Geri Dön

GaAs/GaAlAs heteroyapılarının x?ışını kırınım yöntemi ile yapısal karakterizasyonu

Structural characterization of GaAs/GaAlAs heterostructures by x?ray diffraction method

  1. Tez No: 302649
  2. Yazar: HABİBE SAYRAÇ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Galyum arsenik, Galyum arsenit, X ışını, X ışını kırınımı, X ışını kırınımı yöntemi, Gallium arsenic, Gallium arsenide, X ray, X ray diffraction, X ray diffraction method
  7. Yıl: 2012
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada, Moleküler Demet Epitaksi (MBE) ile büyütülen GaAs/GaAlAs heteroyapısı x?ışınları kırınım yöntemi ile incelenecektir. Bu heteroyapıyı oluşturan yapılarda örgü uyumu her ne kadar iyi ise de yapının kalitesi cihaz performansını doğrudan etkilediği için bu yapıda büyütmenin istenilen şekilde olup olmadığı, tabaka kalınlıkları, alaşım oranı ve örgü uyumu gibi nicelikler belirlenecektir. Bu kapsamda elde edilen bilgiler simülasyon programı ile yorumlanacak ve böylelikle bu yapının yapısal karakterizasyonu yapılacaktır.

Özet (Çeviri)

In this thesis, GaAs/GaAlAs heterostructure by grown Molecular Beam Epitaxy (MBE) will investigate by x?ray difrraction method. Eventhough lattice coherence suitable in these structures which bring into being this heterostructure, as device performance depends on directly quality of the structure. Structural properties such as layer thickness, alloy rate and lattice coherence in this heterostructure will be determinated. The obtained information in this study will be commented by simulation programme and so structural characterization of this structure will be done.

Benzer Tezler

  1. GaAs/GaAlAs iki boyutlu yarı iletken aygıtlarda yüksek frekans modülasyon olayların incelenmesi

    Investigation of high frequency modulation behaviour on GaAs/GaAlAs 2-D Semiconductor devices

    RIFAT YENİDÜNYA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2001

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÇETİN ARIKAN

  2. GaAs/GaAlAs kuantum kuyusu

    GaAs/GaAlAs quantum well

    RECEP ADIYAMAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HASAN AKBAŞ

  3. Üçlü GaAlAs/GaAs ve Gainas/GaAs nano yapıların elektronik özellikleri

    Electronic properties of triple GaAlAs/GaAs and Gainas/GaAs nano structures

    OZAN ÖZTÜRK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSivas Cumhuriyet Üniversitesi

    Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ

  4. Geçiş modunda GaAlAs/GaAs fotokatotların kuantum verimi ve değerlerinin belirlenmesi

    Determination of quantum yield values of GaAlAs/GaAs transmission mode photocathodes

    ÖMER FARUK FARSAKOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1992

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. ZENGİN D. MEHMET

  5. Farklı Al katkısına bağlı olarak simetrik ve asimetrik GaAlAs/GaAs yapılarının değişimi

    Change of symmetric and asymmetric GaAlAs/GaAs structures depending on different Al contribution

    HÜLYA BOYRAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. EMİNE ÖZTÜRK