Geri Dön

Modülasyon katkılı hetero-eklemlerin elektronik özellikleri

Electronic properties of modulation doped heterojunctions

  1. Tez No: 88063
  2. Yazar: A. TÜRKER TÜZEMEN
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZDEMİR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Heteroeklem, İki Boyutlu Elektron Gazı (2BEG), Modülasyon Katkılama, Varyasyonel Metot, Heterojunction, Two Dimensional Electron Gas (2DEG), Modulation Doping, Variational Method
  7. Yıl: 1999
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Çukurova Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 136

Özet

oz YÜKSEK LİSANS TEZİ MODULASYON KATKILI HETERO-EKLEMLERİN ELEKTRONİK ÖZELLİKLERİ A.TOrkerTUZEMEN ÇUKUROVA ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK ANABİLİM DALI Danışman: Y. Doç. Dr. Metin ÖZDEMİR Yıl: 1999, Sayfa: 126 Jüri: Y. Doç. Dr. Metin ÖZDEMİR : Prof. Dr. Yüksel UFUKTEPE : Doç. Dr. Halime PAKSOY Bu çalışmada heteroyapılar için özel bir katkılama yöntemi olan modülasyon katkılama yöntemi sonucu heteroeklemin ortaya çıkan elektronik özellikleri incelenmiştir. Gerekli koşullar sağlandığı taktirde elektronların katkılı yarıiletken malzemeden kavşak bölgesine transfer olması ile sadece iki boyutta hareket kabiliyeti olan bir elektron gazı yaratmak mümkündür. Böyle bir yapı literatürde iki boyutlu elektron gazı (2BEG) olarak bilinir. Modülasyon katkılı heteroeklemlerin en önemli özelliği iki boyutlu elektron gazının öncelikli saçılma kaynağı olan iyonize olmuş katkı atomlarına olan uzaklığının kontrol edilebilmesi sonucu mobilitesi yüksek elektronların elde edilebilir olmasıdır. Bu çalışmanın amacı, farklı malzemelerden oluşan fakat hem örgü simetrisi hem de enerji bant yapısı ters uzayda (momentum uzayı) birbirine uyan GaAs-Gaı.xAlxAs benzeri heteroeklem yapılarda oluşan iki boyutlu elektron gazı için enerji seviyelerinin ve her enerji seviyesinde tutulabilecek serbest elektron yoğunluğunun hesap edilmesidir. Heteroeklem yapı içerisindeki elektron dalga fonksiyonlarının hesaplanmasında Hartree ve Etkin Kütle yaklaşımları kullanılacaktır. Bu iki yaklaşım ışığında enerji seviye ve her seviyedeki elektron konsantrasyonu hesabı varyasyonel metot kullanılarak Schrödinger ve Poisson denklemlerinin kendi içinde uyumlu çözümü ile yapılacaktır. Yani GaAs/AlGaAs benzeri heteroeklemlerde oluşan yarı-iki boyutlu elektron gazı için enerji seviyeleri, yük transferi hesabı, dolu seviyelerde bulunan elektron yoğunluğu, enerji seviyelerinin elektron yoğunluğuna olan fonksiyonel bağımlılığı ve bu enerji seviyelerine karşılık gelen dalga fonksiyonları analitik ve nümerik yöntemlerin bir karışımı ile elde edilecektir.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT MSc THESIS ELECTRONIC PROPERTIES OF MODULATION DOPED HETEROJUNCTIONS A. Türker TUZEMEN DEPARTMENT OF PHYSICS INSTITUTE OF NATURAL AND APPLIED SCIENCES UNIVERSITY OF ÇUKUROVA Supervisor: Assist Prof. Metin ÖZDEMİR Year: 1999, Pages: 126 Jury: Assist Prof. Metin ÖZDEMİR : Prof. Yüksel UFUKTEPE : Assoc Prof. Halime PAKSOY In this study, various electronic properties of heterojunctions that are doped by using the modulation doping technique are investigated. Under appropriate conditions, it is possible to transfer electrons from doped regions to the junction and create an electron gas there where the electrons are free to move on the plane of the junction and their motion is restricted in the remaining direction. Such a structure is known as a two dimensional electron gas (2DEG) in literature. The most important property of modulation doped heterojunctions is that extremely high mobilities can be obtained by controlling the distance between 2DEG and the ionized donor atoms which are the primary source of scattering. It is assumed that the heterojunctions consist of materials which are similar in terms of both crytalline structure and energy bands, such as GaAs and GaAlAs. The purpose of this study is to calculate the energy levels and the concentrations of confined free electrons in each energy level for a 2DEG at a heterojunction. In the calculation of electron wave functions Hartree and Effective Mass approximations will be used. In the light of these two approximations the energy levels and the concentration of electrons in each level will be calculated by a simultaneous solution of Schrödinger and Poisson equations using the method of variation of parameters. That is, the energy levels, the amount of tranferred charge, the concentration of electrons in filled levels, the dependence of energy levels on the charge density and the wave functions corresponding to each level will be calculated by a combination of analytical and numerical methods.

Benzer Tezler

  1. The Electronic and transport properties of modulation doped heterostructures

    Modülasyon katkılı bhetero-yapıların elektronik ve transport özellikleri

    MOHAMED AYMAN MOGDY ELDENGİ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1994

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET TOMAK

  2. Heteroeklem yapılarda eklem düzlemi boyunca yük taşınımının Monte Carlo yöntemi ile incelenmesi

    Investigation of charge transport confined at a heterojunction along the junction plane by Monte Carlo tecniques

    ZEKİ YARAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. METİN ÖZDEMİR

  3. Electronik properties of semiconductor heterojunctions

    Yarıiletken heteroyapılarının elektronik özellikleri

    MARWAN İZZAT EL KAWİNİ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1992

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    PROF. DR. MEHMET TOMAK

  4. The Electronic structure and optical absorbtion in modülation doped semiconductor heterostructures

    Modülasyon katkılı yarıiletken heteroyapılarda elektronik yapı ve optik soğurma

    RAFİG ABDALLA AL-KHADER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1994

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET TOMAK

  5. Modülasyon katkılı GaInNAs/gaas kuantum kuyusu yapıların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmes

    Investigation of optical and electrical properties of modulation doped gainnas/GaAs quantum well structures

    FAHRETTİN SARCAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AYŞE EROL