Hidrojenlenmiş amorf silisyum filimlerinin elde edilmesi ve karakterizasyonu
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 172951
- Danışmanlar: PROF.DR. ÖZCAN ÖKTÜ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1986
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 91
Özet
XV ÖZET Bu çalışmada, hidrojenlendirilmiş amorf silisyum (a-Si:H) filimleri büyütmek için, bir radyo frekansı (RF) plazma biriktirme (glow-discharge) düzeneği kurulmuş, bu düzenek¬ te büyütülen katkılanmamış a-Si:H filimleri karakterize etmek amacıyla, filimlerin karanlık iletkenlikleri ve fotoiletkenlikleri sıcaklığın fonksiyonu olarak incelenmiştir, ölçülebilen parametreler sistematik olarak değiştirilerek, elektronik aygıt yapımına uygun kalitede, a-Si:H filimleri hazırlama koşulları belirlenmiştir. Ha¬ zırlanan a-Si:H filimlerden bu kaliteye en yakın olanlarının, karanlık iletkenliği aktivasyon enerjileri E 0.7-0.8 eV, ao değerleri ise 3xl03 - 2xl05 (ftcm)"1 3i arasındadır. Bu tür filimlerin fotoiletkenliklerinin sıcaklıkla değişim eğrileri, çok az oranda (100 ppm'den küçük) hava ile kirletilmiş plazma ortamında hazırlanan a-Si:H filimlerinin karakterini taşımaktadır. Fotoiletkenliğin sıcaklığa bu bağımlılığı, sözde yasak enerji aralığında bulunan iki enerji düzeyli bir rekombi- nasyon modeli ile açıklanabilir görünmektedir. Taban sıcaklığı 230-260 °C arasında tutularak büyütülen filimle¬ rin fotoiletkenliklerinin oda sıcaklığındaki değerlerin¬ den, elektronların mobilitesi-ömürsüresi (UT) çarpımı -6- fi 2 3x10 ile 9x10 cm /V aralığında hesaplanmıştır. Budeğerler, elektronik aygıt yapımına uygun kalitedeki - 5 -6 2 a-Si:H filimler için istenen, 10 -10 cm /V değerleri aralığında kalmaktadır. Yüksek fotoiletkenlik gösteren a-Si:H filimlerde Steabler-Wronski etkisi gözlenmiştir.
Özet (Çeviri)
vi SUMMARY In this work, a radio frequency glow-discharge system is constructed to produce undoped hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films. The characterization of these films have been made by temperature dependent dc dare conductivity and photoconductivity measurements. The growth parameters are systematically changed to obtain the best plasma condition to produce“good”or“electronically viable”a-Si:H specimens. The“good”films, produced by this system, have nearly the same dark conductivity activation energies, ranging between 3 5 -1 0.7-0.8 eV, and a values ranging between 3x10 -2x10 (Q cm), as reported in the literature. Temperature dependent photoconductivity curves of these“good”films have the main characteristic feature, of the_a-Si:H specimens prepared in uncontaminated silane plasma atmosphere. The yr (mobility-lifetime) product of these films are in the range 3x10 -9x10 cm /V and they show strong Steabler- Wronskl effect.
Benzer Tezler
- Amorf silisyum katkılı schottky diyotların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation optical and electrical properties of amorphous silicon doped schottky diodes
GİZEM ÇELİKOK
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU
- Optical properties of silicon based amorphous thin films
Silisyum tabanlı amorf ince filmlerin optik özellikleri
BARIŞ AKAOĞLU
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Effects of illumination on hydrogenated amorphous silican based junctions
Hidrojenleşmiş amorf silisyum tabanlı eklemler üzerinde aydınlatmanın etkisi
HÜLYA ATMACAN
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İSMAİL ATILGAN
- Optical characterization of silicon based hydrogenated amorphous thin films by UV-Visible and infrared measurements
Silikon tabanlı hidrojenlenmiş amorf ince filmlerin mor ötesi-görünür ve kızılötesi ölçümler ile optik karakterizasyonu
İLKER KILIÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF.DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Preparation and characterization of silicon thin films
Silisyum ince filmlerinin hazırlanması ve karakterizasyonu
İSMAİL ATILGAN
Doktora
İngilizce
1993
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU