In katkılanmış GaN yarıiletken bileşiğinin fiziksel özelliklerinin iteratif yöntemle belirlenmesi
Determination od physical properties of In doped GaN semiconductor compound by iterative method
- Tez No: 168093
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. ÖMER ÖZBAŞ
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 164
Özet
ÖZET GaN ve InN bileşiklerinin ve InxGaı_xN alaşımının elektron taşınım özellikleri iteratif yöntem ile incelendi. Bu yarıiletken bileşiklerinde akustik deformasyon potansiyel saçılması, akustik fonon piezoelektrik saçılması, iyonize safsızlık saçılması, polar optik fonon saçılması ve alaşım saçılmasının meydana geldiği kabul edildi. Bandm parabolik olmayışı, elektron perdelenmesi ve s - p dalga karışımı da iterasyon hesaplamalarına dahil edildi. GaN ve InN bileşiklerinin materyal parametreleri deneysel çalışmalardan alındı. înxGaı_xN alaşımının materyal parametreleri ise Vegard yasasından elde edildi. InxGaı_xN alaşımının enerji bant aralığının, b eğrilme parametresine bağlılığı incelendi. GaN ve InN yarıiletken bileşiklerinin, sürüklenme ve Hail mobiliteleri ile taşıyıcı konsantrasyonları sıcaklığın fonksiyonu olarak incelendi. Bu yarıiletken bileşiklerin, 300K sıcaklığında taşıyıcı konsantrasyonuyla mobilite değişimleri belirlendi. Ayrıca, !0'6 cm“J, I017 cm-3 ve Î0!8 cm”"3 elektron konsantrasyonları için Hail mobilitelerinin sıcaklığa bağlılığı incelendi. InxGaı_xN alaşımı için x = 0 - 1 aralığında, sürüklenme ve Hail mobilitelerinin sıcaklıkla değişimi incelendi. 77K ve 300K sıcaklıkları için, bu mobüiteîerin İn moî kesrine bağlılığı belirlendi. Bu hesaplamalarda, alaşım potansiyelinin değeri, Phillip elektronegatiftik teoreminden elde edildi. Alaşım saçılmasının olmadığı durum ile karşılaştırıldı. Ayrıca, 30ÖK'de 0.6 - 1.4 eV aralığindaki alaşım potansiyel değerleri için Hali mobilitesinin în mol kesriyle değişimi incelendi. İki bileşik ve bir alaşım için mobüitenin, sıcaklığın değişmesiyle düşük sıcaklıklarda arttığı, yüksek sıcaklıklarda ise yaklaşık T -L5 ile azaldığı ve baskın saçılma mekanizmasının ise polar optik fonon saçılması olduğu görüldü. InxGaı-xN alaşımının sürüklenme ve Hail mobilitesinin in katkılanması ile giderek arttığı görüldü. înxGaı_xN alaşımında alaşım saçılmasının önemli olduğu gözlendi.
Özet (Çeviri)
SUMMARY Electron transport in GaN and InN compounds and InsGai_sN alloy were examined by iterative method. We assumed that acoustic phonon deformation potential, acoutic phonon piezoelectric, ionized impurity and polar optic phonon scatterings are taken place in these compounds. Due to the nonparabolictty of the bands, electron screening and s - p wave admixture were retained throughtout iterative calculations. Material parameters of GaN and InN compounds were taken from literatures. The material parameters of InxGai_xN alloys were obtained by using Vegard's law. The dependence of the energy band gap variations InxGai_xN alloy on bowing parameter, b, in examined. Drift and Hall mobilities and carrier concentrations of GaN and InN semiconductor compounds were investigated as a function of temperature. The changes in the mobilities with carrier concentrations of these compounds were determined at 300K. We also examined the temperature dependence of Hall mobilities for these compounds with their electron concentrations of 10“ cm,10 cm”ve 10 cm'. For InxGas_xN alloy, temperature dependence of drift and Hall mobilities for the In mole fraction interval was examined between x = 0 - 1. We investigated these mobilities dependence of x mole fraction at 77K and 300K. In these calculations the values of alloy potential were obtained from Phillip's electronegativity theorem. These results were compared with the results obtained in the absence of alloy scattering. Furthermore, at 300K In mole fraction dependence of Hall mobility was examined for the values of alloy potential interval 0,6 -1,4 eV. For two compounds and alloy, it was deduced that mobilities increase at lower temperatures and decrease with ~ T ~L5 at higher temperatures and the dominant scattering mechanism is observed to be the polar optic phonon scattering. Also, it was found that the drift and Hall mobilities of InxGai_xN alloy increase with In doping. It was found that the alloy scattering is important in InxGai_x.N alloy.
Benzer Tezler
- Mn katkılanmış ınn ince filminin manyetik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of magnetic properties of Mn doped inn thin film
MERVE ERTAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. LEYLA ÇOLAKEROL ARSLAN
- GaN ince filmlerin ESR spektroskopisi ile incelenmesi
Investigation of the GaN thin films by ESR spectroscopy
KÜBRA ELİF ASAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Bilim ve TeknolojiHacettepe ÜniversitesiNanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEYDA ÇOLAK
- Nitratlı fonksiyonel malzemelerin (GaN/AlN/alInN/InGaN ) mozaik kusurlarının incelenmesi
Mosaic defect investigation in the functional materials with nitrate (GaN/AlN/alInN/InGaN )
MEHMET TAMER
Doktora
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA KEMAL ÖZTÜRK
- Geliştirme modlu galyum nitrat yüksek taşıyıcı hareketine sahip tranzistörleri kullanarak yüksek verimli yük noktası DA/DA dönüştürücü tasarımı
Design of high efficient point-of-load DC/DC converter using enhancement-mode gallium nitride high electron mobility transistors (HEMTs)
EMRE ARAS
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. UĞUR BAYSAL
- Katkılı ve katkısız GaAs ince filmlerin üretilmesi ve bazı özelliklerinin incelenmesi
Preparation of doped and undoped GaAs thin films and investigation of their some properties
VOLKAN ŞENAY
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SUAT PAT