Al/p-Si ve Au/n-Si schottky diyotlarda I-V ve C-V karakteristiklerinin geniş bir sıcaklık aralığında analizi
Analysis of I-V ve C-V measurements Al/p-Si and Au/n-Si schottky diodes in a wide temperature
- Tez No: 125826
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2002
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 126
Özet
AI/p-Si VE Au/ıı-Si SCHOTTKY »İYOTLARDA J-K VE C-V KARAKTERİSTİKLERİNİN GENİŞ BİR SICAKLIK ARALIĞINDA ANALİZİ (Doktora Tezi) İlbilge DÖKME GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Ocak 2002 ÖZET Bu çalışmada; arayüzey tabakasına sahip Al/p-Si ve Au/n-Si Scbottky diyotlar için 150-375 K sıcaklık aralığında akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri ölçüldü. Orta bestem (»0.1-0.6) bölgesinde yarılogaritmik I-V eğrileri lineer bulundu. Lineer voltaj bölgesinde bu eğrilerin sıfır bestem voltajına ekstrapote edilmesiyle ekle edilen I" doyum akım yoğunluğundan 0g(I- V) potansiyel engel yüksekliği değerleri, deşikler için tünel parametresi bir alınarak her sıcaklık için hesaplandı. Her eğrinin lineer kısmının eğiminden ise idealite faktörü n sıcaklığın fonksiyonu olarak hesaplandı. Lineer bölgeden hesaplanan idealite faktörü değerlerinin sıcaklığa bağlı olarak 3.37-1.50 arasında değişimi Al/p-Si diyotun özellikle düşük sıcaklıklarda termiyonik alan mekanizmasına uyduğunu göstermektedir. Ayrıca idealite faktörünün yüksek değerlerde çıkması arayüzey durumlarının yüksek mertebedeki yoğunluğuna atfedildi. Arayüzey durum yoğunluğunun dağılımı değişik sıcaklıklarda I-V karakteristiklerinden elde edildi. Arayüzey durum yoğunluğu Nss'nin artan sıcaklıkla azalması, metal-yartiletken arayüzeyinde atomların yeniden yapılanma (restructuring) ve yeniden düzenlenme (reordering) durumlarının bir sonucudur. C-V ölçümlerinden, kapasitans değerlerinin Schottky engel yüksekliği ve arayüzey durumları nedeniyle uygulanan voltaja ve sıcaklığa bağlı olarak değiştiği gözlendi C-V ölçümlerinden hesaplanan arayüzey durum yoğunlukları I-V ölçümlerinden hesaplanan arayüzey durum yoğunluktan ite oklukça uyumlu bulundu. C-V ölçümlerinden hesaplanan potansiyel engel yüksekliği ile doğru bestem doyum akımı ifadesinde düzeltme yapıldıktan sonra elde edilen potansiyel engel yüksekliği değerlerinin de geniş bir sıcaklık aralığında birbiri ite iyi bir uyum içinde olduğu gözlendi. Bilim Kodu : 404.05.01 Anahtar Kelimeler : MİS ve MS yapılar, iletim mekanizmaları, arayüzey dorumları, Sayfa Adedi : 110 Tez Yöneticisi : Yd. Doç. Dr. Şemsettin ALTINDAL
Özet (Çeviri)
ANALYSIS OF /-F AND C-V MEASUREMENTS ON Al/p-Si AND Au/a- Si SCHOTTKY DIODES IN A WIDE TEMPERATURE RANGE (Doctorate Thesis) İlbilge DÖKME GAZI UNIVERSITY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY January 2002 ABSTRACT Current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics have been examined in the temperature range of 150-375 K for AI/p-Si and Au/n-Si Schottky diodes with interfacial layer. In the intermediate bias voltage region («0.1-0.6) the semilogarithmic plots of the forward I-V curves, were found to be linear. From the saturation current I0 obtained by extrapolating the linear region of curve to zero applied voltage, barrier height (&B) values were calculated at each temperature assuming to be unity for the tunnelling probability of holes. The ideality factor («) values calculated from the slope of each curves found as a function of temperature. The values of n are 3.37-1.50 indicating that the Al/p-Si diode does obey the thermionic field emission mechanism rather than the other transport mechanism particularly at low temperature. Furthermore the high value of ideality factors attributed to order magnitude higher density of interface states in the Schottky diodes. The density distribution of interface states was obtained from the forward bias I-V characteristics at different temperature. The interface states density. Na decrease with increasing temperature. This improvement is the result of atomic restructuring and reordering at the metal-semiconductor interface. Interface states density obtained from C-V and I-V methods are in good agreement. After a modification is made to the forward current expression, which result in good agreement between the values of barrier height obtained from both methods over a wide temperature. Science code : 40405.01 KeyWords : MIS and MS structures, transport mechanisms, interface states Page Number : 110 Adviser : Assist Professor Şemsettin ALTINDAL
Benzer Tezler
- Metil mavisi ve metil yeşili organik bileşenli Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin incelenmesi
Investigation of the electrical characteristics of Schottky diodes based on methylene blue and methylene green dyes
ALİYE ÇEKİNMEZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. BAHRİ BATİ
- Si yarıiletkeni üzerine iletken polimer kaplanarak oluşturulmuş schottky diyotların özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the properti̇es of schottky diodes fabri̇cated by coati̇ng a conducti̇ve polymer on si̇li̇con semi̇conductor
AHMAD ASİMOV
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHİTDİN AHMETOĞLU
- Metal/organik/inorganik yarıiletken yapıların sıcaklığa bağlı olarak elektriksel ve optik parametrelerinin belirlenmesi
Determination of temperature dependent electrical and optical parameters of metal/organic/inorganic semiconductor structures
ENİSE ÖZERDEN
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAHSİN KILIÇOĞLU
- Au/p-Si yapılarının elektriksel özellikleri üzerine arayüzey tabakasının etkisi
The effect of interface layer on the electrical characteristics of au / p-Si structures
MİNE KESKİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
- Al/ZnO/p-Si ve Au/CuO/p-Si Schottky yapıların farklı metotlarla elde edilmesi ve karakterizasyonu
Production and characterizations of Al/ZnO/p-Si and Au/CuO/p-Si Schottky structures by different methodes
SAMED ÇETİNKAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiMustafa Kemal ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. H. ALİ ÇETİNKARA