Geri Dön

Al/ SnO2/ p-Si/ Al yapılarında ısısal tavlamanın yüzey durumlarına etkisi

The Effect of thermal annealing on interface states in Al/ SnO2/ p-Si/ Al

  1. Tez No: 120927
  2. Yazar: NURCAN YILDIRIM
  3. Danışmanlar: PROF. DR. TÜLAY SERİN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2002
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Ankara Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 84

Özet

ÖZET Yüksek Lisans Tezi Al/SnO2/p-Si/Al YAPILARINDA ISISAL TAVLAMANIN YÜZEY DURUMLARINA ETKİSİ Nurcan YILDIRIM Ankara Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Mühendisliği Anabilim Dalı Danışman: Prof. Dr. Tülay SERİN Bu çalışmanın amacı Al/SnO2/p-Si/Al yapılarının incelenmesi ve ısısal tavlamanın yüzey durumlarına etkisinin araştırılmasıdır. Bu amaçla, p-tipi, O.S îî-cm özdirençli (111) yönünde silisyum tek kristali kullanılarak Al/SnO2/p-Si/Al diyotları hazırlanmıştır. Elde edilen bu yapılara etki eden faktörler ve fiziksel parametreler incelenmiştir. Düz beslem akım-gerilim (I-V) belirtkenleri 123-293K sıcaklık aralığında ve ters beslem kapasite-gerilim (C-V) belirtkenleri 153-293K sıcaklık aralığında ve 100 kHz frekansta ölçülmüştür. Yapıya etki eden arayüzey durumlarının enerji bağlılığı ideallik faktörü ile yüzey durumları arasındaki ilişkiden ve sıcaklık yönteminden elde edilmiştir. Daha sonra ise yapı 2S0 "C'de önce 1 saat sonra 3 saat süreyle tavlanmıştır. Aynı parametreler tekrar hesaplanarak ısısal tavlamanın etkisi incelenmiştir. 2002,73 sayfa ANAHTAR KELİMELER : Arayüzey Durumları, Isısal Tavlama, MİS, SnO2

Özet (Çeviri)

ABSTRACT Ph. M. Thesis THE EFFECT OF THERMAL ANNEALING ON INTERFACE STATES IN AI/S11O2/P-Sİ/AI STRUCTURE Nurcan YILDIRIM Ankara University Graduate School Natural and Applied Sciences Department of Engineering Physics Supervisor: Prof. Dr. TOlay SERÎN In the present work it was aimed to determine the effects of thermal annealing on surface states and to analyze Al/SnOa/p-Si/Al structures. In order to realize that goal, the Al/Sn02/p-Si/Al diodes were prepared p-type, 0.8 D-cm resistivity from single crystalline silicon of orientation (111). The physical parameters and factors which effected these structures were determined. The forward current-voltage (I-V) measurements were performed in the temperature range of 123-293K. The reverse capacitance-voltage (C-V) characteristics were measured at 100kHz frequency at the temperature range of 153-293K. The energy profile of the surface states effecting on diodes were determined by the relation between surface states and ideality factor and temperature procedure. Then the structure was annealed at 250°C for an hour and later for 3 hours. By calculating the same parameters again the effects of thermal annealing was determined. " * 2002, 73 pages Key Words : Interface States, Thermal Annealing, MIS, SnOj

Benzer Tezler

  1. Al/SnO2/p-Si/Al yapılarında yüzey şartlarının elektroniksel iletkenliğe etkisi

    The Effect of surface conditions on electronic transportation mechanism of Al/SnO2/P-Si/Al structure

    SERDAR KARADENİZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2001

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TÜLAY SERİN

  2. Çift katmanlı nano yapıların radyasyon sensörü olarak incelenmesi

    Investigation of double -layer nanostructures as radiation sensors

    ZEYNEP ALTIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Nükleer Bilimler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEMA BİLGE OCAK

  3. SnO2/p-Si heteroeklem yapıların termal buharlaştırmayla üretilmesi, diyot ve fotovoltaik özelliklerinin incelenmesi

    Production of SnO2/p-Si heterojunction structures by thermal evaporation, investigation of diode and photovoltaic characteristics of them

    MEHMET ALİ EVCİL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiVan Yüzüncü Yıl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CABİR TEMİRCİ

  4. Capacitance-voltage and current-voltage characteristic properties of ZnO:Al/p-Si heterojunction

    ZnO:Al/p-Si heterokavşakların kapasitans-voltaj ve akım-voltaj karakteristik özellikleri

    YELİZ KÖSE

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MURAT BAYDOĞAN

  5. Al/SnO2/p-Si MIS diyotun elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi

    Electrical and optical properties of Al/SnO2/p-Si mis diode

    ASLI AYTEN TAYŞİOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. YÜKSEL BEKTÖRE