Geri Dön

Yarıiletken malzemelerde kusurların yük yayınlama ve yakalama süreçlerinin kapasitif yöntemlerle karakterizasyonu

Characterization of carrier emission and capture processes of defects in semiconducting materials by capacitive techniques

  1. Tez No: 947876
  2. Yazar: ÖMER GÖKSEL ERBAŞ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. YAŞAR GÜRKAN ÇELEBİ
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2025
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Genel Fizik Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 112

Özet

Yarıiletken malzeme içerisindeki tuzak seviyelerin karakterizasyonunda tuzak seviyelerin yük yayınlama sürecinde oluşan kapasite geçiş sinyallerinin kullanılması kullanılan bir yöntemdir. Bu tez çalışmasında farklı olarak tuzak seviyelerinin yük yakalama süreçlerinde oluşan kapasite geçiş sinyalleri de karakterizasyon için kullanıldı, yeni ve farklı bir karakterizasyon yöntemi önerildi. Yük yakalama ve yayınlama süreçleri arasında hangi şartlar altında benzerliğin oluştuğu ve benzerliğin hangi durumlarda arttığı tespit edildi, altında yatan fiziksel olaylar açıklandı ve deneylerle ispatlandı. Yakalama ve yayınlama sinyallerinden kusur karakterizasyonun yapılması için tez dahilinde p tipi silikon, n tipi silikon ve tellür katkılı GaAs kullanıldı. Yük yayınlama süreçlerinden ilgili örneklerdeki kusurların aktivasyon enerjileri ve yük yakalama tesir kesti alanları hesaplanırken, yük yakalama süreçlerinden kusurların eklem içerinde bulundukları konumdaki eklem potansiyel bariyeri ve yük yakalama tesir kesit alanları hesaplandı. Yük yakalama ve yayınlamaya ait kapasite geçiş sinyallerinin analizinde Boxcar DLTS ve Laplace DLTS yöntemleri kullanıldı.

Özet (Çeviri)

In the characterization of trap levels within semiconductor materials, using capacitance transient signals arising from the charge emission processes of trap levels is a commonly employed method. In this thesis study, unlike conventional approaches, capacitance transients resulting from the charge capture processes of trap levels were also used for characterization, and a new and distinct characterization method was proposed. The conditions under which similarities arise between charge capture and emission processes, as well as the circumstances under which these similarities become more pronounced, were identified. The underlying physical mechanisms were explained and experimentally verified. To perform defect characterization using both capture and emission signals, p-type silicon, n type silicon, and tellurium-doped GaAs were used within the scope of the thesis. While activation energies and capture cross sections of the defects in the respective samples were calculated using charge emission processes, the junction potential barrier at the location of the defects within the junction and the corresponding capture cross sections were determined using charge capture processes. For the analysis of capacitance transient signals associated with both charge capture and emission, Boxcar DLTS and Laplace DLTS methods were employed.

Benzer Tezler

  1. CSA'nın P3HT VE MEH-PPV polimerlerinin fiziksel özelliklerine etkisi

    Effect of CSA on the physical properties of P3HT and MEH-PPV polymers

    CEM ULUDAĞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ESRA ALVEROĞLU DURUCU

  2. Solution-processed thin film deposition and characterization of multinarychalcogenides: Towards highly efficient Cu2BaSn(S,Se)4 solar devices

    Solüsyon yöntemiyle sentezlenmiş çok elementli kalkojenitlerin ince film kaplama ve karakterizasyonu: Yüksek verimli Cu2BaSn(S,Se)4 bazlı güneş soğuran cihazlara doğru

    BETÜL TEYMUR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    EnerjiDuke University

    Malzeme Bilimi ve Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. DAVİD B.MİTZİ

  3. Atomic and island scale diffusion events on Bi2Te3 (0001) surfaces & ultra-thin Bi2Te3 films on SiO2 substrates

    Bi2Te3 (0001) yüzeyinde atomik ve ada ölçeklerinde difüzyon & SiO2 alttaşı üzerinde aşırı-ince Bi2Te3 filmleri

    MERT TAŞKIN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. OĞUZHAN GÜRLÜ

  4. Synergistic effects of B4C and ZnO nanomaterials as electrodes for supercapacitors

    B4C ve ZnO nanomalzemelerinin sinerjik etkileri ve süperkapasitör elektrotları olarak kullanımı

    MERVE AKTÜRK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    EnerjiSabancı Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. EMRE ERDEM

  5. Temel prensı̇pler yöntemı̇ kullanarak ı̇kı̇ boyutlu yüzeyler üzerı̇nde nanokümelerı̇n büyütülmesı̇

    Growth of nanocluster on two dimensional surface by using first principles methods

    YELDA KADIOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAydın Adnan Menderes Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. OLCAY ÜZENGİ AKTÜRK