MOS yapılarda kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik voltaj (G/W-V) karakteristiklerinin frekans ve radyasyona bağlı incelenmesi
The investigation of capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G/W-V) characetrsitics depend on frequency and radiation in MOS structure
- Tez No: 133347
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2003
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 72
Özet
Bu çalışmada, n-Si yarıiletken üzerine buharlaştırma yöntemiyle omik ve doğrultucu kontaklar, püskürtme yöntemiyle de metal-yarıiletken arasına yalıtkan SnO2 tabakası oluşturulmuş Au/SnO2/n-Si MOS yapısının temel bazı fiziksel parametrelerinin frekansa ve radyasyona bağlı değişiminin incelenmesi amaçlanmıştır. Au/Sn02/n-Si (MOS) yapının C-V ve G/w-V ölçümleri farklı frekanslar için oda sıcaklığında gerçekleştirildi. Bu Ölçümlerden yapının seri direnç, ilave kapasitans, arayüzey durumları gibi bazı temel karakteristikleri frekansa bağlı hesaplandı. Daha sonra yapı Co60 radyasyon kaynağından farklı dozlarda radyasyona tabi tutularak benzer ölçüm ve hesaplamalar tekrarlandı. Yapılan deneysel ölçümler ve hesaplamalar, bu yapıların hemen hemen tüm temel fiziksel parametrelerinin yapıdaki arayüzey durum yoğunluğuna, uygulanan de gerilime, frekansa ve radyasyon dozuna bağlı olarak önemli ölçüde değiştiğini göstermiştir.Anahtar Kelimeler : MOS yapılar, arayüzey durumları, seri direnç, frekans ve radyasyon etkileri
Özet (Çeviri)
In this study Au/Sn02/n-Si MOS structure was made, by top of n-Si semiconductor with evaporation technique ohmic and rectifier contacts, with spray technique insulator Sn02 layer is formed between metal layer and semiconductor layer. Our aim is to analyse Au/SnOz/n-Si structure some basis physical parameters by the changing frequency and radiation. Au/SnOt/n-Si (MOS) structure C-V and G/w-V measurements for different frequency were made at room temperature. From these measurements we calculate structure serial resistance, excess capacitance and interface state density by frequency. After than with the Co60 radiation source in different doses we made same measurement and calculations. Result shows that in experiments this structure almost all physical parameters change by interface state density, dc voltage, frequency and radiation.Key Words : MOS structure, interface states, serial resistance, effects of frequency and radiation
Benzer Tezler
- Antrasen-imin arayüzey tabakalı Au/n-Si Schottky diyotlarda frekansa bağlı kapasitans voltaj ve iletkenlik-voltaj karakteristiklerinden seri direnç ve yüzey durumlarının araştırılması
Investigation of series resistance and surface states from frequency-dependent capacitance voltage and conductance-voltage characteristics in Au/n-Si Schottky diodes with anthracene-imine interfacial layer
BİRKUT GÜLER
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
EnerjiGiresun ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİHAT TUĞLUOĞLU
- ZnO nanoçubuk temelli MOS yapılar üretimi ve karakterizasyonu
The ZnO nanorod based MOS structures production and characterization
MERVE KARASÜLEYMANOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKastamonu ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET TOLGA TAŞÇI
- Metal-yalıtkan-yarıiletken (Al/SiO2/p-Si) yapıların elektrik ve dielektrik özelliklerinin frekans ve potansiyele bağlı incelenmesi
The investigation of frequency and voltage dependent electrical and dielectric properties of metal-insulator-semiconductor (Al/SiO2/p-Si) structures
ZEKAYİ SÖNMEZ
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Al/P-Si Schottky diyotlarında MS ve MOS yapılarda diyot parametrelerinin karşılaştırılması
In Al/P-Si Schottky diodes and MS and MOS states on the comparation of diodes parameters
İKRAM KELEŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. BAHRİ BATI
- Nanokristalli-MOS (metal-oksit-yarıiletken) kapasitörlerde zamana bağlı kapasitans ölçümleri
Retention time dependence on capacitance measurements of MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor with nanocrystals
ALİM BOZER
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ERDEM YAŞAR