Geri Dön

Characterization of vacuum deposited indium selenide thin films and Schottky barrier diodes

Vakumda büyütülmüş p-InSe ince filmlerin ve Schottky diyotların karakterizasyonu

  1. Tez No: 116443
  2. Yazar: ÖZLEM PEHLİVAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: InSe, İnce film, İletkenlik, Hoplama, Schottky Diyot. VI, InSe, Thin film, Conductivity, Hopping, Schottky Diodes. IV
  7. Yıl: 2001
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 73

Özet

oz VACUMDA BÜYÜTÜLMÜŞ p-InSe İNCE FİLİMLERİN VE SCHOTTKY DÎYOTLARIN KAREKTERİZAS YONU Pehlivan, Özlem Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Çiğdem Erçelebi Ocak 2001, 60 sayfa Bu tezde, vacumda buharlaştırma yöntemiyle, ısıtılmamış ve üzerine hiçbir katkılandırma yapmadan büyütülmüş InSe ince filmlerin özellikleri incelenmiştir. Ayrıca ince film Schottky diyotlar oluşturulup karekterize edilmiştir. Filmler 1 um kalınlığında olup, p-tipi iletkenliğe sahiptirler. X-ışınları kırınımından anlaşıldığına göre filmler düzensiz yapıya, kaynak ise kristal yapıya sahiptirler. Oda sıcaklığında ölçülen iletkenlik değerleri 1.2x1 0“6 ve 3. 2x1 0”5 (Qcm)"1 arasında değişmektedir. 100-320 K sıcaklık aralığındaki iletkenliğin sıcaklık bağımlı değişiminden, 200 K nin üstünde bant eteği iletkenliğinin, 200 K nin altında ise değişken erimli hoplamanın etkili olduğu görülmüştür.Schottky eklemi çalışmaları, Ag kontakla oluşturulan yapıların diyot özelliğine sahip olduğunu göstermiştir. TO/InSe/Ag yapılarda 200-320 K arasındaki sıcaklık bağımlı akım- voltaj ölçümleri, yüksek beslemede sınırlı boşluk yükü akımının üstün olduğunu göstermiştir. Sınırlı boşluk yükü akımından, değerlik bandının 0.16-0.17 eV üzerinde bir enerjide deşik tuzağı bulunmuştur.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT CHARACTERIZATION OF VACUUM DEPOSITED p-InSe THIN FILMS AND SCHOTTKY BARRIER DIODES Pehlivan, Özlem M.S., Department of Physics Supervisor: Prof. Dr. Çiğdem Erçelebi January 2001, 60 pages In this thesis, the the properties of the InSe thin films grown by vacuum evaporation onto the unheated substrates without any intentional doping have been investigated. Furthermore thin film Schottky diodes were constructed and characterized. The films have thicknesses of 1 |am and exhibit p-type conductivity. The X-ray diffraction (XRD) revealed that the films are amorphous in nature, while the source is single crystal. The measured room temperature conductivity values vary in between 1.2xl0“6 and 3.2xl0”5 (Qcm)"1. The conductivity-temperature variation of the films in the temperature range of 100-320 K gives the indication of the tail states conduction above 200 K and the variable range hopping below 200 K. IllThe Schottky contact studies showed that the structures with Ag contacts have more rectification. The temperature dependent current-voltage measurements of TO/InSe/Ag structures between 200-320 K revealed that the space charge limited current (SCLC) dominates at high voltages. From the SCLC analysis a hole trap above the valance band was identified with an energy of around 0.16- 0.17 eV.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    861061

    Solution-processed thin film deposition and characterization of multinarychalcogenides: Towards highly efficient Cu2BaSn(S,Se)4 solar devices

    Solüsyon yöntemiyle sentezlenmiş çok elementli kalkojenitlerin ince film kaplama ve karakterizasyonu: Yüksek verimli Cu2BaSn(S,Se)4 bazlı güneş soğuran cihazlara doğru

    BETÜL TEYMUR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    EnerjiDuke University

    Malzeme Bilimi ve Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. DAVİD B.MİTZİ

  2. Tez No

    630851

    Terahertz imaging applications and characterization of ITO thin films grown by magnetron sputtering

    Terahertz görüntüleme uygulamaları ve mıknatıssal saçtırma ile büyütülen ITO ince filmlerin karakterizasyonu

    HASAN KÖSEOĞLU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Bilim ve Teknolojiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. LÜTFİ ÖZYÜZER

  3. Tez No

    421103

    Synthesis of copper zinc tin sulfide CZT(S,Se) with solution based method and formation and characterization of CZT(S,Se) thin films for photovoltaic application

    Solüsyon yöntemiyle CZTS sentezi ve fotovoltaik devreler için CZTS ince film oluşturma ve film özelliklerini inceleme

    RIDVAN ERĞUN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ELİF ÜLKÜ ARICI

  4. Tez No

    334376

    İndiyum sülfür ince filmlerin sprey ısıl ergime yöntemi ile üretilmesi ve elektro-optik karakterizasyonlarının yapılması

    Deposition of indium sulfide thin films via spray pyrolysis technique and performed electro-optic characterization

    EZGİ ULUER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    EnerjiTOBB Ekonomi ve Teknoloji Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    DOÇ. NURDAN DEMİRCİ SANKIR

  5. Tez No

    752589

    Fotoelektrokimyasal sistemler için ileri malzemeler geliştirilmesi: Üretim, karakterizasyon ve sistem entegrasyonu

    Development of advanced materials for photoelectrochemical systems: Production, characterization and integration

    ALİHAN KUMTEPE

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Mühendislik BilimleriTOBB Ekonomi ve Teknoloji Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET SANKIR

Geri Dön