ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 heteroeklem güneş pilinin elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 heterojunction solar cell
- Tez No: 97761
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. HABİBE BAYHAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2000
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Muğla Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 135
Özet
II ÖZET ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 HETEROEKLEM GÜNEŞ PİLİNİN ELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYONU KAVASOĞLU A. SERTAP Yüksek Lisans Tezi, Fizik Eylül, 2000 Bu çalışmada 'Stuttgart Üniversitesi, Fiziksel Elektronik Araştırma Enstitüsünde, Prof. Dr. Şener OKTİK' tarafından üretilen ve emici tabakasını oluşturan materyallerin göreli ağırlık oranları ; % 22.26 Cu, % 19.46 in, % 7.27 Ga ve %51.02 Se olan n-CdS/p-Cu(In,Ga)Se2 heteroeklem güneş pilin sıcaklık bağımlı akım- voltaj ve kompleks admittans analizleri sunulmuştur. %12 lik verime sahip güneş pilinin JV analiz sonuçlan, karanlık akımının leV luk aktivasyon enerjisi ve 119meV luk karakteristik tünelleme enerjisi ile ara yüzeyde tünellemenin çoğalttığı yeniden birleşme akım iletim mekanizması ile kontrol edilebileceğini ortaya koymuştur. Heteroeklem yapının eşdeğer devresinin birbirlerine paralel bağlı kondansatör ve direnç ile yine bunlara seri bağlı olan bir dirençten meydana geldiği bulunmuştur. Kompleks admittans ölçümleri eklemde tek bir engel potansiyelinin varlığına işaret etmektedir. Sıcaklık bağımlı kapasitans frekans ölçümleri sonucunda aktivasyon enerjileri 30meV ve 90meV olan iki verici tuzak seviyesinin varlığı belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
Ill ABSRACT ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 HETEROJUNCTION SOLAR CELL KAVASO?LU A.SERTAP M.Sc. in Physics September, 2000 In this study, temperature dependent current-voltage and complex admittance analysis of n-CdS/p-Cu(In,Ga)Se2 heterojunction solar cell with absorbing layer having the material compositions of; % 22.26 Cu, % 19.46 In, % 7.27 Ga ve %51.02 Se and prepared by“Prof. Dr. Şener OKTİK at University of Stuttgart IPE”was presented. Result of the JV analysis of the 12% efficient solar cell suggest that the dark current is controlled by the tunneling enhanced interface recombination with an activation energy of leV and characteristic tunneling energy of 119meV. The equivalent circuit of the heterojunction structure is found to equal a resistance connected in series with a paralelly connected resistance capacitance combination. The complex impedance measurements are indicated the existence of single junction in the structure. The frequency and temperature dependent capacitance-voltage studies are indicated the existence of two acceptor-like traps activation energies of 30 and 90meV.
Benzer Tezler
- İnce film CIGSSe soğurucu katmanına sahip güneş hücrelerinde stokiyometrik oranların akım-iletime etkisi
Effect of the stoichiometric ratio on current-transport mechanisms of CIGSSe based heterojunction solar cells
FERHAT ERİŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiBingöl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. OSMAN PAKMA
- Fonksiyonel seramik nem dedektörleri
Electrical characterization of ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 heterojunction solar cell
NEŞE KAVASOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. MURAT BAYHAN
- Cu(In,Ga)Se2 tabanlı güneş pillerinde gövde içi ve ara yüzey tuzak durumlarının incelenmesi
Investigation of bulk and interfacial defect states in Cu(In,Ga)Se2 based solar cells
ADEM DÖNMEZ
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla Sıtkı Koçman ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HABİBE BAYHAN
- Silikon P-I-N fotodiyotların elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of silicon P-I-N photodiodes
ŞADAN ÖZDEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. HABİBE BAYHAN
- Güneş pillerinin cigs soğurucu tabakasının radyasyon karşısındaki davranışı
Behavior of cigs absorber layer of solar cells against to radiation
UTKU CANCİ MATUR
Doktora
Türkçe
2017
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiEnerji Bilim ve Teknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN