Geri Dön

Fabrication and characterization of GaAs and InAs hall sensors

GaAs ve InAs yapıdan hall aygıtları üretimi ve karaterizasyonu

  1. Tez No: 155493
  2. Yazar: SERDAR ÖZDEMİR
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. AHMET ORAL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Taramalı Hail Aygıtı Mikroskopisi, Hail aygıtı, manyetik alan. iv, Scanning Hall Probe Microscopy, Hall sensor, magnetic field. m
  7. Yıl: 2004
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 73

Özet

ÖZET GaAs VE InAs YAPIDAN HALL AYGITLARI ÜRETİMİ VE KARAKTERİZASYONU Serdar Özdemir Fizik, Yüksek Lisans Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Ahmet Oral Temmuz, 2004 Geçtiğimiz son on yılda, Taramalı Hail Aygıtı Mikroskopisi manyetik alan ölçümlerinde yaygın olarak kullanılan bir yöntem oldu. Taramalı Hail Aygıtı Mikroskopisi için GaAs ve InAs yapılardan düşük gürültülü Hail sensörleri optik litoğrafi tekniği kullanılarak üretildi. Bu sensörlerin 77 K ve 300 K de gürültü analizleri yapıldı. Gülrültü ölçümlerinden ölçülebilen minimum manyetik alan büyüklükleri hesaplandı. Bu sensörlerin en verimli çalıştığı Hail akımı aralığı belirlendi.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF GaAs AND InAs HALL SENSORS Serdar Ozdemir M.S. in Physics Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Ahmet Oral July, 2004 Scanning Hall Probe Microscopy has become a widely used method for magnetic field measurements in the last decade. For Scanning Hall Probe Microscopy, low noise Hall sensors are fabricated from GaAs and InAs structures using optical lithography techniques. Noise analysis of both types of sensors are done at 77 K and 300 K for various Hall currents. Minimum detectable magnetic fields are calculated from these noise measurements. The range of the Hall currents that makes the sensors work most efficiently are also calculated.

Benzer Tezler

  1. Kızılötesi algılamada kullanılan kendiliğinden oluşan InAs/GaAs kuantum nokta yapıların MBE tekniği ile büyütülmesi ve karakterizasyonu

    MBE growth and characterization of self-assembled InAs/GaAs quantum dot structures for infrared detection

    SAMET ÖZDEMİR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BÜLENT ASLAN

  2. Nano-scale chemically modified thin film characterization for chemical mechanical planarization applications

    Nano-boyutta kimyasal modifiye edilmiş ince filmlerin kimyasal-mekanik düzleştirme uygulamaları için karakterizasyonu

    AYŞE KARAGÖZ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Mühendislik BilimleriÖzyeğin Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. GÜL BAHAR BAŞIM DOĞAN

  3. Fabrication and characterization of thin-film GaAs solar cells peeled-off from Si substrates

    Si alttaş üzerinden kaldırılan ince film GaAs güneş hücrelerinin fabrikasyonu ve karakterizasyonu

    ALİ BÜYÜKPINAR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA KULAKCI

  4. InGaAs/InP ve InGaAs/GaAs kuantum kuyulu güneş hücrelerinin üretimi ve karakterizasyonu

    The fabrication and characterization of InGaAs/InP ve InGaAs/GaAsquantum well solar cells

    KÜRŞAT KIZILKAYA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Bilim ve TeknolojiGazi Üniversitesi

    Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK