A Theoretical study of the III-N-V quantum well lasers
III-N-V kuantum kuyu lazerleri üzerine teorik bir çalışma
- Tez No: 130879
- Danışmanlar: DOÇ. DR. BEŞİRE GÖNÜL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Nitridler, band anticrossing modeli, geçirgenlik ve eşik özellikleri iv, Geçirgenlik, Kuantum kuyusu, Lazerler, Nitritler, Nitrides, band anticrossing model, transparency and threshold characteristics 11 agT»»**, Permeability, Quantum well, Lasers, Nitrites
- Yıl: 2003
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Gaziantep Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
oz in-N-V KUANTUM KUYU LAZERLERİ ÜZERİNE TEORİK BİR ÇALIŞMA YAĞDIRAN Bilal Yüksek Lisans Tezi Fizik Mühendisliği Tez Yöneticisi: Doç. Dr.Beşire GÖNÜL Ocak 2003, 61 sayfa Bu çalışmada III-N-V kuantum kuyu lazerlerinin sıradışı nitelik ve performansları teorik olarak incelenmektedir. 1.3 um dalgaboyunda ışıma yapan III-N-V kuantum kuyu lazerlerine iyon yüklemesinin geçirgenlik taşıyıcı yoğunluğu ve üst kazanç üzerindeki etkilerinin detaylı olarak incelenmesi açıkça şunu göstermiştir ki; yükleme sayesinde geçirgenlik taşıyıcı yoğunluğu önemli ölçüde düşmüş ve kazanç artmıştır. 1.3 um dalga boyunda ışıma yapan InGaNAs/GaAs ve InNAsP/InP kuantum kuyu sistemlerinin karşılaştırması ikinci sistemin materyal kalitesinin birinci sisteme nazaran daha iyi olduğunu açığa çıkarmıştır.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT A THEORETICAL STUDY OF THE HI-N-V QUANTUM WELL LASERS YA?DIRAN, Bilal M.Sc. in Engineering Physics Supervisor: Assoc.Prof. Dr. Beşire GÖNÜL January 2003, 61 pages This thesis investigates the unusual properties and performance of HI-N-V QW lasers theoretically. A detailed investigation of the effect of doping on the parameters of transparency carrier density and peak gain of IQ-N-V QW lasers emitting at 1.3 um reveals the fact that a significant reduction in transparency carrier density and an increase in gain can be obtained by modulation doping. The comparison of the band structure parameters of InGaNAs/GaAs and InNAsP/InP systems emitting at 1.3 um shows that the material quality seems better in the latter compared to the first one.
Benzer Tezler
- Band-offset ratio calculations of nitrogen containing III-V quantum wells
Nitrojen içeren III-V kuantum kuyularının bant-derinlik oranının hesaplanması
FATMA KOÇAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BEŞİRE GÖNÜL
- Investigation of the growth kinetics and morphology transitions during porous anodization of titanium in ethylene glycol based electrolytes
Etilen glikol bazlı elektrolitlerde titanyumun gözenekli anodizasyonu sırasında oluşan oksidin büyüme kinetiği ve morfolojik geçişlerinin incelenmesi
EREN SEÇKİN
Doktora
İngilizce
2022
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KAMİL ÜRGEN
- d=2n boyuta genelleştirilmiş Gürsey modelde monopol çözümleri
A Monopol-like solution of Gürsey model generalized to d=2n dimensions
HALUK ÖZBEK
- Magnetic and magnetotransport investigations of manganese doped ferromagnetic II-VI and III-V diluted magnetic semiconductors (DMS)
Başlık çevirisi yok
MUSTAFA EĞİNLİGİL
Doktora
İngilizce
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiState Unıversıty Of New York At BuffaloPROF. BRUCE D. MCCOMBE
- Yeni 3,5-diiyodosalisilaldehit içeren schiff bazları sentezi, karakterizasyonu ve moleküler kenetleme çalışmaları
Synthesis, characterization, and molecular docking studies of novel schi̇ff bases containing 3,5-diiodosalicylaldehyde
ONUR ERMAN DOĞAN
