Geri Dön

GaAs/GaAlAs iki boyutlu yarı iletken aygıtlarda yüksek frekans modülasyon olayların incelenmesi

Investigation of high frequency modulation behaviour on GaAs/GaAlAs 2-D Semiconductor devices

  1. Tez No: 105407
  2. Yazar: RIFAT YENİDÜNYA
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ÇETİN ARIKAN
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2001
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 121

Özet

ÖZET GaAs/GaAlAs İki Boyutlu Yarıiletken Aygıtlarda Yüksek Frekans Modülasyon Olaylarının İncelenmesi Çalışmada öncelikli olarak“Hot Electron Lasing and Light Emitting Semiconductor Heterostructure”HELLISH yapılarının çalışması ve özelliklerinin araştırılması üzerinde durulmuştur. Yine aynı yapıdan türetilen ve çift yönlü çalışabilme özelliği gösteren Top Hat HELLISH elemanının uygulamaya yönelik özellikleri farklı teknikler kullanılarak araştırılmıştır. En son aşamada yine TOP HAT HELLISH elemanı kullanılarak yapılabilecek bir devrenin nasıl olması gerektiği TOP HAT HELLISH elemanının basit eşdeğer devresi de kullanılarak incelenmiştir. XI

Özet (Çeviri)

SUMMARY Investigation of High Frequency Modulation Behaviour on GaAs/GaAlAs 2-D Semiconductor Devices This study is focused mainly on operation principles and properties of“ hot electron lasing and light emitting semiconductor heterostructure”HELLISH devices. The properties of a derivative of this device,called Top Hat HELLISH, which is capable of operating bidirectionally, has been investigated by using different techniques as well. At the last stage the structure of the possible circuit using Top Hat HELLISH has been discussed whh the help of the simple equivalent circuit of the Top Hat HELLISH device. XU

Benzer Tezler

  1. Modülasyon katkılı hetero-eklemlerin elektronik özellikleri

    Electronic properties of modulation doped heterojunctions

    A. TÜRKER TÜZEMEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZDEMİR

  2. Manyetik alan altındaki iki boyutlu elektron gazının kimyasal potansiyeli, ısı sığası ve manyetizasyonu

    Oscillations of chemical potential, magnetizations and head capacity under magnetic field of two dimensional electron gas

    MEHTAP TEKİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. BERRİN ÖZDEMİR

  3. Assessment of hard tıssue densıty around dental ımplants usıng conventıonal radıographs

    Dental implantlar çevresindeki sert doku densitesinin konvensiyonel radyograflar ile incelenmesi

    WAEL ALSHAIBANI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2010

    Diş HekimliğiGazi Üniversitesi

    Ağız, Diş, Çene Hastalıkları ve Cerrahisi Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NUR MOLLAOĞLU

  4. Elektrik ve manyetik alan etkisinde plazma ortamında iki elektronlu Gaussian kuantum noktasının optiksel özellikleri

    Optical specifications of two-electron Gaussian quantum dot embedded in plasma environment under the electric and magnetic field

    KADİR KILIÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKaramanoğlu Mehmetbey Üniversitesi

    Mühendislik Bilimleri Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA KEMAL BAHAR

  5. GaAs/GaAlAs heteroyapılarının x?ışını kırınım yöntemi ile yapısal karakterizasyonu

    Structural characterization of GaAs/GaAlAs heterostructures by x?ray diffraction method

    HABİBE SAYRAÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