Geri Dön

Solution-processed thin film deposition and characterization of multinarychalcogenides: Towards highly efficient Cu2BaSn(S,Se)4 solar devices

Solüsyon yöntemiyle sentezlenmiş çok elementli kalkojenitlerin ince film kaplama ve karakterizasyonu: Yüksek verimli Cu2BaSn(S,Se)4 bazlı güneş soğuran cihazlara doğru

PDF İndir

  1. Tez No: 861061
  2. Yazar: BETÜL TEYMUR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. DAVİD B.MİTZİ
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Enerji, Makine Mühendisliği, Energy, Mechanical Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Duke University
  10. Enstitü: Yurtdışı Enstitü
  11. Ana Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Makine Mühendisliği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 304

Özet

Yeni nesil soğurucu malzemeler olarak ortaya çıkan çok elementli kalkojenit yarı iletkenler, CdTe ve Cu(In,Ga)(S,Se)2 gibi ticari olarak temin edilebilen güneş enerjisi dönüştürme malzemelerin, elementlerinin kıtlığı ve toksik olmasından kaynaklanan problemlerine çözüm sağlayabilecek alternatifler olabilme potansiyellerinden ötürü uzun zamandır ilgi odağı olmuştur. Kesterit bazlı Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe) malzemeleri, çevreye duyarlı, düşük maliyetli fotovoltaik (PV) ve fotoelektrokimyasal (PEC) uygulamalar için bu sorunları çözebilecek alternatifler olarak ortaya çıkmışlardır. Ancak, kristal yapısında yer alan neredeyse aynı koordinasyon ve atomik boyutlara sahip Cu/Zn/Sn katyonlarının neden olduğu yüksek derecedeki zararlı kristal kusurları, bu malzemelerin güç dönüştürme verimliliği (PCE) değerlerinin halihazırda ticarileştirilmiş ince film güneş enerjisi dönüştürme teknolojilerinin verimlilik değerleri ile karşılaştırılabilir seviyeye ulaşmasını engellemektedir. I2-II-IV-VI4 (I = Li, Cu, Ag; II = Ba, Sr; IV = Si, Ge, Sn; VI = S, Se) malzemeler ailesi, bireysel bileşenleri aracılığıyla, yerkürede bolca bulunan ve toksik olmayan malzemelerden oluşma vaadine ek olarak yapısal, optik ve elektronik özelliklerinin ayarlanabilirliği (tunability) sayesinde güneş enerjisi dönüşüm endüstrisinde yaygın uygulamalarını mümkün kılmayı vadetmektedir. Bunlara ek olarak, kurucu atomlarının farklı kimya, iyon boyutu ve koordinasyona sahip olması dolayısı ile bu malzeme ailesinin, malzeme kusurlarına karşı dirençli olması beklenmektedir. Bu bileşikler ailesinin ilk örneği olan Cu2BaSn(S,Se)4 (CBTSSe) için yapılan deneysel ve hesaplamalı analizler, Ba atomunun Cu/Sn atomlarına göre büyük boyutlu ve farklı koordinasyona sahip olması III and III yer değiştirme (antisite) malzeme düzensizliğini ve bu düzensizliklerle alakalı olan bant kuyruğunu engellediği iddiasının doğruluğunu desteklemektedir. Ancak, CBTSSe sistemi yer değiştirme (antisite) kusurlarına karşı dirençli olma beklentisini karşılıyor gibi görünse de bir antisite kusurlarını kontrol mekanizması olarak önerilen atomik boyut/koordinasyon farkının daha geniş etkileri ve bu malzemenin güneş enerjisi dönüştürme potansiyeli henüz ortaya konulmamıştır. Bu nedenle, bu tezde hedefler dört yönlüdür: 1. Yüksek verimlilik değerlerine sahip güneş enerjisini soğuran cihaz elde edilmesini sağlayan düşük maliyetli ince film kaplama yöntemleri geliştirmek, 2. Farklı ölçüm teknikleri kullanarak solüsyon yöntemiyle sentezlenmiş