Geri Dön

Modeling mismatch between transitors on a wafer and the effect of mismatch in a CMOS GSM receiver

Kırmık üzerindeki transistörler arasındaki uyumsuzluğun modellenmesi ve uyumsuzluğun CMOS GSM alıcı üzerindeki etkileri

  1. Tez No: 129252
  2. Yazar: ÖZGÜR AHMET TARAKÇI
  3. Danışmanlar: PROF. DR. GÜNHAN DÜNDAR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2002
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Boğaziçi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 86

Özet

ÖZET KIRMIK ÜZERİNDEKİ TRANSISTORLER ARASINDAKİ UYUMSUZLUĞUN MODELLENMESİ VE UYUMSUZLUĞUN CMOS GSM ALICI ÜZERİNDEKİ ETKİLERİ Analog tümleşik devreler tasarlanırken kırmığın farklı yerlerinde yer alan ve aynı W/L oranına sahip olan transistörlerin eşit kutuplama durumlarında aynı eşik gerilimi, Vt, alam faktörü, p ve dolayısıyla aynı akaç akımına, İd, sahip olacakları kabul edilir. Ancak, kırmığın farklı bölgelerinde yer alan iki eşdeğer transistor arasında transistor parametrelerindeki değişimlerden dolayı bir uyumsuzluk mevcuttur. Bu tezde, uyumsuzluk modellenecek ve uyumsuzluğun etkisi CMOS GSM alıcı üzerinde her bir blok için HSPICE kullanılarak incelenecektir. Ek olarak, uyumsuzluğun alıcının genel performansı üzerin etkisi de incelenecek ve böylece transistörler arasındaki uyumsuzluğu hesaba katarak bir alıcı tasarlamak mümkün olabilecektir.

Özet (Çeviri)

IV ABSTRACT MODELING MISMATCH BETWEEN TRANSISTORS ON A WAFER AND THE EFFECT OF MISMATCH IN A CMOS GSM RECEIVER When designing analog integrated circuits, it is generally assumed that the transistors at different locations on a wafer with the same WZL ratios have the same threshold voltage, Vt and the current factor, p, hence the same drain current, Id under identical bias conditions. However, there is always a mismatch between two identical transistors located at different places on the wafer because of the variations of transistor parameters. In this thesis, the mismatch will be modeled and the effect of mismatch will be examined for each block in a CMOS GSM receiver using HSPICE. In addition, the effect of mismatch to the overall performance of the receiver will also be studied and it will be possible to design a receiver considering the mismatch between the transistors.

Benzer Tezler

  1. Modeling statistical variations in MOS transistors

    MOS transistörlerde istatistiksel değişimlerin modellenmesi

    GÜLİN TULUNAY

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2001

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    PROF. DR. ATİLLA ATAMAN

  2. Statistical design and yield enhancement of low voltage cmos VLSI circuits

    Düşük gerilimli analog VLSI devrelerin istatistiksel tasarımı

    TUNA B. TARIM

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1999

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. H. HAKAN KUNTMAN

  3. Kuantum noktaların elektrik ve gerinim alanları etkisi altında modellenmesi ve tasarımı

    Modeling and design of quantum dots under the effect of electric and stress field

    NUR SEDA AYDIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Metalurji MühendisliğiTOBB Ekonomi ve Teknoloji Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ERSİN EMRE ÖREN

  4. Örneklem tabanlı gürbüz konuşma tanıma

    Exemplar based noise robust speech recognition

    FATİH AKTÜRK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ENDER METE EKŞİOĞLU

  5. Digital Background Calibration for Capacitor Mismatch and Gain Errors in Pipeline ADCs

    Kapasitör Uyumsuzluğu ve Kazanç Hataları İçin Arka Plan Sayısal Kalibrasyonu

    ENVER DERUN KARABEYOĞLU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik-Haberleşme Eğitimi Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ TUFAN COŞKUN KARALAR