Geri Dön

Dark current mechanisms and passivation of InAsSb infrared photodiodes on alternative substrates

Alternatif tabanlar üzerindeki InAsSb kızılötesi fotodiyotların karanlık akım mekanizmaları ve pasivasyonu

  1. Tez No: 167146
  2. Yazar: ÖZLEM ERSAGUN
  3. Danışmanlar: PROF.DR. CENGİZ BEŞİKCİ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: fotodedektör, InAsSb, pasivasyon. Vll, photodetector, InAsSb, passivation
  7. Yıl: 2005
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 75

Özet

ÖZ ALTERNATİF TABANLAR ÜZERİNDEKİ InAsSb KIZILÖTESİ FOTODÎYOTLARIN KARANLIK AKIM MEKANİZMALARI VE PASİVASYONU ERSAGUN, Özlem Yüksek Lisans, Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Cengiz BEŞİKÇİ Aralık 2005, 64 sayfa Bu tez galyum arsenik (GaAs) taban üzerinde moleküler ışın epitaksisi tekniğiyle büyütülen indiyum arsenik antimon (InAsı_xSbx) fotodedektörler üzerindeki detaylı karakterizasyonu rapor etmektedir. Bu tezde sülfür ve polyimide kombinasyonu ve tek katman polyimide pasivasyon filmleri olarak kullanılmıştır. Dedektör performansının değerlendirilmesi ve yukarıdaki pasivasyon tekniklerinin karşılaştırılması için iki farklı epitaksiyel katman yapısı kullanılmıştır. Optik ölçüm sonuçlan ilk yapı için Sb mol oranının 0.13 ve kesim dalga boyunun 80 K sıcaklıkta 4. 1 (im civarında olduğunu göstermiştir. İkinci yapıda Sb mol oranı 0.2 ve 77 K sıcaklıktaki kesim dalga boyu 4.8 um olarak gözlenmiştir. Detaylı elektriksel ve optik karakterizasyonlar 33x33 um2 alanlı test diyotlan üzerinde yapılmıştır. Birinci ve ikinci yapılar için fotodiyotların 80 K sıcaklıkta dedektivite VIdeğerleri sırasıyla ~3.65xl010 ve ~1.22xl010 cmHz1/2/W olarak ölçülmüştür. Her iki yapıda da 80 K sıcaklıkta tuzak yardımlı tünelleme mekanizmasından kaynaklanan dikkate değer ölçüde l/f gürültü akımı gözlenmiştir. Karanlık akım modellemesi çalışması, her iki yapı için de ters eğimleme gerilimleri altında karanlık akımın paralel ve tuzak yardımlı tünelleme mekanizmalarıyla belirlendiğini göstermiştir. Her iki epikatman yapı üzerinde fabrike edilen değişik alanlı dedektörlerin karanlık akım analizleri, küçük alanlı (33x33 [Am2) dedektörlerde ters eğimleme akımının her iki pasivasyon katmam için de çoğunlukla yüzey kaçakları tarafından oluşturulduğunu ortaya çıkarmıştır. Bununla birlikte, çift katmanla (polyimide ve sülfür ) pasive edilmiş dedektörler için yüzey akımının katkısının daha az olduğu gözlenmiş ve bu pasivasyon tekniğinin daha uygun olduğu izlenimine varılmıştır.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT DARK CURRENT MECHANISMS AND PASSIVATION OF InAsSb INFRARED PHOTODIODES ON ALTERNATIVE SUBSTRATES ERSAGUN, Özlem M.Sc, Department of Electrical and Electronics Engineering Supervisor: Prof. Dr. Cengiz BEŞİKÇİ December 2005, 64 pages This thesis reports a detailed characterization of indium arsenide antimonide (rnAsi. xSbx) photodetectors grown on gallium arsenide (GaAs) substrate by molecular beam epitaxy. A combination of polyimide and sulphur and a single layer of polyimide were used as passivation films in this study. Two different epilayer structures were used for assessing the detector performance and comparing the above passivation layers. For the first structure, the optical measurements revealed that Sb mole fraction was 0.13 and the cut-off wavelength was around 4.1 urn at 80 K. The Sb mole fraction of the second structure was 0.2, and the 77 K cut-off wavelength was 4.8 um. Detailed electrical and optical characterizations were performed on 33x33 [Am2 test diodes. The photodiodes yielded peak detectivities of ~3.65xl010 and ~1.22xl010 cmHz1/2/W at 80 K for the first and second structures, respectively. Considerable l/f noise current related with trap-assisted tunneling IVmechanism was observed in both structures at 80 K. Dark current modeling study showed that the dark current was dominated by the shunt and trap-assisted tunneling mechanisms throughout the entire reverse bias voltages for both detectors. The dark current analysis of variable area detectors fabricated with both epilayer structures revealed that the reverse bias current was mainly generated by the surface leakage in small sized (33x33 |xm2) detectors for both passivation layers. However, the surface current contribution was observed to be lower for the double layer (polyimide and sulphur) passivated detectors suggesting that it is a better passivation technique.

Benzer Tezler

  1. PECVD yöntemiyle a-Si:H tabanlı HIT güneş pili üretimi ve karakterizasyonu

    Characerization of a-Si:H based HIT solar cell fabricated by PECVD method

    UĞUR DENEB MENDA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ORHAN ÖZDEMİR

    DOÇ. DR. ALP OSMAN KODOLBAŞ

  2. Dark current control in InAs/GaSb superlattice photodetectors

    InAs/GaSb süperörgü fotodedektörlerde karanlik akim kontrolü

    ABDULLAH MUTİ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ATİLLA AYDINLI

  3. Farklı sürelerle CdCl2 ortamında ısıl işlem görmüş ince film CdTe/CdS güneş pillerinin elektriksel karakterizasyon yöntemleriyle incelenmesi

    Investigation of thin film CdTe/CdS solar cells treated in CdCl2 for different durations by electrical characterization techniques

    ŞADAN ÖZDEN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla Sıtkı Koçman Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HABİBE BAYHAN

  4. GaSb yarı iletken temelindeki infrared fotodiyotların karanlık akımlarının incelenmesi

    Investigation of dark current mechanisms of GaSb based infrared photodiodes

    BANU KUCUR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUHİTDİN AHMETOĞLU

  5. Dar bantlı gainassb termofotovoltaik yapıların elektrik ve optik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of electrical and optical properties of low bandgap gainassb thermophotovoltaic structures

    BANU KUCUR EFENDİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUHİTDİN AHMETOĞLU