Geri Dön

MOS yapılarda kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik voltaj (G/W-V) karakteristiklerinin frekans ve radyasyona bağlı incelenmesi

The investigation of capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G/W-V) characetrsitics depend on frequency and radiation in MOS structure

  1. Tez No: 133347
  2. Yazar: MUHARREM GÖKÇEN
  3. Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2003
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 72

Özet

Bu çalışmada, n-Si yarıiletken üzerine buharlaştırma yöntemiyle omik ve doğrultucu kontaklar, püskürtme yöntemiyle de metal-yarıiletken arasına yalıtkan SnO2 tabakası oluşturulmuş Au/SnO2/n-Si MOS yapısının temel bazı fiziksel parametrelerinin frekansa ve radyasyona bağlı değişiminin incelenmesi amaçlanmıştır. Au/Sn02/n-Si (MOS) yapının C-V ve G/w-V ölçümleri farklı frekanslar için oda sıcaklığında gerçekleştirildi. Bu Ölçümlerden yapının seri direnç, ilave kapasitans, arayüzey durumları gibi bazı temel karakteristikleri frekansa bağlı hesaplandı. Daha sonra yapı Co60 radyasyon kaynağından farklı dozlarda radyasyona tabi tutularak benzer ölçüm ve hesaplamalar tekrarlandı. Yapılan deneysel ölçümler ve hesaplamalar, bu yapıların hemen hemen tüm temel fiziksel parametrelerinin yapıdaki arayüzey durum yoğunluğuna, uygulanan de gerilime, frekansa ve radyasyon dozuna bağlı olarak önemli ölçüde değiştiğini göstermiştir.Anahtar Kelimeler : MOS yapılar, arayüzey durumları, seri direnç, frekans ve radyasyon etkileri

Özet (Çeviri)

In this study Au/Sn02/n-Si MOS structure was made, by top of n-Si semiconductor with evaporation technique ohmic and rectifier contacts, with spray technique insulator Sn02 layer is formed between metal layer and semiconductor layer. Our aim is to analyse Au/SnOz/n-Si structure some basis physical parameters by the changing frequency and radiation. Au/SnOt/n-Si (MOS) structure C-V and G/w-V measurements for different frequency were made at room temperature. From these measurements we calculate structure serial resistance, excess capacitance and interface state density by frequency. After than with the Co60 radiation source in different doses we made same measurement and calculations. Result shows that in experiments this structure almost all physical parameters change by interface state density, dc voltage, frequency and radiation.Key Words : MOS structure, interface states, serial resistance, effects of frequency and radiation

Benzer Tezler

  1. Antrasen-imin arayüzey tabakalı Au/n-Si Schottky diyotlarda frekansa bağlı kapasitans voltaj ve iletkenlik-voltaj karakteristiklerinden seri direnç ve yüzey durumlarının araştırılması

    Investigation of series resistance and surface states from frequency-dependent capacitance voltage and conductance-voltage characteristics in Au/n-Si Schottky diodes with anthracene-imine interfacial layer

    BİRKUT GÜLER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    EnerjiGiresun Üniversitesi

    Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NİHAT TUĞLUOĞLU

  2. ZnO nanoçubuk temelli MOS yapılar üretimi ve karakterizasyonu

    The ZnO nanorod based MOS structures production and characterization

    MERVE KARASÜLEYMANOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKastamonu Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET TOLGA TAŞÇI

  3. Metal-yalıtkan-yarıiletken (Al/SiO2/p-Si) yapıların elektrik ve dielektrik özelliklerinin frekans ve potansiyele bağlı incelenmesi

    The investigation of frequency and voltage dependent electrical and dielectric properties of metal-insulator-semiconductor (Al/SiO2/p-Si) structures

    ZEKAYİ SÖNMEZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  4. Al/P-Si Schottky diyotlarında MS ve MOS yapılarda diyot parametrelerinin karşılaştırılması

    In Al/P-Si Schottky diodes and MS and MOS states on the comparation of diodes parameters

    İKRAM KELEŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. BAHRİ BATI

  5. Nanokristalli-MOS (metal-oksit-yarıiletken) kapasitörlerde zamana bağlı kapasitans ölçümleri

    Retention time dependence on capacitance measurements of MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor with nanocrystals

    ALİM BOZER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ERDEM YAŞAR