CBTSSe filmlerindeki malzeme kusurlarını daha derinden incelemek, 3. Bileşenin atomik boyutu ve koordinasyonu uyuşmazlığının, çok bileşenli kalkojenit yarı iletkenlerde antisite düzensizliği ve bant kuyruğunu kontrol edebilecek bir strateji olabileceği varsayımını irdelemek, 4. Gelecekte yüksek performanslı, yerkürede bolca bulunan fotovoltaik teknolojiler geliştirmek için CBTSSe PV cihazlarının performansını sınırlayan faktörleri ortaya çıkarmaktır. Bölüm 1'de bu tezin bilimsel motivasyonlarını verdikten sonra Bölüm 2'de yerkürede bol miktarda bulunan elementlerden oluşan, malzeme kusurlarına dayanıklı kalkojenit malzemelerine, onların sentezleme, kaplama tekniklerine ve cihaz uygulamalarına genel bir giriş yapılmıştır. Bölüm 3 'te, güneş soğurucu cihaz uygulamalarındaki ilk zorluğa, yani güneş pilinin maliyetinin azaltılmasına, CBTSSe malzemesinin ince film kaplaması için solüsyon bazlı sentezleme yollarının araştırılması ile çözüm sağlanılmıştır. Moleküler solüsyon yöntemi, Ba(NO3)2, Cu(CO2CH3)2, and SnI2 bileşiklerinin düşük toksisiteli dimethyl sulfoxide çözücüsü içinde çözünmesini, ardından spin kaplama, yüksek sıcaklarda sülfürleme ve selenizasyon aşamalarını içermektedir. Bilyeli öğütme (ball-milling) yöntemi ise bilyeli öğütülmüş Cu2S, BaS, Sn ve S partiküllerinin düşük toksisiteli etanol içinde dağılmasını ve ardından yüksek sıcaklıklarda sülfürleme ve selenizasyon işlemlerini içermektedir. Bu bölümdeki temel hedefler solüsyon yöntemiyle sentezlenmiş CBTSSe malzemesinin fazındaki değişmelerin, tane çekirdeklenmesinin/büyümesinin ve yasak enerji (bant) aralığının (Eg), (1) tavlama sırasındaki sıcaklık profilinin (ısıtma/soğutma oranları ve bekleme sıcaklıkları dahil); 2) sülfürizasyon/selenizasyon prosesleri sırasında S ve/veya Se'nin kısmi basınçlarının; ve 3) doğrudan selenize edilmesinin veya bağımsız olarak arda arda gerçekleştirilen sülfürizasyon ve selenizasyon aşamalarından geçmesinin bir fonksiyonu olarak araştırılmasını içermektedir. Moleküler solüsyon ve bilyeli öğütme yöntemlerini kullanılarak kaplanmış CBTSSe ince filmlerinin, literatürdeki co-sputtering kaplama yöntemiyle sentezlenmiş CBTSSe analoglarına göre kalitesinin bir ön ölçümünü sağlamak için verimli PEC cihazları üretilmiştir. Bölüm 4-6, yüksek performanslı PV cihazları sağlamak için, CBTSSe malzemesinin kendine özgün özelliklerinden ve ilgili cihaz yapılarıyla ilişkisinden kaynaklanan engelleri teşhis etmeyi amaçlamaktadır. Bu bölümler, sentezleme yolları, film özellikleri ve güneş enerjisi cihazı performansları arasındaki bağlantıyı yeterli ve uygun bir şekilde değerlendiren genel bir ölçüm stratejisi geliştirmiştir. Bölüm 4'te, bileşimsel olarak stokiyometrik Cu2BaSnS4 (CBTS)'un (Eg ~ 2.0 eV) CBTSSe (Eg = 1.59 eV) filmlerinin malzeme kusurları ve azınlık yük taşıyıcı (elektron) ömür sureleri, hareketlilikleri, yoğunlukları ve bant konumları (yani CBTSSe ve CdS'tın elektron ilgisi (EA)) hakkında bilgileri derlemek için birçok spektroskopi analiz teknikleri uygulanmıştır. Spektroskopi ölçümleri terahertz (THz), düşük sıcaklıklı fotolüminesans (LT-PL) ve fotoelektron spektroskopisi (PES) analizlerini içermektedir. Son olarak, bu bölüm %2,9 PCE'ye sahip PV cihazını karakterize etmektedir. Bölüm 4'teki çalışmalar bizi iki yönde çalışmaya yönlendirmiştir: birincisi, örneğin kimyasal bileşimi