: PROF. DR. YAŞAR GÜRKAN ÇELEBİ
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2025
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Genel Fizik Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Yarıiletken malzeme içerisindeki tuzak seviyelerin karakterizasyonunda tuzak seviyelerin yük yayınlama sürecinde oluşan kapasite geçiş sinyallerinin kullanılması kullanılan bir yöntemdir. Bu tez çalışmasında farklı olarak tuzak seviyelerinin yük yakalama süreçlerinde oluşan kapasite geçiş sinyalleri de karakterizasyon için kullanıldı, yeni ve farklı bir karakterizasyon yöntemi önerildi. Yük yakalama ve yayınlama süreçleri arasında hangi şartlar altında benzerliğin oluştuğu ve benzerliğin hangi durumlarda arttığı tespit edildi, altında yatan fiziksel olaylar açıklandı ve deneylerle ispatlandı. Yakalama ve yayınlama sinyallerinden kusur karakterizasyonun yapılması için tez dahilinde p tipi silikon, n tipi silikon ve tellür katkılı GaAs kullanıldı. Yük yayınlama süreçlerinden ilgili örneklerdeki kusurların aktivasyon enerjileri ve yük yakalama tesir kesti alanları hesaplanırken, yük yakalama süreçlerinden kusurların eklem içerinde bulundukları konumdaki eklem potansiyel bariyeri ve yük yakalama tesir kesit alanları hesaplandı. Yük yakalama ve yayınlamaya ait kapasite geçiş sinyallerinin analizinde Boxcar DLTS ve Laplace DLTS yöntemleri kullanıldı.
Özet (Çeviri)
In the characterization of trap levels within semiconductor materials, using capacitance transient signals arising from the charge emission processes of trap levels is a commonly employed method. In this thesis study, unlike conventional approaches, capacitance transients resulting from the charge capture processes of trap levels were also used for characterization, and a new and distinct characterization method was proposed. The conditions under which similarities arise between charge capture and emission processes, as well as the circumstances under which these similarities become more pronounced, were identified. The underlying physical mechanisms were explained and experimentally verified. To perform defect characterization using both capture and emission signals, p-type silicon, n type silicon, and tellurium-doped GaAs were used within the scope of the thesis. While activation energies and capture cross sections of the defects in the respective samples were calculated using charge emission processes, the junction potential barrier at the location of the defects within the junction and the corresponding capture cross sections were determined using charge capture processes. For the analysis of capacitance transient signals associated with both charge capture and emission, Boxcar DLTS and Laplace DLTS methods were employed.
Benzer Tezler
- Influence of substrate and environmental conditions on nanoscale patterning of graphene via local anodic oxidation
Alttaşın ve çevresel koşulların lokal anodik oksidasyon aracılığıyla grafen üzerine yapılan nano-desenlemeye etkisi
YAREN SEZEN
Yüksek Lisans
İngilizce
2026
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ONUR ERGEN
- Güneş pilleri
Solar cells
ZELİHA TAŞAR
Yüksek Lisans
Türkçe
1987
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ATİLLA ÖZMEN
- Foto-iletkenlik ölçüleri için uygun silisyum numunelerin hazırlanması
Başlık çevirisi yok
AYTEKİN ERDEM
Yüksek Lisans
Türkçe
1987
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. HASAN AKBAŞ
- Reaktif buharlaştırma tekniğiyle hazırlanan SnOx ve Sn-SnOx ince filmlerinin elektrik özellikleri
Başlık çevirisi yok
BERKAY GÖRGEZ
- Sayısal stereo kotlayıcı
Başlık çevirisi yok
A.İKLİL KAYIHAN
Doktora
Türkçe
1984
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF. DR. DURAN LEBLEBİCİ