Al/rubrene/n-GaAsSschottky diyodların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu
Temperature dependent electrial characterization of Al/rubrene/n-GaAs Schottky diodes
- Tez No: 380894
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ÖMER FARUK YÜKSEL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2015
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Selçuk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 79
Özet
Bu tez çalışmasında, spin kaplama yöntemiyle n tipi GaAs (100) alt tabaka üzerinde 5,6,11,12-tetraphenyl-naphthacene (rubrene) film hazırlandı. Al/rubrene/n-GaAs Schottky diyotun aygıt parametreleri, 50 K adımlarla 100-300 K sıcaklık aralığında akım-gerilim (I-V) karakteristikleri ve 1 MHz ve 300 K'de kapasite-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G-V) karakteristikleri yardımıyla araştırılmıştır. Doyma akımı ( ), ideallik faktörü (n) ve engel yüksekliği ( )'nin deneysel değerleri sırasıyla 100 K'de 2.749 pA, 6.051 and 0.297 eV ve 300 K'de 57.54 pA, 1.918 and 0.870 eV olarak hesaplanmıştır. Seri direnç değerleri ( ), Cheung fonksiyonları kullanılarak bütün sıcaklıklarda elde edilmiştir. değerleri, 100 K ve 300 K için sırasıyla 1276.4 ve 119.7 olarak bulunmuştur. Ayrıca, arayüzey durum yoğunluğu ( )'nun enerji dağılımı, bütün sıcaklık değerleri için beslemle üstel olarak arttığı bulunmuştur. 'in enerji değerleri, 300 K'de ( ) eV'de 1.57× 1011 eV−1 cm−2'den ( ) eV'de 1.14 × 1011 eV−1 cm−2'e değişmiştir. İdeallik faktörleri sıcaklık artışıyla azalırken engel yüksekliklerinin arttığı gözlenmiştir. Schottky engel yüksekliği ve ideallik faktörünün sıcaklık bağımlılığının gözlenen anomalisi, aynı sıcaklık aralıklarında Schottky engel yüksekliğinin Gauss dağılımıyla açıklanmıştır. Al/rubrene/n-GaAs Schottky engel diyotu, ortalama engel yüksekliği ( ) 1.076 eV ve standart sapması ( ) 0.119 V veren Gauss dağılımı göstermiştir. 1 MHz için diyotun Schottky engel yüksekliği ( ), seri direnç ( ) ve arayüzey durumların yoğunluğu ( ) değerleri sırasıyla 1.004 eV, 1.18 k ve 2.145 x 1011 eV-1 cm-2 olarak hesaplanmıştır.
Özet (Çeviri)
In this thesis, 5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene (rubrene) film was prepared on n type GaAs (100) substrate by means of spin coating method. The device parameters of Al/rubrene/n-GaAs (100) Schottky diode have been investigated by means of current-voltage (I–V) characteristics in the temperature range 100–300 K by steps of 50 K and capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) characteristics at 1 MHz and 300 K. The experimental values of saturation current ( ), ideality factor (n) and barrier height ( ) are calculated as 2.749 pA, 6.051 and 0.297 eV at 100 K and 57.54 pA, 1.918 and 0.870 eV at 300 K, respectively. The values are found as 1276.4 and 119.7 for 100 K and 300 K, respectively. It is also found that the energy distribution of the interface state density ( ) increased exponentially with bias for all temperatures values. The energy values of varied from 1.57× 1011 eV−1 cm−2 at ( ) eV to 1.14 × 1011 eV−1 cm−2 at ( ) eV for 300y K. It is observed that barrier heights increased while ideality factors decreases with the increasing temperature. The observed anomaly of temperature dependence of Schottky barrier height and ideality factor are explained by Gaussian distribution of Schottky barrier height in the same temperature ranges. Al/rubrene/n-GaAs Schottky barrier diode have been shown a Gaussian distribution giving mean barrier height ( ) of 1.076 eV and standard deviation ( ) of 0.119 V. Schottky barrier height ( ), series resistance ( ) and the density of interface states ( ) values of the diode were calculated as 1.004 eV, 1.18 k and 2.145 x 1011 eV-1 cm-2 for 1 MHz, respectively.
Benzer Tezler
- Mechanical properties of PM AI-Sic compasides produced by conventional hot-pressing method
Geleneksel sıcak presleme yöntemi ile üretilmiş TM AI-Sic kompozitlerin mekanik özellikleri
GÜRLER KAYA
Yüksek Lisans
İngilizce
1999
Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. RIZA GÜRBÜZ
- Al matrisli Al2O3 takviyeli kompozit malzemelerinin katı hal teknikleri ile kaynak edilebilirliğinin araştırılması
The investigation of weldability of al matrix-Al2O3 reinforced composite materials with solid state bonding methods
SONER BUYTOZ
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Eğitim ve ÖğretimFırat ÜniversitesiMetalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NURİ ORHAN
- Al-alaşımlarında yaşlandırma sertleşmesiyle aşınma dayanımının iyileştirilmesi
Improvement of resistance to corrosion with ageing hardness in aluminium alloys
ÜMİT GÜRKAN BİRİCİK
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Makine MühendisliğiUludağ ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. A. HALİM DEMİRCİ
- Al-sütunlu kil katalizörlerinin hazırlanması, karakterizasyonu ve piridin adsorpsiyonuyla yüzey asitliklerinin belirlenmesi
Preparation and characterization of al-pillared clay catalysts and determination of their surface acidity by pyridine adsorption
MUSTAFA AVCI
- el-Hasan bin Esed el-Fariki hayatı ve şairliği
al-Hasan bin Asad al-Fareqi his life and poetry
AHMET ASLAN
Doktora
Türkçe
1999
Doğu Dilleri ve EdebiyatıHarran ÜniversitesiTemel İslam Bilimleri Ana Bilim Dalı
PROF.DR. İBRAHİM DÜZEN