Geri Dön

Organik arayüzeyli GaAs schottky diyodların elektriksel karakterizasyonu

Electrical characterization of GaAs schottky diodes with organic interface

  1. Tez No: 327053
  2. Yazar: FEZA BOY
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. MEHMET ŞAHİN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2013
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Selçuk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
  12. Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 57

Özet

Bu tez çalışmasında organik (perylene-diimide) ara yüzeyli Ag/n-GaAs yarıiletken Schottky diyodun elektriksel karakterizasyonu geniş bir sıcaklık aralığında sistematik bir şekilde gerçekleştirilmiştir. Numune hazırlama aşamasında öncelikle (100) doğrultusunda büyütülmüş n-GaAs tabakaya, In ohmik kontak yapılmıştır. Daha sonra spin kaplama yöntemiyle, n-GaAs tabkanın diğer yüzeyi perylene-diimide ile kaplanmış ve bunun üzerine Ag doğrultucu Schottky kontakları ısısal buharlaştırma yöntemiyle oluşturulmuştur. İlk olarak, hazırlanan diyotların 75-350 K sıcaklık aralığında akım-gerilim (I-V) ölçümleri gerçekleştirilmiş ve diyod karakteristiği sergiledikleri görülmüştür. I-V karakteristiklerinden idealite faktörü, engel yüksekliği, seri direnç gibi diyota ait bazı parametreler hesaplanmıştır. Bu parametreler, Cheung-Cheung yöntemiyle de hesaplanmış ve her iki yöntemden elde edilen sonuçlar karşılaştırmalı olarak verilmiştir. Ayrıca perylene ara yüzeyli Schottky diyotun ara yüzey durumlarını belirlemek için oda sıcaklığında 1MHz frekansında sığa-gerilim (C-V) karakteristikleri de incelenmiştir. Bu ölçümlerden, taşıyıcı yoğunluğu, engel yüksekliği gibi diyota ait bazı elektriksel parametreler belirlenmiştir. I-V ölçümlerinden elde edilen engel yüksekliği ile C-V ölçümlerinden elde edilen engel yüksekliği değerleri karşılaştırılmalı olarak verilmiştir. Sonuçta her iki yöntem ile belirlenen değerlerin uyum içinde olduğu gözlenmiştir.

Özet (Çeviri)

In this thesis, electrical characterization of an Ag/n-GaAs semiconductor Schottky diode with organic (perylene-diimide) interface has been systematically carried out over a wide temperature range. In sample fabrication stage, first, the ohmic In contact has been performed on one surface of n-GaAs wafer grown in direction of (100). Later, the other surface of the wafer has been coated with perylene-diimide by spin-coating method and then the Schottky contacts have been constituted on the organic material via thermal evaporation method. The current-voltage (I-V) characteristics of prepared Schottky diodes have been measured at a temperature range of 75-350 K and it has been observed that the diode have a rather good rectification behavior at all temperature. By using the I-V characteristics, the idealite factor, barrier height and some other diode parameters have been calculated for all temperatures. These parameters have also been calculated by means of Cheung-Cheung methods and given as comparatively. Besides, for determine the interface states of Schottky diode with perylene interface, capacitance-voltage (C-V) characteristics have been investigated at room temperature at 1MHz frequency. From these measurements, the concentration of carriers, barrier height and some other diode parameters have been obtained. The barrier heights of diode have been compared with the results obtained by I-V and C-V methods. It has been seen that there is a good agreement with each other.

Benzer Tezler

  1. Metal/organik/inorganik Schottky diyodların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu

    Temperature dependent electrical characterization of metal/organic/inorganic Schottky diodes

    NARİN ŞİMŞİR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. HALUK ŞAFAK

  2. Organik arayüzey tabakaya sahip Au/n-GaAs schottky engel diyotların akım-voltaj (I-V) karakteristiklerinin incelenmesi

    The investigation of current-voltage characteristics of Au/n-GaAs schottky barrier diodes with organic interfacial layer

    MEHMET AKİF ALPER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. HABİBE USLU

  3. Polivinil alkol arayüzey tabakalı schottky engel diyotların hazırlanması ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    The preparation of schottky barrier diodes with polyvinyl alcohol interface layer and the investigation of their electrical properties

    OSMAN ÇİÇEK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HABİBE TECİMER

  4. Perilen monoimit organik arayüzeyli Ag/n-GaAs schottky diyotlarda frekansa bağlı kapasitans-kondüktans-gerilim karakteristiklerinin araştırılması

    Vestigation of frequency-dependent capacitance-conductance-voltage characteristics of Ag/n-GaAs schottky diodes with perylene monoimide organic interface

    AHMET EFE AYDIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    EnerjiGiresun Üniversitesi

    Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NİHAT TUĞLUOĞLU

  5. Ag perilen diimit / nGaAs/In schottky diyotlarda frekansa bağlı kapasitans-iletkenlik-gerilim karakteristiklerinin araştırılması

    Investigation of frequency-dependent capacitance-conductance-voltage properties of Ag/perylene diimide/n-GaAs/In schottky diodes

    EMRE KARAKAYA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    EnerjiGiresun Üniversitesi

    Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NİHAT TUĞLUOĞLU