Geri Dön

Metal-semiconductor contact resistance and measurement techniques

Metal-yarı iletken kontak direnci ve ölçüm yöntemleri

  1. Tez No: 118937
  2. Yazar: NURDAN DEMİRCİ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. İBRAHİM GÜNAL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2002
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 108

Özet

oz METAL-YARIİLETKEN KONTAK DİRENCİ VE OLCUM YÖNTEMLERİ Demirci, Nurdan Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. İbrahim Günal Haziran 2002, 90 sayfa Bu çalışmada, Al/p-Si kontak direnci ölçmek ve bu direnci etkileyen faktörleri incelemek için üç temel yöntem olan Cox ve Strack, Three-Terminal (3TM), Transmission Line (TLM) yöntemleri kullanılmıştır. Tavlama sıcaklığının ve iyon ekiminin kontak direncine (Re) ve öz kontak direncine (pc) olan etkileri de ayrıca incelenmiştir. 400°C nin altında tavlanan kontaklar Schottky engel karakteristiği göstermiştir. Tavlanmamış ve 200°C de tavlanmış kontakların engel yüksekliği yaklaşık 0.74 V, 300°C de tavlanmış olanlarınki ise 0.61 V olarak saptanmıştır. İyon ekimi yapılmamış örnekler için, tavlama işlemi kontakların ohmik özelliğini arttırmakla kalmayıp kontak direncini de düşürmüştür.Cox ve Strack yöntemi alt yüzeyinde geniş, üst yüzeyinde de değişik çaplardaki dairesel kontaklara sahip örneklerde uygulanmıştır. Bu yöntem kullanılarak elde edilen pc değeri 0.52 Q.cm2 dir. Re nin toplam dirence katkısının kontak çapına bağlı olduğu ve kontak çapının azalması ile Re nin yükseldiği saptanmıştır. Bu da Cox ve Strack yönteminin geniş alanlı kontaklar için uygun olduğunu göstermektedir. 3TM ve TLM yöntemlerinde dikdörtgen şeklindeki iki kontak arasındaki toplam direnç kullanılarak Re hesaplanır. 3TM ile hesaplanan pc değeri 0.69 Q.cm2 ve TLM içinse 0.73 Q.cm2 dir. İyon ekimi sadece kontakları iyileştirmekle kalmayıp aynı zamanda pc değerlerini de 3TM için 0.23 Q.cm, TLM için de 0.27 Q.cm2 ye düşürmüştür. ANAHTAR KELİMELER: Al/p-Si Kontak, Kontak Direnci, Öz Kontak Direnci, Cox ve Strack Yöntemi, Three-Terminal Yöntemi, Transmission Line Yöntemi. VI

Özet (Çeviri)

ABSTRACT METAL-SEMICONDUCTOR CONTACT RESISTANCE AND MEASUREMENT TECHNIQUES Demirci, Nurdan M.S., Department of Physics Supervisor: Prof. Dr. İbrahim Günal Jun 2002, 90 pages In this study, three basic contact resistance measurement methods; Cox and Strack, Three-Terminal (3TM) and Transmission Line (TLM) were applied on Al/p-Si contacts to measure and investigate the factors affecting the contact resistance. Effects of annealing and implantation processes on contact resistance (Re) and specific contact resistance (pc) were also examined. Contacts annealed below 400°C showed Schottky barrier characteristics, the barrier heights of the unannealed and annealed at 200°C samples were 0.74V, and that of the samples annealed at 300°C were 0.61V. Annealing was found to be necessary to improve the ohmicity of the contact and to reduce the Re for unimplanted samples.Cox and Strack method was applied to sandwich structures having large area contacts under the sample and circular contacts of different radii on top. Specific contact resistance has been observed as 0.52 Q.cm2 for this method. The contribution of Re to total resistance was found to be strongly dependent on contact diameter and it increased as the contact diameter decreased. This means that Cox and Strack method is suitable for large area contacts. In 3TM and TLM, contact resistance can be found by using the total resistance between the two lateral rectangular contacts. The resulting pc values obtained by 3TM is 0.69 Q.cm and that by TLM is 0.73 Q.cm. Implantation not only cured the contacts but also reduced the pc to 0.23 Q.cm2 for 3TM and 0.27 Q.cm2 for TLM. KEYWORDS: Al/p-Si Contact, Contact Resistance, Specific Contact Resistance, Cox and Strack Method, Three-Terminal Method, Transmission Line Method.

Benzer Tezler

  1. 3um N-kuyu CMOS teknolojisi ile test kırmığı tasarımı ve tranzistor eşik gerilimi ayarı

    Test chip design for 3 um N-well CMOS fabrication technology and threshold voltage adjustment

    ZEYNEP D. TOROS

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1991

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ

  2. Laparoskopik cerrahide akıllı eyleyicili ameliyat aletlerinin tutucu kuvvet kontrolü ve doku ile etkileşmi

    Grasping force control and tissue interaction of smart actuated surgical tools in laparoscopic surgery

    MİTHAT CAN ÖZİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. İLKER MURAT KOÇ

    DR. ÖĞR. ÜYESİ BİLSAY SÜMER

  3. P-galyum arsenür (GaAs)/anodik izolasyon filmlerin arayüzey özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of interface properties in p-gallium arsenide (GaAs)/anodic insulator films

    HAYRETTİN YÜZER

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. A. HİKMET ÜÇIŞIK

  4. Silisyumun yönlü aşındırılması ve mikroalgılayıcılar

    Anisotropic etching of silicon and microsensors

    F.ALİ ALDEMİR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1991

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ

  5. Yüksek dielektrik sabitli yalıtkan filmlerin üretilmesi ve mos yapıda incelenmesi

    Fabrication and characterization of high-k dielectric films in mos structure

    AYŞE EVRİM SAATCİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KUBİLAY KUTLU