FeSi2/Si eklemlerin elektriksel karakteristikleri
FeSi2/Si junctions electricals characteristics
- Tez No: 139837
- Danışmanlar: PROF. DR. TAYYAR CAFEROV
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: p-FeSİ2, Fe/Si junctions, FeSi2/Si heterojunctions, Electiric, Fotovoltaic
- Yıl: 2003
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 64
Özet
Bu çalışmada üç farklı yöntemle elde edilen FeSİ2/Si eklemlerin elektrik ve fotovoltaik özellikleri incelendi. İlk olarak farklı altlık sıcaklıklarında n- tipi ve p- tipi Silisyum üzerine elektron demeti buharlaştırma yöntemi ile Fe/n-Si ve Fe/p-Si. eklemler elde edildi. Karanlıkda ve aydrnlıkdaki akım-gerilim karakteristikleri incelenmesinden, eklemlerin doğrultma özelliklerine ve fotoduyarlılığa sahip olduğu gözlendi. Fe/Si eklemler içerisinde oda sıcaklığında elde edilen Fe/n-Si eklemlerin en yüksek fotovoltaik parametrelere sahip olduğu tespit edildi (Voc =210 mV, Jsc=33,6 uA/cm2). Diğer bir yöntemde ise toz demir ve Silisyum stokiometrik oranda karıştırılarak hazırlanan tavlanmamış FeSİ2 tabletlerin ve vakumda sentezlenmiş bulk polikristal p-FeSİ2 parçacıkların, Tait==25°C'de n- tipi ve p- tipi Si altlıklar üzerine elektron demeti buharlaştırma yöntemi ile FeSİ2/Si heteroeklemler elde edildi. Bu eklemlerde de yapılan akım-gerilim ölçümleri neticesinde FeSİ2/n-Si heteroeklemler en yüksek fotovoltaik parametrelere sahip olduğu tespit edildi (Voc -105 mV, JS
Özet (Çeviri)
ABSTRACT In this work electrical and photovoltaic properties of FeSi2/Si junctions, which obtained in 3 different methods, are investigated. First of all Fe/n-Si and Fe/p-Si junctions are obtained on n-type and p-type silicon by e-beam evaporation at different substrate temparetures. It was seen, from the investigation of dark and illuminated current-voltage characteristics, that junctions have rectifying properties and photosensitivity. It is determinated that Fe/n-Si junctions which obtained at room temperature have the highest photovoltaics parameters ( Voc=210 mV, Jsc=33,6 uA/cm2). In other method FeSİ2 tablets, obtained by the stociometric powder mixture of iron and silicon, and P -FeSİ2 which synthesied in vacuum are evaporated by e-beam onto n-type and p- type Si substrates at T=Q.5°C and FeSİ2/Si heterojunctions are obtained. From the current- voltage measurements of these junctions, photovoltaic parameters of FeSİ2/n-Si heterojunctions are found as the highest (Voc=105 mV, Jsc=l,l uA/cm2 ). Crystalic structure, phase and electrical properties of the grown bulk samples are determined from the X-ray diffractions, DSC and resistivity measurements respectively. p-FeSi2 samples have orthorhombic structure and p-type conductivity. In last method, Fe(W)Si2/glass and Fe(W)Sİ2/n-Si heterojunctions are obtained by the evaporation of Fe(W)Sİ2 bulk polycrystalline on to glass and n-Si. p-Fe(W)Sİ2/n-Si junctions have the highest photovoltaic parameters (Voc=275 mV, Jsc=180 uA/cm2 and FF=0,23) of all heterojunctions. Fe(W)Sİ2 film on the glass has p-type conductivity and resistivity of film was p=2,7.10"3 Q-cm. Besides it was seen that p-Fe(W)Sİ2/n-Si heterojunction has photosensitivity in A.= 350- 1800 nm. Another important point for these heterojunctions is the high rectifying coefficient (Idirect/Ireverse=:1194), and the ratio of illuminated current to the dark current (i.e photosensitivity) under the reverse bias (Iiight/Idark =1790). Referring to these properties, p- Fe(W)Sİ2/n-Si heterojunctions can be used as photodiodes.
Benzer Tezler
- ?-FeSi2 ince filmlerin elde edilmesi ve fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of physical properties and synthesis of ß-FeSi2 thin films
BEYHAN TATAR
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU
- Yüksek Si içeriğine sahip Fe-Si alaşımlarının üretiminde alternatif bir yöntem: Ergimiş tuz elektrolizi
An alternatif method in production of high Si content Fe-Si alloys: Molten salt electrolysis
OĞUZ KAĞAN COŞKUN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERVET İBRAHİM TİMUR
- Kalsine dolomitin silikotermik redüksiyonu ile magnezyum metal üretimi
Production of magnesium metal from silicothermic reduction of calcined dolomite
SELEN YİĞİT
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ONURALP YÜCEL
- Ailesel epilepsi ve/veya mental motor retardasyonlu çocuklarda klinik, laboratuvar ve pedigri incelemeleri
Examinations of clinical, laboratory and pedigrees in children with familial epilepsy and/or mental motor retardation
FESİH AKTAR
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
2011
Çocuk Sağlığı ve HastalıklarıYüzüncü Yıl ÜniversitesiÇocuk Sağlığı ve Hastalıkları Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜSEYİN ÇAKSEN
- Ortaokul 7. sınıf öğrencilerinin basılı ve dijital sözlük kullanma durumları
Print and digital dictionary for middle school 7th grade students' use cases
FESİH SARIGÜL
Doktora
Türkçe
2024
Eğitim ve ÖğretimUşak ÜniversitesiTürkçe Eğitimi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSA ÇİFCİ