Geri Dön

Metal/n-GaAs Schottky diyot üretimi ve elektriksel özelliklerinin I-V, C-V-f, G/ω-V-f ölçümlerinden incelenmesi

Production of metal/N-GaAs Schottky diodes and theinvestigaton their electrical characteristics ussing I-V, C-V-f, G/ω-V-f measurement

PDF İndir

  1. Tez No: 530498
  2. Yazar: HASAN ATÇEKEN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. HAZİRET DURMUŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2018
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Selçuk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Yüksek ergime sıcaklığına sahip Renyum metali, Pulsed Laser Deposition (PLD) yöntemi ile n tipi GaAs yarıiletken üzerine biriktirilerek Schottky diyotlar oluşturuldu. Diyot karakteristik parametreleri oda sıcaklığında, akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj-frekans (C-V-f) ve kondüktans-voltaj-frekans (G/ω-V-f) ölçümleri kullanılarak incelendi. Diyotun doyma akımı (IO), idealite faktörü (n), seri direnç (RS) ve sıfır beslem engel yüksekliği (ΦBo) karakteristik parametreleri sırası ile 5,79 10-6 Amper, 2.27, 3,125 Ω ve 0.56 eV olarak bulundu. Enerjiye bağlı arayüzey dururmları (NSS), engel yüksekliği ile idealite faktörünün voltaja bağlı değerleri n(V) ve tüketim tabakası kalınlığı (WD) kullanılarak (Ec - 0,23) eV ile (Ec - 0,50) eV aralığında elde edilmiştir. Diyotun oda sıcaklığında Kapasitans-voltaj (C-V) ve kondüktans-voltaj (G/ω-V) karakteristikleri, 10 kHz - 3 MHz frekans aralığında incelendi. Difüzyon potansiyeli (VD) 500 kHz frekans ölçümünde ki C-2-V değişiminden ve seri direnç (RS) değeri Niccolian-Brews metodu kullanılarak belirlendi. C-V ve G/ω-V ölçümlerinden elde edilen RS değerleri Norde, Cheung-Cheung ve Ohm metodları kullanılarak elde edilen değerler uyumlu olduğu görülmüştür.

Özet (Çeviri)

Schottky diodes are produced by depositing metallic Rhenyum, which has a high melting temperature, onto n-type GaAs semiconductor by Pulsed laser Deposition (PLD) method. Characteristic parameters of the diode are analysed by using data obtained from current-voltage (I-V), capacitance-voltage-frequency (C-V-f) and conductance-voltage-frequency (G/w-V-f) measurements at room temperature. Determined values of the characteristic diode parameters such as saturation current (IO), ideality factor (n) series resistance (RS) and zero bias-barrier height (ΦBo) are 5,79 10-6 Amper, 2.27, 3,125 Ω are 0.56 eV respectively. Energy dependent interface states (NSS) obtained in the range from (Ec - 0,23) eV to (Ec - 0,50) eV from the voltage dependent values ofbarrier heighta nd ideality factor n(V), and the thickness of the depletion layer (WD). Capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/ω-V) measurements of the diode at room temperature are analyzed in the frequency range 10kHz-3 MHz. Diffusion potential (VD) is determined from the dependence of C-2 on V and series resistance (RS) is determined by using Niccolian-Brews method. The series resistance (RS) values obtained from the C-V and G/ω-V measurements and those obtained from Norde, Cheung-Cheung and Ohm methods were observed to be in agreement.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    367433

    GaN schottky güneş gözelerinin iki boyutlu modellenmesi

    Two-dimensional modeling of GaN schottky solar cells

    BENGÜL METİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla Sıtkı Koçman Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NEŞE KAVASOĞLU

  2. Tez No

    155582

    Schottky metalinin kalınlığı ve H2 tavlamasının Au/n-GaAs diyotlarının karakteristik parametreleri üzerine etkileri

    Influences of the thickness of the schottky metal and hydrogen annealing on the characteristic diode parameters of the Au/n-GaAs diodes

    ÖMER GÜLLÜ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. MEHMET BİBER

  3. Tez No

    167929

    n-GaAs yarı iletkeni üzerine Schottky diyotunun yapımı, diyotun elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Production of Schottky diode on n-type GaAs semiconductor, and investigating its electrical properties

    ŞAKİR ŞANE

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiNiğde Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. REFİK KAYALI

  4. Tez No

    335088

    Ti/n-GaAs/In metal/yarıiletken/metal kontakların numune sıcaklığına bağlı akım-voltaj ve kapasite-voltaj karakteristiklerinin incelenmesi

    Analyzes of temperature dependent I-V and C-V properties of Ti/n-GaAs/In metal/semiconductor/metal contacts

    FATMA URHAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÇİĞDEM NUHOĞLU

  5. Tez No

    128359

    Metal/n-tipi GaAs schottky diyotlarında havada oksitlenme ve yaşlanmanın akım-gerilim (I-V) ve kapasite, konduktans-gerilim, frekans (C,V-G,f) karakteristiklerine etkisi

    The Effects of oxidation in air and ageing on current-voltage (I-V) and capacitance, conductance-voltage, frequency (C,V-G,f) characteristics of metal n-type GaAs schottky diodes

    AHMET FARUK ÖZDEMİR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ KÖKCE

Geri Dön