Geri Dön

Silicon oxynitride layers for applications in optical waveguides

Optik dalga kılavuzları uygulamaları için silisyum oksinitrat tabakalar

  1. Tez No: 96223
  2. Yazar: FERİDUN AY
  3. Danışmanlar: PROF. ATİLLA AYDINLI
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: PECVD, Silisyum oksinitrat, FTIR, ATR, Dalga kılavuzu, Optical kayıp, Tavlama, Tek kip şartı, Prisma çiftlemesi. iv, PECVD, Silicon oxynitride, FTIR, ATR, Waveguide, Optical absorption, Single mode, Prism coupling, Annealing. u
  7. Yıl: 2000
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 123

Özet

Silisyum oksinitrat tabakalar, 1.55 fim optik dalgaboyunda çalışan dalga kılavuzlarının çekirdek kısmını oluşturması amaçlanarak, SİH4, N2O, ve NH3 gazları kullanılarak PECVD tekniği ile büyütüldü. Tabakalar 350 °Ode N20 ve NH3 gazlarının akış oranları değiştirilerek elde edildi. Büyütülen tabakaların kırılma indisleri 1.46 ile 2.00 arasında değiştirilebilmektedir. Büyütülen tabakalar FTIR ve ATR yöntemleri ile incelendi. 3500 cm-1 deki N-H salınımmın overtonunun 1.55 fim de soğurmaya neden olduğu bilindiğinden bu bant ayrıntılı incelendi. Isıl tavlamanın tabakaların yapı özelliklerine etkileri araştırıldı. FTIR ve ATR yöntemleri ile tavlama sonucu N-H salınımmın tamamen ortadan kaldırıldığı gösterildi. Silisyum oksinitrata dayalı düzlemsel dalga kılavuzları üretildi ve optik soğurum N-H bağ sayısıyla ilişkilendirildi. Ayrıca, SiON'a dayalı tek kipli dalga kılavuzları da üretilerek bunlardaki giriş kaybı ile optik kayıp ölçüldü. Sonuç olarak düşük kayıplı dalga kılavuzları üretildi. 111

Özet (Çeviri)

Silicon oxynitride layers, aimed to serve as the core material for optical waveguides operating at 1.55/mi, were grown by a PECVD technique using SİH4, N20, and NH3 as precursor gases. The films were deposited at 350 °C, 13.56 MHz RF frequency, and 1 Torr pressure by varying the flow rates of N2O and NH3 gases. The resulting refractive indices of the layers varied between 1.47 and 2.0. The compositional properties of the layers were analyzed by FTIR and ATR infrared spectroscopy techniques. A special attention was given to the N-H bond stretching absorption at 3300-3400 cm-1, since its first overtone is known to be the main cause of the optical absorption at 1.55//m. An annealing study was performed in order to reduce or eliminate this bonding type. For the annealed samples the corresponding concentration was strongly reduced as verified by FTIR transmittance and ATR methods. A correlation between the N-H concentration and absorption loss was verified for silicon oxynitride slab waveguides. Moreover, a single mode waveguide with silicon oxynitride core layer was fabricated. Its absorption and insertion loss values were determined by butt-coupling method, resulting in low loss waveguides.

Benzer Tezler

  1. Silicon based dielectrics: Growth, characterization, and applications in integrated optics

    Silisyum tabanlı dielektrikler: Tümleşik optikte kullanıma yönelik büyütme ve inceleme

    FERİDUN AY

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2005

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ATİLLA AYDINLI

  2. Yeni nesil Si3N4:ZnO fotodiyotların üretimi ve elektro-optik karakterizasyonu

    Manufacturing of novel Si3N4:ZnO photodiodes and their electro-optical characterisation

    ERHAN İBRAHİMOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Metalurji MühendisliğiSakarya Uygulamalı Bilimler Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ZAFER TATLI

    PROF. DR. FATİH ÇALIŞKAN

  3. Thin film coatings with various materials and techniques for smart glass applications

    Akıllı cam uygulamaları için farklı malzemeler ve tekniklerle ince film kaplamalar

    AYŞE DİCEL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Bilim ve Teknolojiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ESRA ZAYİM

  4. Optimization of novel passivation and carrier selective layers on crystalline silicon solar cell technologies

    Kristal silisyum güneş hücresi teknolojilerinde yeni nesil pasivasyon ve taşıyıcı seçici katmanların optimizasyonu

    GAMZE KÖKBUDAK BALDAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Bilim ve TeknolojiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RAŞİT TURAN

  5. Karbotermal sentezleme metodu ile elde edilen silisyum oksi nitrür tozundan 0'-sialon üretimi

    O'-sialon production from silicon oxynitride powder obtained by carbothermal synthesis method

    BERNA AVDAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Metalurji MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. SEMRA KURAMA