ayarlayarak filmin özgün özelliklerini iyileştirmek ve ikincisi daha iyi performans gösteren güneş enerjisi cihazları için daha uyumlu bitişik katmanlar bulmak. Bu bulgular, PV enerji dönüştürme verimliliğinin aşamalı olarak iyileştirilmesini ortaya koyan Bölüm 5 ve 6 çalışmalar için temel oluşturmuştur. Bölüm 5'te, tek fazlı CBTSSe sentezlenmesi için gerekli stokiyometri aralığını belirlemek için [Cu]/([Ba]+[Sn]) oranı değiştirilmiştir. Daha sonra sentezlenmiş tek faz aralığındaki CBTSSe malzemesinin yük taşıyıcı yoğunluğu Hall etkisi ile belirlenmiştir. Ayrıca bu malzemelerin bu tek faz aralığındaki azınlık yük taşıyıcı (elektron) ömür sureleri, hareketlilikleri, fotolüminesan karakteristiği ve PV cihaz performansları belirlenmiştir. Bu bölümde, yer değiştirme (antisite) kusurlarına karşı dirençli I2-II-IV-VI4 ailesinin çok elementli bileşikleri için tane büyümesinin kontrolünde ve malzeme kusur oluşumunda, film stokiyometrisinin kritik olup olmadığı ortaya konulmuştur. Solüsyonla sentezleme metodu ile elde edilmiş CBTSSe tabanlı PV cihaz için şimdiye kadarki en iyi performans olan 5.1% PCE sunulmuştur. Bu PCE değeri literatürde yer alan, sputter yöntemiyle sentezlenmiş CBTSSe malzemesinin indiyum kalay oksit (ITO)/ çinko oksit (i-ZnO)/ CdS/ CBTSSSe cihaz mimarisindeki performansına eş değerdedir. Bu tezin 6. bölümü, CBTSSe tabanlı PV cihazları için PCE geliştirmesine yönelik önemli bir kilometre taşını temsil etmektedir. Bölüm 4'te belirtildiği gibi tampon katman CdS ile soğurucu katman CBTSSe arasındaki ideal olmayan bant hizalaması PV cihaz parametresi VOC' yi sınırlamaktadır. Bu bölüm, PV cihaz yapısını optimize ederek ve geleneksel tampon katman CdS ile soğurucu katman CBTSSe arasındaki ideal olmayan bant hizalamasını (elektron ilgileri arasındaki farktan kaynaklanan) sorunu çözerek %6,5'lik PCE ulaşılmasını ele almıştır. Bu bölüm, güneş soğurucu katman ile bitişik taşıyıcı (carrier) toplama katmanları arasındaki ara yüzün, aksi takdirde ideal özgün özelliklere sahip PV/PEC malzemeleri için bir performans darboğazı olabileceğini göstermiştir. Bu bölümde ITO/i-ZnO/CdS yerine yeni (CBTSSe/Mo/soda kireç camı (SLG) ile kullanım için) Al katkılı ZnO(AZO)/Zn1-xMgxO(ZMO)/Zn1-xCdxS(ZCS) ön yığın katmanları tanıtılmış ve bu yapıların PV cihaz performans parametreleri karşılaştırılmıştır. Deneysel ve cihaz simülasyonu (SCAPS-1D) çalışmaları, CBTSSe PV performansını artırmak için, hem soğurucu tabaka ile tampon katmanı hem de tampon katmanı ile pencere katmanı arasındaki bant hizalamalarının değerlendirilmesinin önemini ortaya koymuştur. Son olarak, bu tezin sonuçları Bölüm 7'de sunulmuştur. Bu bölümler, solüsyon yöntemiyle kaplanmış CBTSSe filmlerinin yarı iletken malzeme olma potansiyeli ve özellikle PV ve PEC gibi güneş enerjisi soğurma cihazlarında kullanılma potansiyelini kapsamlı bir şekilde tarayarak, atomik boyut/koordinasyon ayrımı stratejisinin, karmaşık çok elementli kalkojenit film ailesinde ihtiyaç duyulan malzeme kusurlarına karşı direnci elde etmek için kullanılabileceği önermesinin genel geçerliliğini incelemeye yardımcı olmuştur. Bu bölümlerde solüsyon yöntemiyle sentezlenmiş CBTSSe malzemesinden öğrenilen proses-malzeme özelliği ilişkisi, diğer I2-II-IV-VI4 ailesi üyelerine yüksek verimli güneş enerjisi cihazları elde etmek için uygulanabilir.

