Fabrication and characterization of GaAs and InAs hall sensors
GaAs ve InAs yapıdan hall aygıtları üretimi ve karaterizasyonu
- Tez No: 155493
- Danışmanlar: DOÇ. DR. AHMET ORAL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Taramalı Hail Aygıtı Mikroskopisi, Hail aygıtı, manyetik alan. iv, Scanning Hall Probe Microscopy, Hall sensor, magnetic field. m
- Yıl: 2004
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 73
Özet
ÖZET GaAs VE InAs YAPIDAN HALL AYGITLARI ÜRETİMİ VE KARAKTERİZASYONU Serdar Özdemir Fizik, Yüksek Lisans Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Ahmet Oral Temmuz, 2004 Geçtiğimiz son on yılda, Taramalı Hail Aygıtı Mikroskopisi manyetik alan ölçümlerinde yaygın olarak kullanılan bir yöntem oldu. Taramalı Hail Aygıtı Mikroskopisi için GaAs ve InAs yapılardan düşük gürültülü Hail sensörleri optik litoğrafi tekniği kullanılarak üretildi. Bu sensörlerin 77 K ve 300 K de gürültü analizleri yapıldı. Gülrültü ölçümlerinden ölçülebilen minimum manyetik alan büyüklükleri hesaplandı. Bu sensörlerin en verimli çalıştığı Hail akımı aralığı belirlendi.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF GaAs AND InAs HALL SENSORS Serdar Ozdemir M.S. in Physics Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Ahmet Oral July, 2004 Scanning Hall Probe Microscopy has become a widely used method for magnetic field measurements in the last decade. For Scanning Hall Probe Microscopy, low noise Hall sensors are fabricated from GaAs and InAs structures using optical lithography techniques. Noise analysis of both types of sensors are done at 77 K and 300 K for various Hall currents. Minimum detectable magnetic fields are calculated from these noise measurements. The range of the Hall currents that makes the sensors work most efficiently are also calculated.
Benzer Tezler
- Kızılötesi algılamada kullanılan kendiliğinden oluşan InAs/GaAs kuantum nokta yapıların MBE tekniği ile büyütülmesi ve karakterizasyonu
MBE growth and characterization of self-assembled InAs/GaAs quantum dot structures for infrared detection
SAMET ÖZDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BÜLENT ASLAN
- Nano-scale chemically modified thin film characterization for chemical mechanical planarization applications
Nano-boyutta kimyasal modifiye edilmiş ince filmlerin kimyasal-mekanik düzleştirme uygulamaları için karakterizasyonu
AYŞE KARAGÖZ
Doktora
İngilizce
2015
Mühendislik BilimleriÖzyeğin ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. GÜL BAHAR BAŞIM DOĞAN
- Fabrication and characterization of thin-film GaAs solar cells peeled-off from Si substrates
Si alttaş üzerinden kaldırılan ince film GaAs güneş hücrelerinin fabrikasyonu ve karakterizasyonu
ALİ BÜYÜKPINAR
Yüksek Lisans
İngilizce
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA KULAKCI
- InGaAs/InP ve InGaAs/GaAs kuantum kuyulu güneş hücrelerinin üretimi ve karakterizasyonu
The fabrication and characterization of InGaAs/InP ve InGaAs/GaAsquantum well solar cells
KÜRŞAT KIZILKAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Bilim ve TeknolojiGazi ÜniversitesiKatıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK