Geri Dön

Amorf silikon ve selenyum güneş pillerinde voltaj kontrollü fotoakımın ölçülmesi

For amorphous silicon and selenium solar cells, photocurrent controlled by the voltage measurements

  1. Tez No: 109519
  2. Yazar: HİDAYET ÇETİN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. RUHİ KAPLAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2001
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Erciyes Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 93

Özet

ÖZET Bu çalışmada Casio ve Standart a-Si:H p-i-n güneş pillerinin sandviç tipi ve a-Se güneş pilinin koplanar tipi kullanıldı. Öncelikle, Casio ve Standart güneş pilleri için I-V karakteristikleri karanlık ve çeşitli ışık şiddetleri altında elde edildi. I-V karakteristiklerinden hesaplanan dolum faktörlerinin farklı tipteki piller ile mukayesesi yapıldı. Bu dolum aktörleri artan aydınlanma ışık şiddetiyle azalmaktadır. Tüm elde edilen dolum faktörlerinin Casio güneş pili için 0.35-0.4, Standart güneş pili için 0.38-0.6 arasında olduğu gözlenmiştir. Modüle edilmiş ışık altında Casio ve Standart güneş pillerinin spektral fototepki ölçümleri, bir Lock-in amplifikatör kullanılarak tamamlandı. Casio ve Standart güneş pilleri için fotoakım 610 nm ve 670 nm civarındaki dalga boylarında pik değerlere sahiptir. Yan maksimum genişliğinin Casio güneş pili için -155 nm, Standart güneş pili için ~100 nm olduğu bulundu. a-Si:H p-i-n güneş pillerinin çift ışık etkileri ( sabit ve modüle edilmiş ışık altında ) incelendi. Fotoakım, aydınlanma ışık şiddetlerine bağlı olarak çeşitli modülasyon frekanslarında ve beslemlerde ölçüldü. Sonuçlar IPh a FY güç kanununa uymaktadır. Bu ilişkiden, tüm kullanılan piller için üs değeri olan y belirlendi. Modülasyon frekanslarına ve beslem değerlerine bağlı olarak Casio-tipi güneş pili için y değerleri 0.2-0.53 arasında bulundu. Standart-tipi güneş pili için bu değerler 0.19-0.64 arasında bulunmuştur. Elde edilen y değerlerinin çoğunun, bimoleküler rekombinasyon kinetiğini gösteren 0.5 değerine yaklaştığı gözlendi. Koplanar tipi a-Se güneş pili için de I-V karakteristikleri, fotoakımın ışık şiddetlerine ve modülasyon frekansına bağımlılıkları incelendi. Işık şiddeti bağımlılığından y değerleri 0.3 1-0.64 arasında bulundu. a-Si:H p-i-n güneş pilleri ve a-Se güneş pili için elde edilen tüm sonuçlar birbiriyle ve literatürle karşılaştırıldı. Keza bu sonuçlar önerilmiş fotoakım modelleri çerçevesinde uygun şekilde yorumlandı.

Özet (Çeviri)

VI SUMMARY In this study, sandwich types of Casio and Standart a-Si:H p-i-n solar cells and co-planar type of a-Se solar cell were used. Firstly, I-V characteristics for Casio and Standart solar cells were obtained under dark and several illumination light intensities. Fill factors calculated from I-V characteristics were compared for different type cells. Those fill factors decrease with increasing illumination light intensity. It was observed that all fill factors obtained are between 0.35-0.4 for Casio-type solar cell, between 0.38-0.6 for Standart-type solar cell. Under the modulated light, the spectral photoresponse measurements for Casio and Standart solar cells were carried out by using a Lock-in amplificator. For Casio and Standart-type solar cells, the photocurrent has peak values at wavelength about 610 nm and 670 nm. A width of half maximum was found to be -155 nm for Casio solar cell, and -100 nm for Standart solar cell. The dual beam effects (under steady and modulated light) of a-Si:H p-i-n solar cells were investigated. The photocurrent was measured under various modulation frequencies and biases (reverse and forward), depending on illumination light intensities. The results obey the power law IPh a FY. From this relation, the exponent y was determined for all cells used. For Casio-type solar cell, y values were found between 0.2-0.53, depending on the modulation frequencies and biases. For Standart-type solar cell, y values were found between 0.19-0.64. It was observed that most of the obtained y values close to 0.5 which indicates bimolecular recombination kinetics. The I-V characteristics, light intensity and modulation frequency dependence of photocurrent for the co-planar type a-Se solar cell were also investigated. From the intensity dependence, y values were found between 0.31-0.64. All the results obtained for a-Si:H p-i-n and a-Se solar cells were compared with each other and literature. Also these results were interpreted suitably in the frame of proposed photocurrent models. T.CYÜKSKM»ITtMiaJMUJ DOKÜMANTASYON MXXKW

Benzer Tezler

  1. Synthesis of copper zinc tin sulfide CZT(S,Se) with solution based method and formation and characterization of CZT(S,Se) thin films for photovoltaic application

    Solüsyon yöntemiyle CZTS sentezi ve fotovoltaik devreler için CZTS ince film oluşturma ve film özelliklerini inceleme

    RIDVAN ERĞUN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ELİF ÜLKÜ ARICI

  2. Fabrication and characterization of a-Si:H based top-gate and bottom-gate thin-film transistors (TFTs)

    A-Si:H tabanlı üst-kapı ve alt-kapı ince film transistörlerin (TFTs) fabrikasyonu ve karakterizasyonu

    ELÇİN MERT

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Bilim ve TeknolojiGebze Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ALİGÜL BÜYÜKAKSOY

    DR. ÖĞR. ÜYESİ TURGUT TUT

  3. Farklı azimut açılarındaki teras çatı fotovoltaik sistemlerinin karşılaştırmalı optimizasyonu

    Comparative optimization of terrace roof photovoltaic systems in different azimuth angles

    CÜNEYT KARANİ CÖCEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Enerji Bilim ve Teknoloji Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ BURAK BARUTÇU

  4. Solar yolların Türkiye'de uygulanabilirliği

    Applicability of solar roadways in Turkey

    SERNAZ ENGİN ŞİMŞEK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Ulaşımİstanbul Teknik Üniversitesi

    İnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDULLAH HİLMİ LAV

  5. Fabrication and characterization of amorphans silikon microcavities

    Amorf silikon mikroçınlaçlarının üretimi ve karakterizasyonu

    SELİM TANRISEVEN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1999

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ALİ SERPENGÜZEL