Al/SiNx/p-Si(100) (MYY) Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin düşük sıcaklıklarda incelenmesi
Investigation of electrical characteristics of Al/SiNx/p-Si(100) (MIS) Schottky diodes at low temperatures
- Tez No: 165921
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. MAHİR BÜLBÜL
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 112
Özet
Al/SİNxlp-Si(100) (MYY) SCHOTTKY DİYOTLARIN ELEKTRİKSEL KARAKTERİSTİKLERİNİN DÜŞÜK SICAKLIKLARDA İNCELENMESİ (Doktora Tezi) Sedat ZEYREK GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTİSÜ ÖZET Metal-yalıtkan-yarıiletken (Al/SİNxlp-Si) Schottky engel diyotların; akım- voltaj (l-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri, 80-300 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Temriyonik emisyon (TE} teorisine göre; l-V karakteristiklerinden hesaplanan sıfır-beslem engel yüksekliği
Özet (Çeviri)
INVESTIGATION OF ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF Al/SiNx/p- Si(100) (MIS) SCHOTTKY DIODES AT LOW TEMPERATURES {Ph. D. Thesis} Sedat ZEYREK GAZI UNIVERSITY INSTITUTE OF SCIENCE END TECHNOLOGY July 2005 ABSTRACT The current-voftage (f-V) and capacitance-voftage (C-V) characteristics of metal-insulator-semiconductor ( Mf&iHJpSt} Schottky barrier diodes (SBDs} were measured m Öte temperature range of 8&-3Q0 K. According to thermionic emission (TE) theory, the zero bias barrier height #b& calculated from t-V characteristics was found to increase wiih increasing temperature. Also, the ideality factor decreases with increasing temperature, and especially the activation energy plot is nonlinear at low temperatures. Such behaviour Is attributed to Schottky barrier inhomogeneties by assuming a Gaussian distribution of barrier heights f BHs) at interface. We attempted to draw a ?^a vs qfTkT plot to obtain evidence of a Gaussian distribution of the BHs, and the values of
Benzer Tezler
- Kesim ötesi dalga kılavuzu filtreleri
The Evanescent mode waveguide filter
KADİR EMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
1990
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. ERCAN TOPUZ
- Azotca zengin hidrojenlendirilmiş amorf silisyum-azot (a-SİNx:H) filmlerin elektrik ve optik özellikleri
Electrical and optical properties of nitrogen-rich hydrogenated amorphous silicon-nitride (a-SİNx:H) films
YASİN DÜVEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF.DR. HÜSEYİN TOLUNAY
- Polycrystalline silicon thin film processing on glass substrates for photovoltaic applications
Fotovoltaik uygulamalar için cam alttaş üzerine silisyum ince filmlerin üretimi
MEHMET KARAMAN
Doktora
İngilizce
2016
EnerjiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAŞİT TURAN
DOÇ. DR. ÖZGE TÜZÜN ÖZMEN
- Farklı aşındırma parametreleri ile oluşturulan kapı elektrodu'nun GaN temelli yüksek elektron devingenlikli transistör aygıtları üzerindeki etkisi
The effect of gate electrode on GaN hemt devices fabricatedwith di̇fferent etching parameters
İRFAN ALP GEZGİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYHAN ELMALI
- Amorf silisyum ve alaşımları heteroeklemlerin elektronik ve optik özelliklerinin incelenmesi
Electronic and optical properties of heterostructures fabricated by using a-Si:H and its alloys
İLKER AY
Doktora
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜSEYİN TOLUNAY