Geri Dön

Metal/n-GaAs Schottky diyot üretimi ve elektriksel özelliklerinin I-V, C-V-f, G/ω-V-f ölçümlerinden incelenmesi

Production of metal/N-GaAs Schottky diodes and theinvestigaton their electrical characteristics ussing I-V, C-V-f, G/ω-V-f measurement

PDF İndir

  1. Tez No: 530498
  2. Yazar: HASAN ATÇEKEN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. HAZİRET DURMUŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2018
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Selçuk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 83

Özet

Yüksek ergime sıcaklığına sahip Renyum metali, Pulsed Laser Deposition (PLD) yöntemi ile n tipi GaAs yarıiletken üzerine biriktirilerek Schottky diyotlar oluşturuldu. Diyot karakteristik parametreleri oda sıcaklığında, akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj-frekans (C-V-f) ve kondüktans-voltaj-frekans (G/ω-V-f) ölçümleri kullanılarak incelendi. Diyotun doyma akımı (IO), idealite faktörü (n), seri direnç (RS) ve sıfır beslem engel yüksekliği (ΦBo) karakteristik parametreleri sırası ile 5,79 10-6 Amper, 2.27, 3,125 Ω ve 0.56 eV olarak bulundu. Enerjiye bağlı arayüzey dururmları (NSS), engel yüksekliği ile idealite faktörünün voltaja bağlı değerleri n(V) ve tüketim tabakası kalınlığı (WD) kullanılarak (Ec - 0,23) eV ile (Ec - 0,50) eV aralığında elde edilmiştir. Diyotun oda sıcaklığında Kapasitans-voltaj (C-V) ve kondüktans-voltaj (G/ω-V) karakteristikleri, 10 kHz - 3 MHz frekans aralığında incelendi. Difüzyon potansiyeli (VD) 500 kHz frekans ölçümünde ki C-2-V değişiminden ve seri direnç (RS) değeri Niccolian-Brews metodu kullanılarak belirlendi. C-V ve G/ω-V ölçümlerinden elde edilen RS değerleri Norde, Cheung-Cheung ve Ohm metodları kullanılarak elde edilen değerler uyumlu olduğu görülmüştür.

Özet (Çeviri)

Schottky diodes are produced by depositing metallic Rhenyum, which has a high melting temperature, onto n-type GaAs semiconductor by Pulsed laser Deposition (PLD) method. Characteristic parameters of the diode are analysed by using data obtained from current-voltage (I-V), capacitance-voltage-frequency (C-V-f) and conductance-voltage-frequency (G/w-V-f) measurements at room temperature. Determined values of the characteristic diode parameters such as saturation current (IO), ideality factor (n) series resistance (RS) and zero bias-barrier height (ΦBo) are 5,79 10-6 Amper, 2.27, 3,125 Ω are 0.56 eV respectively. Energy dependent interface states (NSS) obtained in the range from (Ec - 0,23) eV to (Ec - 0,50) eV from the voltage dependent values ofbarrier heighta nd ideality factor n(V), and the thickness of the depletion layer (WD). Capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/ω-V) measurements of the diode at room temperature are analyzed in the frequency range 10kHz-3 MHz. Diffusion potential (VD) is determined from the dependence of C-2 on V and series resistance (RS) is determined by using Niccolian-Brews method. The series resistance (RS) values obtained from the C-V and G/ω-V measurements and those obtained from Norde, Cheung-Cheung and Ohm methods were observed to be in agreement.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    128359

    Metal/n-tipi GaAs schottky diyotlarında havada oksitlenme ve yaşlanmanın akım-gerilim (I-V) ve kapasite, konduktans-gerilim, frekans (C,V-G,f) karakteristiklerine etkisi

    The Effects of oxidation in air and ageing on current-voltage (I-V) and capacitance, conductance-voltage, frequency (C,V-G,f) characteristics of metal n-type GaAs schottky diodes

    AHMET FARUK ÖZDEMİR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ KÖKCE

  2. Tez No

    341659

    Schottky metal kalınlığına bağlı olarak hazırlanan Ti/n-GaAs Schottky kontakların Sıcaklık bağımlı karakteristiklerinin belirlenmesi

    Determination of temperature-dependent characteristics of Schottky metal-thickness Ti/n-GaAs Schottky contacts

    TUNA GÖKSU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR

  3. Tez No

    212642

    Mn/n-GaAs Schottky diyotunun hidrostatik basınç altında elektriksel karakterizasyonu

    Electrical characterization of Mn/n-GaAs Schottky diode under hydrostatic pressure

    SADIK ÖNAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziosmanpaşa Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. GÜVEN ÇANKAYA

  4. Tez No

    155582

    Schottky metalinin kalınlığı ve H2 tavlamasının Au/n-GaAs diyotlarının karakteristik parametreleri üzerine etkileri

    Influences of the thickness of the schottky metal and hydrogen annealing on the characteristic diode parameters of the Au/n-GaAs diodes

    ÖMER GÜLLÜ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. MEHMET BİBER

  5. Tez No

    625903

    Elektrodepozisyon yoluyla elde edilmiş olan ni/n-GaAs schottky diyotlarının elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of the electrical and optical properties of ni/n-GaAs schottky diodes obtained by electrodeposition

    TUĞÇE BATMAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBursa Uludağ Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUHİTDİN AHMETOĞLU

Geri Dön