İnfrared bölgesinde çalışan fotodiyotların elektrik ve fotoelektrik özelliklerine göre incelenmesi
Investigation of the electrical and photoelectrical properties of pin photodiodes operating at the infrared region
- Tez No: 139868
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MUHİTTİN AFRAİLOV
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2003
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Uludağ Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 106
Özet
ÖZET infrared Bölgesinde Çalışan Fotodiyotların Elektrik ve Fotoelektrik Özelliklerine Göre İncelenmesi Bu çalışmada, Si pin fotodiyotlar ile çalışılmıştır. Si pin fotodiyota ait akım ve gerilim karakteristikleri incelenmiş ve elde edilen I - V değişim grafikleri yardımı ile, ideallik faktörü (p) belirlenmiştir. İdeallik faktörü yardımı ile fotodiyotta baskın olan akım mekanizmaları tespit edilmiştir. I - V ölçümlerinden sonra C - V ölçümleri alınmış, bu ölçümler yardımı ile katkı yoğunluğu (NB) ve katkı bölgesi genişliği (W) elde edilmiştir. Son bölümde Si pin fotodiyot üzerindeki aydınlatma etkisine değmilrniş, aydınlatmama Si pin fotodiyota ait; duyarlılık, sığa ve akım parametrelerine olan etkisi incelenmiştir.
Özet (Çeviri)
11 ABSTRACT Investigation Of The Electrical and Photoelectrical Properties Of Pin Photodiodes Operating At The Infrared Region In this study, we have studied with si pin photodiodes. The current and voltage characteristics of the Si pin photodiodes have been researched and with the help of the I-V change graphics which are obtained via the research, the ideal factor is determined. With the help of the ideal factor the dominant current mechanism on the photodiode is determined. After the I - V measurements the C - V measurements are taken and with the help of these measurements, the doping density and doping region width are obtained. In the last part, the iUumination effect on the Si pin photodiode is mentioned, and the effect of the illumination on the sensitivity, capacitance and current parameters of the Si pin photodiode is researched.
Benzer Tezler
- GaSb yarı iletken temelindeki infrared fotodiyotların karanlık akımlarının incelenmesi
Investigation of dark current mechanisms of GaSb based infrared photodiodes
BANU KUCUR
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUHİTDİN AHMETOĞLU
- Orta-kızılötesi dalgaboyunda çalışan InAs/GaSb süperörgü fotodiyotların opto-elektronik karakterizasyonu
Opto-electronic characterization of InAs/GaSb superlattice photodiodes operating in the mid-wavelength infrared
MELİH KORKMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BÜLENT ASLAN
- Development of mid-infrared coherent sources based on novel nonlinear devices
Doğrusal olmayan yöntemler kullanılarak kızılaltı bölgesinde çalışan laser kaynaklarının geliştirilmesi
MELİSA NATALİ ÇİZMECİYAN SÖZÜDOĞRU
Doktora
İngilizce
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiKoç ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALPHAN SENNAROĞLU
- Design, fabrication and characterization of an ultra-broadband metamaterial absorber using bismuth in the near infrared region
Yakın kızılötesi bölgesinde çalışan çok geniş bantlı bir metamalzeme soğurucunun bizmut kullanılarak tasarımı, üretimi ve karakterizasyonu
İMRE ÖZBAY
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÖNÜL SAYAN
- Kuantum sınırlı safsızlık atomlarının kullanıldığı THz dedektör yapıların MBE yöntemiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu
MBE growth and characterization of THz detector structures using quantum confined impurity atoms
GÜVEN KORKMAZ
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN