Geri Dön

A Theoretical study of the III-N-V quantum well lasers

III-N-V kuantum kuyu lazerleri üzerine teorik bir çalışma

  1. Tez No: 130879
  2. Yazar: BİLAL YAĞDIRAN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. BEŞİRE GÖNÜL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Nitridler, band anticrossing modeli, geçirgenlik ve eşik özellikleri iv, Nitrides, band anticrossing model, transparency and threshold characteristics 11 agT»»**
  7. Yıl: 2003
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Gaziantep Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 72

Özet

oz in-N-V KUANTUM KUYU LAZERLERİ ÜZERİNE TEORİK BİR ÇALIŞMA YAĞDIRAN Bilal Yüksek Lisans Tezi Fizik Mühendisliği Tez Yöneticisi: Doç. Dr.Beşire GÖNÜL Ocak 2003, 61 sayfa Bu çalışmada III-N-V kuantum kuyu lazerlerinin sıradışı nitelik ve performansları teorik olarak incelenmektedir. 1.3 um dalgaboyunda ışıma yapan III-N-V kuantum kuyu lazerlerine iyon yüklemesinin geçirgenlik taşıyıcı yoğunluğu ve üst kazanç üzerindeki etkilerinin detaylı olarak incelenmesi açıkça şunu göstermiştir ki; yükleme sayesinde geçirgenlik taşıyıcı yoğunluğu önemli ölçüde düşmüş ve kazanç artmıştır. 1.3 um dalga boyunda ışıma yapan InGaNAs/GaAs ve InNAsP/InP kuantum kuyu sistemlerinin karşılaştırması ikinci sistemin materyal kalitesinin birinci sisteme nazaran daha iyi olduğunu açığa çıkarmıştır.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT A THEORETICAL STUDY OF THE HI-N-V QUANTUM WELL LASERS YA?DIRAN, Bilal M.Sc. in Engineering Physics Supervisor: Assoc.Prof. Dr. Beşire GÖNÜL January 2003, 61 pages This thesis investigates the unusual properties and performance of HI-N-V QW lasers theoretically. A detailed investigation of the effect of doping on the parameters of transparency carrier density and peak gain of IQ-N-V QW lasers emitting at 1.3 um reveals the fact that a significant reduction in transparency carrier density and an increase in gain can be obtained by modulation doping. The comparison of the band structure parameters of InGaNAs/GaAs and InNAsP/InP systems emitting at 1.3 um shows that the material quality seems better in the latter compared to the first one.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    130867

    Band-offset ratio calculations of nitrogen containing III-V quantum wells

    Nitrojen içeren III-V kuantum kuyularının bant-derinlik oranının hesaplanması

    FATMA KOÇAK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2003

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BEŞİRE GÖNÜL

  2. Tez No

    55521

    Portföy yönetimi

    Başlık çevirisi yok

    YELDA CAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1996

    Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik Üniversitesi

    Y.DOÇ.DR. CELAL TUNCER

  3. Tez No

    137134

    Analysis of bacward inference process within the frame of discourse analysis

    Geriye dönük çıkarım sürecinin söylem çözümlemesi bağlamında incelenmesi

    ESRA AYDIN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2003

    Eğitim ve ÖğretimMersin Üniversitesi

    İngiliz Dili ve Edebiyatı Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ÖZLER ÇAKIR

  4. Tez No

    14070

    Elastik zemine oturan sonlu kirişlerin deneysel incelenmesi

    Experimental study of finite length beams on elastic foundation

    MUZAFFER ELMAS

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1988

    İnşaat Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    DOÇ.DR. KAYA ÖZGEN

  5. Tez No

    68880

    Katmanlı kompozit panellerin anlık basınç yüküne dinamik cevabı

    Dynamic response of laminated composite panels subjected to blast loading

    HALİT S. TÜRKMEN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Uçak Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Uçak Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ZAHİT MECİTOĞLU

Geri Dön