Al/SnO2/p-Si/Al yapılarında yüzey şartlarının elektroniksel iletkenliğe etkisi
The Effect of surface conditions on electronic transportation mechanism of Al/SnO2/P-Si/Al structure
- Tez No: 104369
- Danışmanlar: PROF. DR. TÜLAY SERİN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2001
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ankara Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 130
Özet
ÖZET Doktora Tezi Al/Sn02/p-Si/Al YAPILARINDA YÜZEY ŞARTLARININ ELEKTRONİKSEL İLETKENLİĞE ETKİSİ Serdar KARADENİZ Ankara Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Mühendisliği Anabilim Dalı Danışman: Prof. Dr. Tülay SERİN Bu çalışmanın amacı yüzey şartlarından kaynaklanan yüzey durumlarının Al/SnCVp- Si/Al yapısının elektroniksel iletkenliğine etkisinin araştırılmasıdır. Bu amaçla, p-tipi, 0.8 fî-cm özdirençli (111) yönünde silisyum tek kristali kullanılarak Al/SnCVp-Si/Al diyotlan hazırlanmıştır. Sn02 tabakasım oluşturmak üzere bir püskürtme sistemi geliştirilmiştir. SnÛ2 ince filmlerinin yüzey morfolojileri Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM) yardımıyla alınmıştır. Elde edilen bu yapılara etki eden faktörler ve fiziksel parametreler incelenmiştir. Düz beslem akım-gerilim (I-V) ve ters beslem kapasite- gerilim (C-V) belirtkenleri 173K - 313K sıcaklık aralığında ölçülmüştür. C-V ölçümleri 100Hz, 1kHz, 10kHz, 100kHz, 500kHz ve 1MHz frekanslarında yapılmıştır. Yapıya etki eden arayüzey durumlarının enerji bağımlılığı yüksek-düşük frekans kapasite yönteminden, Chattopadhyay yönteminden ve ideallik faktörü ile yüzey durumlan arasındaki ilişkiden yararlanılarak elde edilmiştir. 2001, 114 Sayfa ANAHTAR KELİMELER: AFM, Arayüzey Durumlan, MİS, Sn02, TE Kuramı, TAE Kuramı, AE Kuramı
Özet (Çeviri)
ABSTRACT Ph. D. Thesis THE EFFECT OF SURFACE CONDITIONS ON ELECTRONIC TRANSPORTATION MECHANISM OF Al/Sn02/p-Si/Al STRUCTURE Serdar KARADENİZ Ankara University Graduate School Natural and Applied Sciences Department of Engineering Physics Supervisor: Prof. Dr. Tülay SERÎN In the present work it was aimed to determine the effect of surface states on the electronic conductivity of Al/Sn02/p-Si/Al structure. In order to realize that goal, the Al/Sn02/p-Si/Al diodes were prepared p-type, 0.8 £2-cm resistivity from single crystalline silicon of orientation (111). A spraying system was established in order to produce SnOî thin films. The morphology of Sn(h thin films were measured by means of Atomic Force Microscope (AFM). The physical parameters which effected on the electronical conductivity of the structures were determined. The forward current-voltage (I-V) measurements were performed in the temperature range of 173 - 313K. The reverse capacitance-voltage (C-V) characterictics were measured at 100Hz, 1kHz, 10kHz, 100kHz, 500kHz and 1MHz frequencies at the same temperature range. The energy profile of the surface states effecting on diodes were determined by using high- low frequency capacitance method, Chattopadhyay method and the relation between surface states and ideality factor. 2001, 114 Pages KEY WORDS: AFM, Interface States, MIS, Sn02, TE Theory, TFE Theory, FE Theory
Benzer Tezler
- Capacitance-voltage and current-voltage characteristic properties of ZnO:Al/p-Si heterojunction
ZnO:Al/p-Si heterokavşakların kapasitans-voltaj ve akım-voltaj karakteristik özellikleri
YELİZ KÖSE
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT BAYDOĞAN
- Al/ SnO2/ p-Si/ Al yapılarında ısısal tavlamanın yüzey durumlarına etkisi
The Effect of thermal annealing on interface states in Al/ SnO2/ p-Si/ Al
NURCAN YILDIRIM
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TÜLAY SERİN
- Çift katmanlı nano yapıların radyasyon sensörü olarak incelenmesi
Investigation of double -layer nanostructures as radiation sensors
ZEYNEP ALTIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiNükleer Bilimler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEMA BİLGE OCAK
- SnO2/p-Si heteroeklem yapıların termal buharlaştırmayla üretilmesi, diyot ve fotovoltaik özelliklerinin incelenmesi
Production of SnO2/p-Si heterojunction structures by thermal evaporation, investigation of diode and photovoltaic characteristics of them
MEHMET ALİ EVCİL
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiVan Yüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CABİR TEMİRCİ
- Al/SnO2/p-Si MIS diyotun elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi
Electrical and optical properties of Al/SnO2/p-Si mis diode
ASLI AYTEN TAYŞİOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. YÜKSEL BEKTÖRE