Geri Dön

GaAs/GaAlAs heteroyapılarının x?ışını kırınım yöntemi ile yapısal karakterizasyonu

Structural characterization of GaAs/GaAlAs heterostructures by x?ray diffraction method

  1. Tez No: 302649
  2. Yazar: HABİBE SAYRAÇ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2012
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 81

Özet

Bu çalışmada, Moleküler Demet Epitaksi (MBE) ile büyütülen GaAs/GaAlAs heteroyapısı x?ışınları kırınım yöntemi ile incelenecektir. Bu heteroyapıyı oluşturan yapılarda örgü uyumu her ne kadar iyi ise de yapının kalitesi cihaz performansını doğrudan etkilediği için bu yapıda büyütmenin istenilen şekilde olup olmadığı, tabaka kalınlıkları, alaşım oranı ve örgü uyumu gibi nicelikler belirlenecektir. Bu kapsamda elde edilen bilgiler simülasyon programı ile yorumlanacak ve böylelikle bu yapının yapısal karakterizasyonu yapılacaktır.

Özet (Çeviri)

In this thesis, GaAs/GaAlAs heterostructure by grown Molecular Beam Epitaxy (MBE) will investigate by x?ray difrraction method. Eventhough lattice coherence suitable in these structures which bring into being this heterostructure, as device performance depends on directly quality of the structure. Structural properties such as layer thickness, alloy rate and lattice coherence in this heterostructure will be determinated. The obtained information in this study will be commented by simulation programme and so structural characterization of this structure will be done.

Benzer Tezler

  1. GaAs/GaAlAs kuantum kuyusu

    GaAs/GaAlAs quantum well

    RECEP ADIYAMAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HASAN AKBAŞ

  2. GaAs/GaAlAs iki boyutlu yarı iletken aygıtlarda yüksek frekans modülasyon olayların incelenmesi

    Investigation of high frequency modulation behaviour on GaAs/GaAlAs 2-D Semiconductor devices

    RIFAT YENİDÜNYA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2001

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÇETİN ARIKAN

  3. Manyetik alan altındaki iki boyutlu elektron gazının kimyasal potansiyeli, ısı sığası ve manyetizasyonu

    Oscillations of chemical potential, magnetizations and head capacity under magnetic field of two dimensional electron gas

    MEHTAP TEKİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. BERRİN ÖZDEMİR

  4. Elektrik ve eğik manyetik alan altında üçlü GaAs/Ga1-xAlxAs kuantum kuyularının elektronik ve optik özellikleri

    Electronic and optical properties of triple quantum wells GaAs/Ga1-xAlxAs under external electric and tilted magnetic fields

    FARUK BAŞPINAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. RANA ÖZBAKIR

  5. Kuantum kuyularında dielektrik perdelemenin donor diamanyetik alınganlığı üzerindeki etkisi

    The dielectric screening effect on the diamagnetic susceptibility of the donor in quantum wells

    SÜLEYMAN ÖZMEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HÜSEYİN SARI