DLC arayüzey tabakalı schottky yapılarının dielektrik özellikleri ve sıcaklığa bağlı etkin polarizasyon mekanizmaları
Dielectric properties and temperature-dependent effective polarization mechanisms of schottky structures with DLC interfacial layers
- Tez No: 970533
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ESRA EVCİN BAYDİLLİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Yarı iletkenler, Semiconductors
- Yıl: 2025
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Hakkari Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tez çalışmasında, elmas benzeri karbon (DLC) arayüzey tabakalı Schottky yapıların sıcaklık ve uygulanan gerilime bağlı dielektrik özellikleri etkin polarizasyon mekanizmaları üzerinden incelenmiştir. Bu çalışmada, 80 K ile 410 K sıcaklıkları ve -4 V ile +5 V voltaj aralıklarında elde edilen kapasitans (C) ve iletkenlik (G/ω) ölçümleri kullanılmıştır. Empedans spektroskopisi (IS) yöntemi kullanılarak, kayıp tanjantı (tan(δ)), dielektrik sabiti (ε'), AC iletkenliği (σac), dielektrik kaybı (ε'') ve kompleks elektrik modülü (M*) gibi temel dielektrik parametreler hesaplanmıştır. Tez çalışmasının sonucunda, Düşük sıcaklıklar (DS), orta sıcaklıklar (OS) ve yüksek sıcaklıklar (YS) olarak adlandırılan sıcaklık bölgelerinde dielektrik davranışlarındaki kaymaların polarizasyon mekanizmalarındaki sıcaklık ve gerilim kaynaklı değişikliklerden kaynaklandığını sonucuna ulaşılmıştır. DS'de, dipol polarizasyonu ve tuzaklama etkilerinin baskın etken olduğu belirlenmiştir. OS'de Maxwell-Wagner polarizasyonu giderek baskın hale geldiği görülmüştür. YS'de ise, uzay yükü polarizasyonunun Maxwell-Wagner etkileriyle birlikte baskın bir rol üstlendiği göülmüştür. Bu bulgular, DLC katmanlı Schottky yapıların dielektrik tepkisinin sıcaklığa ve uygulnan gerilime güçlü bir şekilde bağlı olduğunu ve farklı sıcaklık bölgelerinde farklı polarizasyon mekanizmalarının aktif hale geldiğini göstermektedir.
Özet (Çeviri)
In this thesis, the temperature and applied voltage-dependent dielectric properties of diamond-like carbon (DLC) interfacial layered Schottky structures were investigated through effective polarization mechanisms. The present study utilised the capacitance (C) and conductance (G/ω) measurements obtained at temperatures ranging from 80 K to 410 K and voltage ranges spanning from -4 V to +5 V. The impedance spectroscopy (ISM) method was applied to calculate fundamental dielectric parameters, including the dielectric constant (ε'), dielectric loss (ε''), loss tangent (tan(δ)), AC conductivity (σac), and complex electric modulus (M*). The thesis study concluded that the shifts in dielectric behaviour in the temperature regions termed low temperature (LT), moderate temperature (MT) and high temperature (HT) are caused by temperature and voltage induced changes in the mechanisms of polarization. It has been determined that, at DS, dipole polarization and trapping effects are the predominant contributors. At MT, Maxwell-Wagner polarization becomes increasingly dominant. At HT, space charge polarization assumes a dominant role in conjunction with Maxwell-Wagner effects. The findings indicate that the dielectric response of DLC layered Schottky structures is strongly dependent on temperature and applied voltage, and that different polarization mechanisms are activated in different temperature regions.
Benzer Tezler
- DLC arayüzey tabakalı metal- yarıiletken yapıların üretilmesi ve dielektrik özelliklerinin frekansa bağlı incelenmesi
Production of DLC interface layered metal-semiconductor structures and frequency dependent investigation of dielectric properties
NURAY URGUN
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Mekatronik MühendisliğiKarabük ÜniversitesiMekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SERHAT ORKUN TAN
- Nanokompozit Cu:DLC ince film tabakalı Al/(Cu:DLC)/p-Si schottky diyotların hazırlanması, elektrik ile dielektrik özelliklerinin geniş frekans ve voltaj aralığında incelenmesi
Preparation of Al/(Cu:DLC)/p-Si schottky diodes with nanocomposite Cu:DLC thin film layer, investigation of electrical and dielectric properties in a wide frequency and voltage range
AYLAR FEIZOLLAHI VAHID
Doktora
Türkçe
2024
Mühendislik BilimleriZonguldak Bülent Ecevit ÜniversitesiNanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BARIŞ AVAR
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Saf ve bakır katkılı DLC ara katmanlı schottky yapılarının farklı sıcaklık koşulları altındaki elektriksel özellikleri
Electrical properties of pure and copper doped DLC interlayered schottky structures under different temperature conditions
MUSTAFA ŞAHİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AHMET KAYMAZ
- Arayüzey tabakalı ve arayüzey tabakasız Au-Sb/n-Si/Au schottky diyodların karakteristik parametrelerinin teorik ve deneysel karşılaştırılması
Başlık çevirisi yok
SEZAİ ASUBAY
Yüksek Lisans
Türkçe
1995
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiKatıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. TAHSİN KILIÇOĞLU
- Schottky diyot arayüzey malzemesi olarak titanium katkılı elmas benzeri karbon filmin hazırlanması, elektrik ve dielektrik özelliklerinin incelenmesi
Preparation of titanium doped diamond-like carbon film as schottky diode interfacial material and investigation of its electrical and dielectric properties
ÖZNUR ÇAPRAZ
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiZonguldak Bülent Ecevit ÜniversitesiNanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BARIŞ AVAR
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL