Geri Dön

MOS yapılarda temel fiziksel parametrelerin frekans ve radyasyon miktarına bağlı incelenmesi

The investigation of basic physical parameters depend on frequency and radition dose rate in MOS structures

  1. Tez No: 155940
  2. Yazar: ADEM TATAROĞLU
  3. Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: MOS yapı, radyasyon etkisi, arayüzey durumlar, seri direnç, MOS structure, radiation effect, interface states, series resistance
  7. Yıl: 2004
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

MOS YAPILARDA TEMEL FİZİKSEL PARAMETRELERİN FREKANS VE RADYASYON MİKTARINA BAĞLI İNCELENMESİ (Doktora Tezi) Adem TATAROĞLU GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Şubat 2004 ÖZET Bu çalışmada sırasıyla (111) ve (100) yüzey yönelimine sahip, 2" çapında, 280 ve 350 fim kalınlığında, 4,45 ve 1 îîcm özdirençli n ve p-tipi tek silisyum kristalleri kullanılarak metal-oksit-yarıiletken(MOS) yapılar oluşturuldu. MOS yapıların C-V ve G/co-V ölçümleri oda sıcaklığında gerçekleştirildi. Radyasyondan sonra Au/SnCVn-Si (MOS2) yapı, 60Co kaynağına tutularak, aynı ölçümler tekrarlandı. Seri direnç, yalıtkan oksit tabakası ve arayüzey durumlarının C-V ve G/co-V karakteristiklerine etkisi araştırıldı. MOS2 yapısında yüzey durumlarının dağılım profili, düşük-yüksek frekans kapasitans tekniği kullanılarak tükenim ve zayıf tersinim bölgesinde radyasyondan önce ve sonra elde edildi. Ölçülen kapasitans ve iletkenlik seri direnç için düzeltildi. Seri direnç artan frekans ve radyasyon dozu ile azalmaktadır. Dielektrik sabiti ve dielektrik kayıp artan frekansla azalırken, artan radyasyonla artmaktadır. C-V ve G/co-V karakteristikleri, radyasyon tarafından oluşturulan kusurlar ve seri direnç varlığından dolayı oldukça etkilenmektedir. Bilim Kodu : 404.05.01

Özet (Çeviri)

THE INVESTIGATION OF BASIC PHYSICAL PARAMETERS DEPEND ON FREQUENCY AND RADIATION DOSE RATE IN MOS STRUCTURES (Ph. D. Thesis) Adem TATARO?LU GAZI UNIVERSITY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY February 2004 ABSTRACT The metal-oxide-semiconductor(MOS) structures used in this work were fabricated using n and p-type single crystals silicon wafer with (111) and (100) surface orientation, 280 and 350 jim thick, 2" diameter and 4,45 and 1 Qcm resistivity, respectively. C-V and G/co-V measurements of MOS structures were made at room temperature. After irradiated Au/SnOı/n-Si (MOS2) structure, using a 60Co source, same measurements repeated. The effects of series resistance, oxide layer and surface states on C-V and G/co-V characteristics of MOS structures are investigated. The surface states distribution profiles of MOS2 structure obtained from high-low frequency capacitance technique in depletion and weak inversion both before and after irradiation. The measured capacitance and conductance are corrected for series resistance. The series resistance decreases with increasing frequency and radiation dose. While dielectric constant and dielectric loss decrease with increasing frequency, they increase with increasing doses. C-V and G/co-V characteristics have been found to be strongly influenced by the presence of a dominant radiation-induced defects and series resistance. Science Code : 404.05.01

Benzer Tezler

  1. Tez No

    504530

    New opportunities in MOS-only filter design

    Salt MOSFET süzgeç tasarımında yeni olanaklar

    DENİZ ÖZENLİ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HULUSİ HAKAN KUNTMAN

  2. Tez No

    392921

    Computational screening of dual cation ammine metal borohydrides

    Çift katyonlu amin metal bor hidrürlerin hesaplamalı taraması

    YUSUF KIŞLAK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Hesaplamalı Bilim ve Mühendislik Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)

    DOÇ. DR. ADEM TEKİN

  3. Tez No

    133347

    MOS yapılarda kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik voltaj (G/W-V) karakteristiklerinin frekans ve radyasyona bağlı incelenmesi

    The investigation of capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G/W-V) characetrsitics depend on frequency and radiation in MOS structure

    MUHARREM GÖKÇEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  4. Tez No

    114276

    Ark fiziksel buhar biriktirme yöntemiyle nanokompozit Mo-N-Cu kaplamaların üretimi ve karakterizasyonu

    Production of Mo-N-Cu nanocomposite coatings by arc physical vapour deposition technique and their characterization

    OSMAN LEVENT ERYILMAZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2001

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF. DR. MUSTAFA ÜRGEN

  5. Tez No

    439672

    High performance tunable active inductors for microwave circuits

    Mikrodalga devreleri için yüksek başarımlı ayarlanabilir aktif endüktörler

    HADI GHASEMZADEH MOMEN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. METİN YAZGI

    YRD. DOÇ. DR. RAMAZAN KÖPRÜ

Geri Dön