Geri Dön

Electrical current-voltage (İ-V) characterization of Ag/n-GaAs schottky structures with pyrifa organic interface layer depending on light intensity

Pyr-ifa organik arayüzey tabakali Ag/n-GaAs schottky yapilarin işik şiddetine bağli elektriksel akim-gerilim (İ-V) karakterizasyonu

PDF İndir

  1. Tez No: 1019137
  2. Yazar: MUHAMMED OĞUZHAN ŞAHİN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. NİHAT TUĞLUOĞLU, DOÇ. DR. SEZEN TEKİN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Enerji, Energy
  6. Anahtar Kelimeler: Işık şiddeti, Light intensity
  7. Yıl: 2024
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Giresun Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu tez çalışmasında, Pyr-IFA organik arayüz tabakası kullanılarak üretilen Ag/Pyr-IFA/n-GaAs/In Schottky diyotunun karanlık ve farklı ışık şiddetleri altındaki elektriksel ve optoelektronik özellikleri incelenmiştir. I–V ölçümleri, yapının belirgin doğrultucu davranış ve fotodiyot karakteristiği sergilediğini göstermiştir. Termiyonik emisyon teorisi ile hesaplanan parametrelerde, ışık şiddeti arttıkça idealite faktörünün 1.590'dan 1.197'ye düştüğü, bariyer yüksekliğinin ise 0.935 eV'den 1.018 eV'ye yükseldiği belirlenmiştir. Seri direnç değerleri Cheung–Cheung ve Norde yöntemleriyle hesaplanmış, organik arayüz tabakasının taşıyıcı iletimini iyileştirdiği görülmüştür. Ayrıca arayüzey durum yoğunluğu analizleri, ışık altında arayüzey tuzaklarının azaldığını göstermiştir. Fotodiyot parametreleri incelendiğinde, ışık şiddetinin artmasıyla birlikte fotohassasiyet (PS) ve doğrusal dinamik aralık (LDR) değerlerinin arttığı, buna karşılık fototepkisellik (R) ve spesifik dedektivite (D*) değerlerinin azaldığı belirlenmiştir. Bu sonuçlar, Ag/Pyr-IFA/n-GaAs/In yapısının fotodedektör ve optoelektronik uygulamalar için uygun bir aday olduğunu göstermektedir.

Özet (Çeviri)

In this thesis, the electrical and optoelectronic properties of an Ag/Pyr-IFA/n-GaAs/In Schottky diode with a Pyr-IFA organic interfacial layer were investigated under dark and various illumination intensities. The I–V measurements confirmed that the device exhibited rectifying and photodiode behavior. According to thermionic emission analysis, the ideality factor decreased from 1.590 to 1.197, while the barrier height increased from 0.935 eV to 1.018 eV with increasing illumination intensity. Series resistance analyses indicated improved carrier transport due to the organic interlayer. Interface state density calculations showed reduced interface traps under illumination. When the photodiode parameters were examined, it was determined that the photosensitivity (PS) and linear dynamic range (LDR) values increased with increasing illumination intensity, whereas the photoresponsivity (R) and specific detectivity (D*) values decreased. These results suggest that the fabricated Ag/Pyr-IFA/n-GaAs/In structure is a promising candidate for optoelectronic and photodetector applications.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    581991

    Au-Cu/n-GaAs/In ve Au-Ag/n-GaAs/In Schottky diyotların akım-voltaj ölçümlerinden elde edilen karakteristik parametreler üzerine numune sıcaklığının etkileri

    Effects of sample temperature on the characteristic parameters obtained from the current-voltage measurement of Au-Cu/n-GaAs/In ve Au-Ag/n-GaAs/In Schottky diodes

    SELİN BOYLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BETÜL GÜZELDİR

  2. Tez No

    327053

    Organik arayüzeyli GaAs schottky diyodların elektriksel karakterizasyonu

    Electrical characterization of GaAs schottky diodes with organic interface

    FEZA BOY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    DOÇ. DR. MEHMET ŞAHİN

  3. Tez No

    392009

    Yarıiletken polimer (P3DMTFT) arayüzeyli Au/n-GaAs Schottky yapının akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim-frekans (C-V-f) özelliklerinin karakterizasyonu )

    Characterization of current-voltage (I-V) and capacitance-voltage-frequency (C-V-f) features of Au/n-GaAs Schottky structure with interface semiconducting polymer (P3DMTFT)

    DİLARA ECEM AKCAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR

  4. Tez No

    549378

    Integration of sol-gel derived doped zinc oxide films and solution-processed metal nanoparticles for thin film photodiode and solar cell applications

    İnce film fotodiyot ve güneş hücresi uygulamaları için sol-jel yöntemiyle elde edilen katkılı çinkoksit filmleri ve çözelti-işlemli metal NP'ların entegrasyonu

    MOHAMED NOURI SBETA

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAnkara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi

    Elektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDULLAH YILDIZ

  5. Tez No

    380894

    Al/rubrene/n-GaAsSschottky diyodların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu

    Temperature dependent electrial characterization of Al/rubrene/n-GaAs Schottky diodes

    FERİDE ÇALIŞKAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ÖMER FARUK YÜKSEL

Geri Dön