Au/n-gaas metal yarıiletken kontakların optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the optical properties of the au/n-gaas metal semiconductor contacts
- Tez No: 245617
- Danışmanlar: YRD.DOÇ.DR. METİN ÖZER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2009
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
- Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 83
Özet
Bu çalışmada, (111) yönelimli, 400 ?m kalınlığında, 1x1017cm-3 taşıyıcı yoğunluğuna sahip n-tipi GaAs yarıiletken üzerine metal buharlaştırma metodu ile Au/n-GaAs yapılar oluşturuldu. Oda sıcaklığında karanlık ve aydınlıkta akım-gerilim (I-V) karakteristikleri, karanlıkta 10 KHz -1,2 MHz aralığındaki frekansa bağımlı sığa-gerilim (C-V) karakteristikleri incelendi. C-V ölçümlerinden arayüzey durum yoğunluğu değerleri hesaplandı ve frekansa bağlı olarak azaldığı görüldü. Hazırlanan bu yapıların 80K-380K sıcaklık aralığında akım-gerilim (I-V) özellikleri incelendi, idealite faktörü n, Schottky engel yüksekliği ?B ve diğer bazı diyot parametreleri hesaplandı. Oda sıcaklığında engel yüksekliği 0,644 eV, idealite faktörü ise 1,86 olarak bulundu. Sıcaklık artışıyla idealite faktörünün azaldığı, engel yüksekliğinin ise arttığı gözlendi. Ayrıca 1 MHz frekansta yukarıda belirtilen sıcaklık aralığında sıcaklığa bağlı sığa-gerilim (C-V) özellikleri incelendi. Bu verilerden difüzyon potansiyeli VD, engel yüksekliği ?B, verici atomların yoğunluğu ND, tüketim tabakası genişliği WD hesaplandı. Oda sıcaklığında engel yüksekliği 0,91 eV olarak bulundu. Işık kaynağı kullanılarak farklı ışık kaynağı çıkış güçlerinde 5-250 W aralığında akım-gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı. Bu ölçümlerden elde edilen veriler kullanılarak güneş pili parametreleri hesaplandı. Işık kaynağından 250 W' lık çıkış gücü için doluluk faktörü 68,90 ve verim % 12,20 olarak bulundu. Schottky diyotların engel yüksekliği, idealite faktörleri farklı dalgaboylarına sahip ışık filtreleri kullanılarak 50-250 W aralığında beş farklı ışık şiddeti için hesaplandı. Engel yükseklikleri ve idealite faktörlerinin ışık frekansı ile değiştiği gözlendi. 250 W çıkış gücü için tüm filtrelerde güneş pili parametreleri incelendi.
Özet (Çeviri)
In this study, Au/n-GaAs structures were prepared on n-type GaAs semiconductor with orientation (111) and having 400 ?m thickness and carriers concentration of 1x1017cm-3 by metal evaporation method. Characteristics of current-voltage (I-V) at room temperature under light and darkness and characteristics of capacitance-voltage (C-V) which is bound to frequency range of 10 KHz-1,2 MHz has been analyzed. Density of interface state values has been evaluated and it has been noticed that it decreases as frequency increases. Prepared structure's current-voltage (I-V) specifications have been analyzed under 80K-380K temperature changes and ideality factor n, Schottky barrier heights ?B and other related diode parameters has been evaluated. At room temperature, it has been calculated for barrier heights as 0,644 eV and for ideality factor as 1,86. It has been observed that ideality factor decreases barrier height increases as temperature increases. At 1 MHz frequency, capacitance-voltage (C-V) specifications with changing temperature have been analyzed. Using these data, diffusion voltage VD, barrier height ?B, concentration of donor ND and width of depletion layer WD has been calculated. At room temperature barrier height value has been calculated as 0,91 eV. Current-voltage (I-V) has been measured with different output powers of 5-250 W using the Light Source. Solar cell parameters using data gathered from this measurement has been evaluated. Fill factor has been found as 68,90 and efficiency as 12,20%, with the Light Source having 250 W of power output. Barrier heights and ideality factors of Schottky diodes have been analyzed using filters with different wavelengths in five different powers of light sources ranging from 50 to 250 W. It has been observed that barrier heights and ideality factor changes with changing light frequency. Solar cell parameters have been analyzed for 250 W of output power for all filters.
Benzer Tezler
- Au-Cu/n-GaAs/In ve Au-Ag/n-GaAs/In Schottky diyotların akım-voltaj ölçümlerinden elde edilen karakteristik parametreler üzerine numune sıcaklığının etkileri
Effects of sample temperature on the characteristic parameters obtained from the current-voltage measurement of Au-Cu/n-GaAs/In ve Au-Ag/n-GaAs/In Schottky diodes
SELİN BOYLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BETÜL GÜZELDİR
- P-GaAs yariiletkeni ile hazırlanan metal yariiletken kontakların elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of diode properties of schottky barrier prepared with p-GaAs semiconductor
AHMET ASİMOV
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. METİN ÖZER
- GaAs tabanlı yarı iletken aygıtlar için düşük dirençli ohmik kontak yapılarının geliştirilmesi
Development of low resistance ohmic contact structures for GaAs based semiconductor devices
KORAY KESER
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA KULAKCI
- Metal/ GaAs ve metal/ yalıtkan/ GaAs schottky diyotların akım-kapasite-gerilim karakteristiklerinin incelenmesi
The Determination of the current-capaticance-conductance characteristics of metal/ GaAs and metal/ insulator/ GaAs schottky diodes
NEZİR YILDIRIM
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDÜLMECİT TÜRÜT
- Atomik katman kaplama tekniği ile sentezlenen nano-ölçekli AL2O3 ara katmanlı, yarıiletken malzeme temelli schottky diyotların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu
Temperature dependent electrical characterization of schottky diodes with nanoscale AL2O3 interfacial layers synthesized via atomic layer deposition technique
ABDULKERİM KARABULUT
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULMECİT TÜRÜT
YRD. DOÇ. DR. NECMİ BIYIKLI