Geri Dön

Değişik sabit akım uygulayarak oluşturulan p-Si/SiO2/Al yapılarının arayüzey durum yoğunluklarının araştırılması çalışmaları

Investigation of the interface state densities of p-Si/SiO2/Al structures prepared by the application of various constant currents

  1. Tez No: 97682
  2. Yazar: GÜLSEN GÜLER
  3. Danışmanlar: PROF.DR. TAHSİN KILIÇOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2000
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Dicle Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 38

Özet

IV ÖZET Bu çalışmada, (111) yönlü, p-tip ve özdirenci 10,5-19,5 Ohm-cm. olan silisyum tek kristali kullanıldı. Kristalin parlatılmış yüzüne farklı sabit akım koşulları altında, anodik oksidasyon yöntemi ile oksit kaplandı. Anodik oksidasyon işleminde; 0,6 M NaCl + 0,3 M Na2S04 elektroliti kullanıldı. Elektrolitin pH'ı ölçüldü ve pH=6.50 olarak belirlendi. Anodik oksidasyon sırasında gerilim-zaman verileri ölçüldü. Oksitlenmiş örnekler vakum sistemi kullanılarak yaklaşık 10"5 Torr'luk basınç koşulu altında alüminyum kaplandı. îmal edilen Al /anodik oksit / p-Si yapılarının oda sıcaklığında kapasite-gerilim değerleri ölçüldü. İdeal kapasite-gerilim eğrileri herbir örnek için oda sıcaklığında hesaplanarak çizildi ve ideal eğriden sapmalardan faydalanarak arayüzey durumları bulundu. Arayüzey özellikleri MOS yapılarının C-Vg karakteristiklerinden yararlanılarak belirlendi. a, b ve c örneklerinin tümünün iyonik histeresis gösterdiği gözlendi. Örneklerin iyonik histeresis göstermelerinin nedeni, oksit içindeki hareketli iyonlardır.

Özet (Çeviri)

SUMMARY In this study, (111) oriented, p-type and resistivity of 10,5-19,5 Ohm-cm. of single crystal of silicon was used. The polished faces of the crystals were oxidized by anodic oxidation method under various constant current conditions. In the anodic oxidation of silicon, the solutions: 0,6 M NaCl + 0,3 M Na2S04 were used. The value of pH of the electrolyte was calculated and was determined, as pH=6,50. During the anodic oxidation procedure, the voltage-time values were measured. The oxidized samples were coated with aluminium in the vacuum chamber system under the pressure of 10"5 Torr. The values of the capacity- voltage of Al / anodic oxide / p-Si (MOS) structures were measured at room temperature. Ideal capacity-voltage curves were plotted for each sample and they were compared with experimental curves. The surface states of the samples were calculated by comparing the differences between the ideal and experimental curves. The interface properties were determined by making use of C-Vg characteristics of the MOS structures. It was observed that all of the samples a, b and c showed ionic type hysteresis. The ionic type hysteresis of sample indicates that the oxides contain mobile ions.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    126789

    N-vinylcarbazole styrene and acrylonitrile copolymerization and electrochemical investigation

    N-vinil karbozol stiren ve akrilonitril kopolimerizasyonu ve elektrokimyasal incelenmesi

    YUSUF BARDAVİT

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2002

    Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizikokimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDÜLKADİR SEZAİ SARAÇ

  2. Tez No

    31547

    Düşük şiddetli sabit akımların yara kollagen sentezine etkisi

    Başlık çevirisi yok

    AYŞE GÜLNİHAL CANSEVEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1993

    BiyofizikGazi Üniversitesi

    İşletme Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NESRİN SEYHAN

  3. Tez No

    561440

    Radiation-induced effects on N-type metal oxide semiconductor field effect transistor devices: Modeling, simulation and optimization

    N-tipi metal oksit yarı iletken alan etkili tranzistorlar üzerinde radyasyon kaynaklı etkiler: Modelleme, simülasyon ve optimizasyon

    SADIK İLİK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektro-Optik Sistem Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ MUSTAFA BERKE YELTEN

  4. Tez No

    25437

    Menkul kıymet analizi ve portföy yönetimi İstanbul Menkul Kıymetler Borsası'nda bir uygulama

    Başlık çevirisi yok

    FATMA SAHİLLİOĞLU(GÜNEŞ)

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1993

    İşletmeİstanbul Üniversitesi

    Uluslararası İşletmecilik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. A. BÜLENT PAMUKÇU

  5. Tez No

    334455

    Dik manyetik anizotropili çok katmanlı ultraince Co/Pd filmlerinin anormal Hall etkisi

    The anomalous Hall effect on multilayered ultrathin Co/Pd films with perpendicular magnetic anisotropy

    VEDAT KESKİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BEKİR AKTAŞ

Geri Dön