Characterization of vacuum deposited indium selenide thin films and Schottky barrier diodes
Vakumda büyütülmüş p-InSe ince filmlerin ve Schottky diyotların karakterizasyonu
- Tez No: 116443
- Danışmanlar: PROF. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: InSe, İnce film, İletkenlik, Hoplama, Schottky Diyot. VI, Karakterizasyon, Schottky diyodları, Vakum, İnce filmler, InSe, Thin film, Conductivity, Hopping, Schottky Diodes. IV, Characterization, Schottky diodes, Vacuum, Thin films
- Yıl: 2001
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
oz VACUMDA BÜYÜTÜLMÜŞ p-InSe İNCE FİLİMLERİN VE SCHOTTKY DÎYOTLARIN KAREKTERİZAS YONU Pehlivan, Özlem Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Çiğdem Erçelebi Ocak 2001, 60 sayfa Bu tezde, vacumda buharlaştırma yöntemiyle, ısıtılmamış ve üzerine hiçbir katkılandırma yapmadan büyütülmüş InSe ince filmlerin özellikleri incelenmiştir. Ayrıca ince film Schottky diyotlar oluşturulup karekterize edilmiştir. Filmler 1 um kalınlığında olup, p-tipi iletkenliğe sahiptirler. X-ışınları kırınımından anlaşıldığına göre filmler düzensiz yapıya, kaynak ise kristal yapıya sahiptirler. Oda sıcaklığında ölçülen iletkenlik değerleri 1.2x1 0“6 ve 3. 2x1 0”5 (Qcm)"1 arasında değişmektedir. 100-320 K sıcaklık aralığındaki iletkenliğin sıcaklık bağımlı değişiminden, 200 K nin üstünde bant eteği iletkenliğinin, 200 K nin altında ise değişken erimli hoplamanın etkili olduğu görülmüştür.Schottky eklemi çalışmaları, Ag kontakla oluşturulan yapıların diyot özelliğine sahip olduğunu göstermiştir. TO/InSe/Ag yapılarda 200-320 K arasındaki sıcaklık bağımlı akım- voltaj ölçümleri, yüksek beslemede sınırlı boşluk yükü akımının üstün olduğunu göstermiştir. Sınırlı boşluk yükü akımından, değerlik bandının 0.16-0.17 eV üzerinde bir enerjide deşik tuzağı bulunmuştur.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT CHARACTERIZATION OF VACUUM DEPOSITED p-InSe THIN FILMS AND SCHOTTKY BARRIER DIODES Pehlivan, Özlem M.S., Department of Physics Supervisor: Prof. Dr. Çiğdem Erçelebi January 2001, 60 pages In this thesis, the the properties of the InSe thin films grown by vacuum evaporation onto the unheated substrates without any intentional doping have been investigated. Furthermore thin film Schottky diodes were constructed and characterized. The films have thicknesses of 1 |am and exhibit p-type conductivity. The X-ray diffraction (XRD) revealed that the films are amorphous in nature, while the source is single crystal. The measured room temperature conductivity values vary in between 1.2xl0“6 and 3.2xl0”5 (Qcm)"1. The conductivity-temperature variation of the films in the temperature range of 100-320 K gives the indication of the tail states conduction above 200 K and the variable range hopping below 200 K. IllThe Schottky contact studies showed that the structures with Ag contacts have more rectification. The temperature dependent current-voltage measurements of TO/InSe/Ag structures between 200-320 K revealed that the space charge limited current (SCLC) dominates at high voltages. From the SCLC analysis a hole trap above the valance band was identified with an energy of around 0.16- 0.17 eV.
Benzer Tezler
- Ankara koşullarında yetiştirilen yabancı kökenli bazı üzüm çeşitlerinin ampelografik özelliklerinin belirlenmesi üzerinde araştırmalar
Description of the ampelographic characters of some introduced grape varieties grown in Ankara conditions
İBRAHİM DEMİR
- Effect of membrane fluidity on binding of 125I-Insulin to sheep liver membrane receptors
Başlık çevirisi yok
HÜSEYİN AVNİ ÖKTEM
- Polietilenglikol esaslı bazı yeni oligoazoperoksiester başlatıcıların sentezi ve karekterizasyonu
Synthesis and characterization of some new oligoazoperoxyester initiators based on polyethyleneglycolos
ALİPAŞA AYAS
Yüksek Lisans
Türkçe
1988
Kimya MühendisliğiKaradeniz Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BAKİ HAZER
