InGaAs/InP ve InGaAs/GaAs kuantum kuyulu güneş hücrelerinin üretimi ve karakterizasyonu
The fabrication and characterization of InGaAs/InP ve InGaAs/GaAsquantum well solar cells
- Tez No: 323005
- Danışmanlar: PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Bilim ve Teknoloji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Science and Technology, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 103
Özet
Bu tez çalışması kapsamında, InGaAs kuantum kuyulu güneş pili (QWSC) yapıları GS174 için GaAs ve GS249 için InP alttaş üzerine, Moleküler Demet Epitaksi (MBE) yöntemi kullanılarak büyütüldü. Büyütülen GS174 ve GS249 QWSC yapılarının öncelikle; Yüksek Çözünürlüklü X-Işınları Kırınımı (HRXRD), Atomik Kuvvet Mikroskopu (AFM), Taramalı Elektron Mikroskopu (SEM) ve İkincil İyon Kütle Spektrometresi (SIMS) analizleri yapıldı. Analizlerin ardından, GS174 ve GS249 QWSC yapılarının 1x1 cm2'lik kesilmiş ikişer parçalarına litografi ve metalizasyon adımlarını içeren fabrikasyon işlemleri yapıldı. Fabrikasyonu tamamlanan GS174 ve GS249 QWSC numunelerinin birer parçalarının ve cam alltaşın üzerine 500 Å kalınlıklı Si3N4 yansıma önleyici tabaka kaplandı. Cam alttaş üzerine kaplanan Si3N4 yansıma önleyici tabakanın UV-VIS spektrometre analizi yapılarak, yansıma önleyici tabakanın optik geçirgenlik özelliği incelendi. Si3N4 yansıma önleyici tabaka kaplanmış ve kaplanmamış GS174 ve GS249 QWSC numunelerinin Akım-Gerilim (I-V) karakteristikleri incelenerek, yansıma engelleyici tabakanın üretilen güneş hücrelerinin ışığa duyarlılığını arttırdığı gözlendi.
Özet (Çeviri)
Within the scope of this study, for GS174, GaAs and GS249 which are of the structures of InGaAs solar quantum well solar cells (QWSC) was magnified using Molecular Beam Epitaxy (MBE) method on InP substrate. High Resolution X-Ray Diffraction (HRXRD), Atomic Force Microscope, (AFM), Scanning Electron Microscope (SEM) and Secondary Ion Mass Spectrometer (SIMS) analysis of magnified GS174 and GS249 QWSC structures were done. After the analysis, fabrication operations containing lithography and metallization steps were made to parts of GS174 and GS249 QWSC structures cut into two parts as 1x1 cm2. Upon completing the fabrication, one part of GS 174 and GS249 QWSC samples and glass substrate were covered with a 500 Å density Si3N4 antireflection layer. Optical permeability quality of antireflection layer on glass substrate was analyzed through UV-VIS spectrometer analysis. Analyzing Current-Voltage characteristics of GS174 and GS249 QWSC samples, it was found out that the antireflection layer raised the sensibility of solar cells to light.
Benzer Tezler
- Ensemble Monte Carlo simulation of quantum well infrared photodetectors, and InP based long wavelength quantum well infrared photodetectors for thermal imaging
Kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörlerin toplu Monte Carlo simülasyonu, ve termal görüntüleme için InP tabanlı uzun dalga boyu kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörler
ORAY ORKUN CELLEK
Doktora
İngilizce
2006
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ
- InSb and InAsSb infrared photodiodes on alternative substrates and InP/InGaAs quantum well infrared photodetectors: Pixel and focal plane array performance
Alternatif tabanlar üzerinde InSb ve InAsSb kızılötesi fotodiyotlar ve InP/InGaAs kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörler: Piksel ve odak düzlem matrisi performansı
SELÇUK ÖZER
Doktora
İngilizce
2005
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü
PROF.DR. CENGİZ BEŞİKCİ
- Single and dual band quantum well infrared photodetector focal plane arrays on InP substrates
InP taban üzerinde tek ve iki bantlı kuantum kuyulu kızıl ötesi fotodedektör odak düzlem matrisleri
SÜLEYMAN UMUT EKER
Doktora
İngilizce
2010
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ
- InP tabanlı kuantum kuyulu kızılötesi dedektör dizinlerinin fabrikasyonu ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of InP based quantum well infrared detector arrays
TOLGA YELBOĞA
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiNanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı
PROF. RECAİ ELLİALTIOĞLU
- Fabrication and characterization of InP based quantum well infrared photodetectors
InP temelli kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörlerin üretimi ve karakterizasyonu
GAMZE TORUNOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2012
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
PROF. DR. MEHMET PARLAK