GaSb yarı iletken temelindeki infrared fotodiyotların karanlık akımlarının incelenmesi
Investigation of dark current mechanisms of GaSb based infrared photodiodes
- Tez No: 286962
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MUHİTDİN AHMETOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Uludağ Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 67
Özet
Yarıiletken malzemeler ve bu malzemelerden üretilen doğrultucu, laser, transistör, ışık yayan diyot (LED), fotodetektör gibi araç ve gereçler, elektronik, bilgisayar teknolojisi, nanoteknoloji, askeri savunma sanayi, optik iletişim sistemleri gibi pek çok alanda yaygın olarak kullanılmaktadır. Son yıllarda, kızılötesi (infrared) bölgede çalışan yüksek verimli ışık kaynakları ve fotoalıcılar, ayrıca bunların imal edilmesi için gereken yarıiletken malzemelerin incelenmesi güncel bir konu haline gelmiştir. Söz konusu spektrum bölgesinde çalışan optoelektronik düzeneklerin imal edilmesi için GaSb ve InAs gibi taban malzemeler ile örgü sabitleri uyumlu olan GaInAsSb, GaAlAsSb, InAsSbP gibi dört bileşenli katı çözeltiler uygun malzemeler olarak görülmektedirler.Bu çalışmada kızılötesi bölgede çalışan GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb çift heteroyapı numunesinin elektrik özellikleri incelenmiştir. C-V ve I-V ölçümlerinin yanı sıra hesaplanan ideal faktör ve aktivasyon enerjisi değerlerinden de faydalanılarak farklı sıcaklıklardaki karanlık akım mekanizmaları yorumlanmıştır.
Özet (Çeviri)
Semiconductor materials and devices produced from these materials such as rectifiers, lasers, transistors, light emitting diodes (LEDs) and photodetectors are widely used in electronics, computing technologies, nanotechnology, defence industry, optical communication systems etc. In recent years, efficient light sources and photodetectors operating in the infrared region and investigation of the semiconductor materials used to fabricate these devices have been popular. Quaternary solid solutions such as GaInAsSb, GaAlAsSb and InAsSbP which are lattice matched with GaSb and InAs substrates are said to be appropriate materials to fabricate optoelectronic devices operating in the infrared region.In this work, electrical properties of the GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb double heterostructure were investigated. Dark current mechanisms at several temperatures are discussed by using calculated ideality factor and activation energy values in addition to I-V and C-V measurements.
Benzer Tezler
- Characterization of epitaxially grown iii-v nanostructures by electron microscopy
Epi̇taksi̇yel olarak büyütülen iii-v nanoyapilarin elektron mi̇kroskopi̇ i̇le karakteri̇zasyonu
YUSUF EREN SUYOLCU
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BÜLENT ASLAN
PROF. DR. SERVET TURAN
- Güneş hücresi ve lazer uygulamaları için büyütülen SB tabanlı III-V grubu yarıiletken yapıların incelenmesi
Investigation of grown SB-based III-V group semiconductor structures for solar cell and laser applications
SABAHATTİN ERİNÇ ERENOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
EnerjiEskişehir Teknik Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ BURCU ARPAPAY
- Band modelling of N-type superlattice detector systems with using empirical pseudopotential method
Empirical pseudopotentıal metodu kullanılarak N-tipi süperörgü dedektör sistemlerinin band modellemesi
KAZIM AKEL
Doktora
İngilizce
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-tipi GaSb yarı iletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri
The temperature dependent electron and magnetotransport in Te doped n-type GaSb grown by LEC
BİRGÜL YASEMİN IŞIK
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. MEHMET KASAP
- Strained empirical pseudopotential generation from hybrid density functionals: GaAs, InAs, GaSb, InSb
Hibrit yoğunluk fonksiyonellerinden gerinmeli yarı deneysel görünür potansiyel üretimi: GaAs, InAs, GaSb, InSb
ASLI ÇAKAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CEYHUN BULUTAY