Pyr-IFA organik arayüz tabanlı Ag/n-GaAs Schottky yapıların ışık şiddetine bağlı elektriksel akım-gerilim (I-V) karakterizasyonu
Electrical current voltage (I-V) characterization of Ag/n-GaAs Schottky structures with Pyr-IFA organic interface layer depending on light intensity
- Tez No: 1019137
- Danışmanlar: PROF. DR. NİHAT TUĞLUOĞLU, DOÇ. DR. SEZEN TEKİN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Enerji, Energy
- Anahtar Kelimeler: Işık şiddeti, Light intensity
- Yıl: 2026
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Giresun Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tez çalışmasında, Pyr-IFA organik arayüz tabakası kullanılarak üretilen Ag/Pyr-IFA/n-GaAs/In Schottky diyotunun karanlık ve farklı ışık şiddetleri altındaki elektriksel ve optoelektronik özellikleri incelenmiştir. I–V ölçümleri, yapının belirgin doğrultucu davranış ve fotodiyot karakteristiği sergilediğini göstermiştir. Termiyonik emisyon teorisi ile hesaplanan parametrelerde, ışık şiddeti arttıkça idealite faktörünün 1.590'dan 1.197'ye düştüğü, bariyer yüksekliğinin ise 0.935 eV'den 1.018 eV'ye yükseldiği belirlenmiştir. Seri direnç değerleri Cheung–Cheung ve Norde yöntemleriyle hesaplanmış, organik arayüz tabakasının taşıyıcı iletimini iyileştirdiği görülmüştür. Ayrıca arayüzey durum yoğunluğu analizleri, ışık altında arayüzey tuzaklarının azaldığını göstermiştir. Fotodiyot parametreleri incelendiğinde, ışık şiddetinin artmasıyla birlikte fotohassasiyet (PS) ve doğrusal dinamik aralık (LDR) değerlerinin arttığı, buna karşılık fototepkisellik (R) ve spesifik dedektivite (D*) değerlerinin azaldığı belirlenmiştir. Bu sonuçlar, Ag/Pyr-IFA/n-GaAs/In yapısının fotodedektör ve optoelektronik uygulamalar için uygun bir aday olduğunu göstermektedir.
Özet (Çeviri)
In this thesis, the electrical and optoelectronic properties of an Ag/Pyr-IFA/n-GaAs/In Schottky diode with a Pyr-IFA organic interfacial layer were investigated under dark and various illumination intensities. The I–V measurements confirmed that the device exhibited rectifying and photodiode behavior. According to thermionic emission analysis, the ideality factor decreased from 1.590 to 1.197, while the barrier height increased from 0.935 eV to 1.018 eV with increasing illumination intensity. Series resistance analyses indicated improved carrier transport due to the organic interlayer. Interface state density calculations showed reduced interface traps under illumination. When the photodiode parameters were examined, it was determined that the photosensitivity (PS) and linear dynamic range (LDR) values increased with increasing illumination intensity, whereas the photoresponsivity (R) and specific detectivity (D*) values decreased. These results suggest that the fabricated Ag/Pyr-IFA/n-GaAs/In structure is a promising candidate for optoelectronic and photodetector applications.
Benzer Tezler
- Gemi levhalarının elasto-plastik olarak incelenmesi
Elasto-plastic analysis of the ship plates
MEHMET ÇEVİK
- Enerji dağıtım sistemi empedans değişimlerinin iletişim frekanslarında analizi
Analysis of impedance variations for communication frequencies on power distribution
ETEM KÖKLÜKAYA
- Kullanılmış kızartma yağının alternatif dizel yakıtı olarak değerlendirilmesi
Evaluation of used frying oil as alternative diesel fuel
A.NÜVİT SİPAHİLER
