Geçiş metal oksit tabanlı ince film gaz sensörleri
Transition metal oxide based thin film gas sensors
- Tez No: 959555
- Danışmanlar: PROF. DR. MUTLU KUNDAKÇI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Gaz sensörü, Hidrojen sensörü, Yarı iletken ince filmler, Gas sersor, Hydrogen sensor, Semiconductor thin films
- Yıl: 2025
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Amaç: Bu tez çalışmasında, molibden trioksit (MoO₃) ince filmlere dayalı bir hidrojen gazı sensörü geliştirmeyi ve karakterize etmeyi amaçlamaktadır. MoO₃'nin yarı iletken özelliklerini kullanarak, çalışma, malzemenin gaz algılama performansını (özellikle duyarlılığını, seçiciliğini ve hidrojen gazına karşı tepki davranışını) çeşitli çalışma koşulları altında değerlendirmeye odaklanmaktadır. Çalışmanın amacı, hidrojen gazı algılamada uygulama için molibden trioksit (MoO₃) bazlı ince filmler üretmek ve araştırmak, hassasiyetlerine, seçiciliklerine ve tepki özelliklerine odaklanmaktır. Yöntem: Bu çalışmada , molibden trioksit (MoO₃) tabanlı ince filmler spin kaplama yöntemi kullanılarak üretildi. Öncelikle (MoO₃) çözeltisi hazırlanmasıyla başlanıldı. Tam çözünme ve homojenlik sağlamak için uygun miktarda molibden trioksit tozu, manyetik karıştırıcı altında etanol bazlı bir çözücüde çözüldü. Hazırlanan çözelti, ince film oluşturmak için kuartz altlıklar üzerine homojen bir şekilde dağıtıldı. Bulgular: Uygulama sonucunda spin kaplama yöntemi kullanılarak elde edilen molibden trioksit (MoO₃) tabanlı ince filmlerin H2 gazına karşı tepkileri gözlenmiştir. Sonuç: Pd ile katkılanmış MoO3 tabanlı H2 gaz sensörleri , 200°C'de ve 250°C'de 100ppm , 500ppm ve 1000 ppm de H2 gazına karşı tepkiler göstermiştir. Numune B için hesaplanan tepki sürelerinin hem 200°C'de hem de 250°C'de kararlı olduğu görülmektedir. Numune B için ppm değeri arttıkça tepki süreleri azalmıştır. Aynı şekilde 200°C sıcaklıkta Numune A ve Numune C'de de ppm değeri arttıkça tepki süreleri azalmıştır. 250°C sıcaklıkta tepki süreleri bakımından analiz edildiğinde ise numune A ve Numune C için bu kararlılık söz konusu değildir.
Özet (Çeviri)
Purpose: This thesis aims to develop and characterize a hydrogen gas sensor based on molybdenum trioxide (MoO₃) thin films. Using the semiconductor properties of MoO₃, the study focuses on evaluating the gas sensing performance of the material (especially its sensitivity, selectivity and response behavior towards hydrogen gas) under various operating conditions. The aim of the study is to fabricate and investigate molybdenum trioxide (MoO₃) based thin films for application in hydrogen gas sensing, focusing on their sensitivity, selectivity and response properties. Method: In this study, molybdenum trioxide (MoO₃) based thin films were produced using the spin coating method. First, it was started by preparing the (MoO₃) solution. To ensure complete dissolution and homogeneity, an appropriate amount of molybdenum trioxide powder was dissolved in an ethanol-based solvent under a magnetic stirrer. The prepared solution was homogeneously distributed on quartz substrates to form thin films. Findings: As a result of the application, the reactions of molybdenum trioxide (MoO₃) based thin films obtained using the spin coating method against H2 gas were observed. Results: Pd doped MoO3 based H2 gas sensors showed responses to 100ppm, 500ppm and 1000 ppm H2 gas at 200°C and 250°C. It is seen that the response times calculated for Sample B are stable both at 200°C and 250°C. The response times decreased as the ppm value increased for Sample B. Similarly, the response times decreased as the ppm value increased at 200°C for Sample A and Sample C. When analyzed in terms of response times at 250°C, this stability is not the case for Sample A and Sample C.
Benzer Tezler
- Development of ITO (In2O3 – SnO2) based gas sensors
ITO (In2O3 – SnO2) tabanlı gaz sensör geliştirilmesi
SADNA IŞIK
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Atatürk ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
Yükleniyor...
- TiO2 - gözenekli silisyum eklemelerin elektriksel özellikleri
Electrical properties of TiO2 - porous silicon joint
MUSTAFA AYDIN
- Influence of substrate and environmental conditions on nanoscale patterning of graphene via local anodic oxidation
Alttaşın ve çevresel koşulların lokal anodik oksidasyon aracılığıyla grafen üzerine yapılan nano-desenlemeye etkisi
YAREN SEZEN
Yüksek Lisans
İngilizce
2026
İstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
Yükleniyor...
- Organik tabanlı güneş hücrelerinde kullanılabilecek ftalosiyaninlerin hesapsal olarak araştırılması, tasarımı ve sentezi
Design, computational screening and synthesis of novel phthalocyanines as organic based solar cell materials
MERAL ARI
- a-SiOx:H ve kristal silisyumdan (c-Si) oluşan a-SiOx:H/c-Si heteroeklem güneş pillerinin fabrikasyonunu ve karakterizasyonu
The characterisation and fabrication of a-SiOx:H/c-Si heterojunction solar cells
OKAN YILMAZ