Özet (Çeviri)

Emerging multinary chalcogenide semiconductors have long been in the spotlight for addressing challenges related to the scarcity and toxicity of commercially available solar energy converting materials, CdTe and Cu(In,Ga)(S,Se)2. Kesterite-based Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe) materials have emerged as alternatives to address these issues for environmentally benign, low-cost photovoltaic (PV) and photoelectrochemical (PEC) applications. However, the significant degree of detrimental defect formation associated with near identical coordination and atomic size for all the Cu/Zn/Sn cations involved in the structure prevent the PCE values for these materials from reaching the level comparable to already commercialized thin-film solar energy converting technologies. The I2-II-IV-VI4 (I = Li, Cu, Ag; II = Ba, Sr; IV = Si, Ge, Sn; VI = S, Se) family of materials offer tunable structural, optical, and electronic properties that can potentially enable their pervasive application in the solar energy conversion industry, in addition to promise of Earth-abundance and nontoxicity through their individual components. In addition, this family of materials is expected to be disorder-resistant because the constituent atoms share dissimilar chemistry, ionic size, and coordination. As a first example from this family of compounds, experimental and computational analyses for Cu2BaSn(S,Se)4 (CBTSSe) agree with the assertion that the large size and distinct coordination for Ba relative to Cu/Sn inhibits III and III antisite disordering and related band tailing. However, while the CBTSSe system seems to meet the expectation of antisite defect resistance, the v broader implications of atomic size/coordination discrimination as a defect control mechanism and the solar energy converting potential of this material remain to be resolved. In this dissertation, the goals, therefore, are fourfold: 1. to develop low-cost thin-film processing methods that deliver efficient solar absorber device performance, 2. to further study disorder within CBTSSe solution-processed films using different measurement techniques, 3. to examine the validity of the constituent element size/coordination discrepancy strategy to control disorder/band tailing in multinary chalcogenide semiconductors, 4. to reveal factors that limit PV performance within CBTSSe devices for future highperformance Earth-abundant photovoltaic technologies. After giving scientific motivations of this dissertation in Chapter 1 and a general introduction to Earth-abundant defect-resistant chalcogenide materials, their depositions, and device applications in Chapter 2, Chapter 3 confronts the first solar absorber device application challenge, i.e., reducing solar cell cost, by investigating solution-based synthetic pathways for thin-film deposition of CBTSSe material. Efficient PEC devices are constructed using CBTSSe thin films deposited from molecular solution and ball milling approaches to provide a preliminary measure of the solution-processed film quality relative to existing co-sputtered CBTSSe analogs. The molecular solution path involves vi the dissolution of Ba(NO3)2, Cu(CO2CH3)2, and SnI2 in low-toxicity solvent DMSO, followed by spin coating, sulfurization and selenization steps at high temperatures. The ball milling approach, on the other hand, involves dispersion of ball-milled Cu2S, BaS, Sn, and S particles in low-toxicity ethanol, followed by sulfur and selenium treatments at high temperatures. After addressing the challenge related to the formation of a BaSO4 secondary phase (i.e., modifying pre-bake conditions toward high temperatures—e.g., 540 °C—and supplying sulfur during the pre-baking step), a micron thick, single phase CBTSSe absorber layer with grains as large as 4.5 μm and band gap (𝐸!) of 1.68 eV was grown from the molecular solution approach. The films prepared from molecular solution and ball milling approaches (micron thick and with band gap 𝐸! = 1.56 eV) were employed in a Pt/TiO2/CdS/CBTSSe photocathode structure, exhibiting ~10 mA/cm2 and 5.54 mA/cm2 photocurrent densities, respectively, at 0 V reversible hydrogen electrode (VRHE). The performance levels of these first solution-deposited CBTSSe PEC devices are parallel to the performance of analogous vacuum-deposited CBTSSe films, which offered ~12 mA/cm2 current density at 0 VRHE. The high quality CBTSSe films deposited from the molecular solution approach mentioned in this chapter enabled us to evaluate CBTSSe material defects, optoelectronic properties and PV performance parameters, and how they connect with processing variables and device geometries in Chapters 4-6. These chapters report power conversion efficiencies (PCE) enhancing from 2.9% to a world record value of ~6.5% for this new absorber. vii Chapter 4 explores intrinsic properties of compositionally stoichiometric large 𝐸! material CBTS (~2 eV) and alloyed CBTSSe with ~1.6 eV 𝐸! using several spectroscopic techniques, including low-temperature photoluminescence (LT-PL). In addition, for alloyed CBTSSe, we diagnose PV device performance limiting factors for a 2.9% PCE device. LT-PL measurements of CBTSSe show a defect PL