Geri Dön

Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum filmlerde konuma bağımlı fotogerilim ölçümleri

Lateral photovoltage measurements in hydrogenated amorphous silicon

  1. Tez No: 182356
  2. Yazar: BANU ÇOMAK
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ÖZCAN ÖKTÜ, DOÇ. DR. ALP OSMAN KODOLBAŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Lateral photovoltage, LPV, difussion, difussion of photocarriers, driftmobility, difussion length, Staebler-Wronski effect, SWE, hydrogenatedamorphous silicon, hydrogenated amorphous silicon alloys
  7. Yıl: 2006
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 50

Özet

Fototaşıyıcıların hareket etme (taşınma) doğasını ortaya çıkaran ve bu taşıyıcılarındifüzyon uzaklıklarını, mobilitesini, yaşam süresini yaklaşık olarak hesaplamak içinçok sayıda deneysel çalışma yapılmıştır. Yarıiletkenlerin elektronik özelliklerihakkında bilgi edinebimek için yapılan bu deneysel yöntemlerden biri de konumabağımlı fotogerilim (LPV) yöntemidir. LPV, aralarında büyük bir mesafe bulunan ikieş düzlemli elektrot arasına iyi odaklanmış lazer demeti düşürüldüğünde, lazerdemetinin konumuna bağlı olarak elektrotlar arasında gözlenen açık devregerilimidir.Bu tez çalışmasında hidrojenlendirilmiş amorf silisyum ve alaşımlarında LPVölçümleri farklı sıcaklıklar için alınmıştır. Bütün deneklerde, aynı sıcaklıkdeğerinde, iki elektrot arası mesafenin ortasından itibaren elektrotlardan birinedoğru hareket ettirildiğinde LPV'nin işaretinin değiştiği ve büyüklüğünün arttığı;sıcaklık artırıldıkça da gözlenen LPV'nin büyüklüğünün azaldığı gözlenmiştir.Ayrıca seçilen iki denekte yarı-kararlı kusur oluşturulmuş ve LPV ölçümü budenekler için tekrarlanmıştır. Ölçülen LPV değerinin, bu işlemden sonra arttığıgözlenmiştir.Anahtar Kelimler: Konuma bağımlı fotogerilim, LPV, difüzyon, sürüklenmemobilitesi, difüzyon uzaklığı, Staebler-Wronski olayı, hidrojenlendirilmiş amorfsilisyum, hidrojenlendirilmiş amorf silisyum alaşımları.

Özet (Çeviri)

There are many experimantal methods to study the transport properties ofphotogenerated carriers and to calculate their diffusion lengths, mobilities and lifetimes. One of the experimental method used to obtain the electronical propertiesof materials is the lateral photovoltage (LPV) method. LPV, is observed as anopen circuit voltage between two coplanar electrodes when a laser beam isfocused between the electrodes.In this study, LPV is measured on hydrogenated amorphous silicon and its alloysfor different temperatures. For all the samples studied, it?s found that the signchanges and magnitude increases as the laser spot is moved from the centralposition of coplanar electrodes towards either of them. And also it?s found that theobserved magnitude of LPV decreases by increasing temperature. LPV is alsomeasured on two samples in a light-soaked state. Light induced metastabledefects slighly increase the measured LPV.

Benzer Tezler

  1. Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum filmlerde uzay yükü ile sınırlı akım tekniği ile durum yoğunluğunun belirlenmesi

    Determination of density of states in a-Si:H using space charge limited current measurements

    TOLGA OKAT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2001

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AYNUR ERAY

  2. Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum filmlerin optik katsayılarını belirlemede kullanılan deneysel yöntemlerin karşılaştırılması

    Comparison of experimental methods used for determination of optical constants of hydrogenated amorphous silicon

    GÜNGÖR TAYYAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2001

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

  3. The effects of native and light induced defects in the optical and electronic properties of hydrogenated amorphous silicon germanium (a-SiGe: H) alloy thin films

    Doğal ve ışık altında bozunuma uğratılmış elektronik kusurların hidrojenlendirilmiş amorf silisyum germanyum alaşımlarının optik ve elektronik özelliklerine etkisi

    MEDİNE ELİF DÖNERTAŞ YAVAŞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2005

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. MEHMET GÜNEŞ

  4. Hidrojenlenmiş amorf silisyum filimlerinin elde edilmesi ve karakterizasyonu

    Başlık çevirisi yok

    BİRSEN TURGU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1986

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. ÖZCAN ÖKTÜ

  5. Amorf yarı iletken a-Si:H/a- SİNx:H çokkatlı filimlerin elektrik ve optik özellikleri

    Electrical and optical properties of amorphous semiconducting a-Si i H/a-SİNx:H multilayer films

    ESİN ÜLGEN GÜNDEM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2001

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HÜSEYİN TOLUNAY