emission line at ~1.5 eV and deep defect feature at 1.15 eV. This measurement shows no apparent excitonic luminescence features (unlike CBTS). Tracing the unique photoluminescence signatures of these emission lines under various excitation intensities and temperatures helps conclude that the 1.5 eV emission line belongs to shallow quasi donor-acceptor pair (QDAP) recombination, whereas the 1.15 eV emission belongs to deep QDAP transitions. On the other hand, the LT-PL spectrum for CBTS consists of several weak near-band-edge PL emission lines and strong emissions at 2.08 eV and 2.11 eV, and broad/weak defect bands at 1.95/1.6 eV. Based on findings from excitation and temperature dependent PL analysis, PL lines are attributed to bound exciton (at 2.08 eV), free exciton (at 2.11 eV), donoracceptor pair (1.95 eV), and free to bound transitions (1.6 eV). LT-PL analyses point out that the potential fluctuations are more substantial in Zn-based CZTSSe than CBTSSe, which in turn has stronger fluctuations than CBTS. LT-PL, time-resolved terahertz (THz) and photo electron spectroscopy as well as capacitance voltage analyses on CBTSSe films point out that the presence of deep defects within the band gap, short bare film surface minority carrier lifetimes (~50 ps), non-ideal band alignment at the CdS/CBTSSe interface viii (i.e., cliff-like 0.63 eV conduction band offset measured by ultraviolet photoemission spectroscopy) and low density of charge carriers are the primary issues that limit the maximum achievable (1.31 V) VOC to 0.47 V for the 1.59 eV 𝐸! material, resulting in 2.9% PCE devices. The physical measurements provided on the stoichiometric solution-processed CBTSSe absorber bring up critical directions for future performance improvement of the devices based on this Earth-abundant I2-II-IV-VI4 family. Chapter 5 focuses on the first VOC enhancement strategy, i.e., improving intrinsic material quality (e.g., minimizing deep defects and increasing charge carriers) by process optimization through Cu stoichiometry tuning. This chapter targets to increase our understanding of the phase stability and optoelectronic property sensitivity for CBTSSe material. According to XRD and SEM analyses, phase purity is sustained throughout a Cu content range (as measured by [Cu] / [Ba+ Sn]) of nominally 0.94 to 1.01, and grain enlargement correlates with Cu content. THz spectroscopy and Hall effect reveal that the lifetime, carrier mobility, p-type conductivity and hole density (~1013 cm-3) are nominally independent of Cu content. The champion PCE exceeds 4.7% for all copper compositions in the phase pure region, with a record value of 5.1%, representing the highest performance level achieved to this point for a solution-processed device using the indium tin oxide (ITO)/intrinsic zinc oxide (i-ZnO)/CdS/ CBTSSe device architecture. This PCE is equivalent to that for the best vacuum-deposited devices using the same device structure and represents 30% relative change in VOC (0.605 V) compared to the devices with 2.9% ix PCE. These findings suggest that CBTSSe films and solar cells may be less sensitive to Cu stoichiometry compared to kesterite materials and therefore that they may provide a more stable material platform to prepare high quality thin-film solar cells. Finally, Chapter 6 focuses on the second VOC enhancement strategy, i.e., improving interface quality by developing a device architecture that minimizes non-idealities related to band alignment. Chapter 6 demonstrates a >25% improvement in VOC (from ~0.60 V to ~0.76 V) and corresponding enhancement in PCE (~5.1 % to ~6.2 % without anti-reflection coating; ~6.5 % with MgF2 anti-reflection coating, representing the world record PV PCE for the I2-II-IV-IV4 family of materials) for solution-processed CBTSSe solar cells, by introducing an alternative buffer/window stack with a lower electron affinity relative to the conventional CdS/i-ZnO/ITO stack, more in accord with the low electron affinity of the CBTSSe layer. The front stack used for this study consists of a successive ionic layer adsorption and reaction-deposited Zn1-xCdxS buffer combined with sputtered Zn1- xMgxO/Al-doped ZnO window/top contact layers. We have investigated the impact of the front buffer/window by examining the device properties using a combined experimental and device simulation (SCAPS-1D) approach. We show the importance of considering both the buffer and window layer band positions relative to the absorber in optimizing CBTSSe solar cell performance. These chapters help to examine the general validity of the proposition that atomic size/coordination discrimination can be used to target needed defect resistance within the x broader family of complex multinary chalcogenide films by comprehensive screening of semiconductor prospects for CBTSSe films obtained via a solution processing approach and targeted towards light-absorbing applications, particularly in PV and PEC solar. The processing-property understanding gained for solution-processed CBTSSe in these chapters can be translated to other I2-II-IV-VI4 family members towards highly efficient solar devices.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    549378

    Integration of sol-gel derived doped zinc oxide films and solution-processed metal nanoparticles for thin film photodiode and solar cell applications

    İnce film fotodiyot ve güneş hücresi uygulamaları için sol-jel yöntemiyle elde edilen katkılı çinkoksit filmleri ve çözelti-işlemli metal NP'ların entegrasyonu

    MOHAMED NOURI SBETA

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAnkara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi

    Elektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDULLAH YILDIZ

  2. Tez No

    582026

    Manganese doped solution processed nickel oxide hole transport layer for perovskite solar cells

    Perovskit güneş hücreleri için mangan doplu nikel oksit boşluk iletim malzemesi

    MERVE DERYA OFLAZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    KimyaOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. EMRULLAH GÖRKEM GÜNBAŞ

    DR. ÖĞR. ÜYESİ SELÇUK YERCİ

  3. Tez No

    166862

    Preparation of PLZT thin films by chemical solution deposition and their characterization

    PLZT ince filmlerin kimyasal çözeltiden biriktirme yöntemiyle hazırlanışı ve karakterizasyonu

    BURKAN KAPLAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2005

    Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MACİT ÖZENBAŞ

  4. Tez No

    465300

    NiO ince film bazlı elektrokromik kaplama/cihaz tasarımı, hazırlanması ve karakterizasyonu

    Design, preparation and characterization of electrochromic coating/device based on NiO thin film

    GAMZE ATAK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ÖZLEM DUYAR COŞKUN

  5. Tez No

    884259

    MEMS ile entegre mikro ısıtıcı ve IDE mikro sistemlerin fabrikasyonu ve nano kompozit yarı iletken gaz sensör uygulaması

    Fabrication of integrated micro heater and ide micro systems with MEMS and application of nano composite semiconductor GAS sensor

    HALİME İLBEYİİLİNGİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ BERNA MOROVA

    DOÇ. DR. CİHAT TAŞALTIN

Geri Dön